少子化趋势范例6篇

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少子化趋势范文1

《纲要》明确提出“幼儿园应充分利用自然环境与资源。拓展幼儿的生活和学习空间”我们绍兴具有丰富的自然和社会名人文化资源(如柯岩、鲁镇、兰亭、东湖、鲁迅、、秋瑾等……)、浓厚的民俗和民间文化资源(如赛龙舟、腊月风情节、祭禹、工艺制作乌毡帽、花雕酒坛等,还有臭豆腐、霉干菜等)这些地域文化的存在都具有它的独特之处,对幼儿充满魅力,因此,充分发挥绍兴的地域优势,充分利用绍兴丰富的自然资源和社会资源,开发本土的教育素材,丰富区域活动内容,让幼儿在熟悉的本土文化中获取经验,扩展视野,有效的促进幼儿的发展。

所谓本土化区域游戏是指:幼儿在以本土特色的区域游戏环境中,根据自己的兴趣和需要,自由选择各个区域参与活动,去体验、寻找、接受本土文化的活动过程。

二、开展本土化区域游戏的具体目标

在以往的主题教育活动中,我们较多地采用集体教学地形式,让幼儿在教师预设的环境中学习各种知识。由于孩子的这种学习是被动的,他们参与活动的积极性、主动性就难以发挥和保持。区域活动作为课程组织形式之一,具有自由、自选、独立而协作的优势。不仅可以满足幼儿的需要而且对集体教学活动起着相辅相成的作用。因此,我们立足于集体教学和区域活动相结合的过程,对客观环境的教育功能、社会生活的经验积累以及传统知识进行梳理,将一部分内容放在区域中去完成。

基于上述认识,我们在开展“我的家在绍兴”的主题教育活动中,注意将集体教学与本土化区域游戏相结合。首先制定了“我的家在绍兴”的主题教育目标。

(一)了解家乡的风景名胜、人文景观、名品特产等,关注家乡变化。萌发爱家乡的情感。

(二)学习多途径收集有关家乡的有效信息,乐于同伴交流。

(三)用游戏、语言、美工、音乐等形式创造性地表现自己对家乡的认识。

然后对主题教育目标进行分解,将其一部分落实到区域活动中去,成为区域活动总目标:

通过创设以“家乡特色”为主题的区域活动区,引导幼儿了解家乡的风景名胜、人文景观、名品特产,使幼儿对自己的家乡产生浓厚的兴趣,从而萌发爱家乡的情感,为自己是个绍兴人而感到骄傲。

在此基础上根据中大班的幼儿的年龄特点和发展水平确立年龄阶段目标:

中班:积极参与游戏活动,了解家乡的名人及著名景点,对具有家乡民间特色的活动感兴趣,初步感受家乡的文化,萌发爱家乡情感。

大班:主动参与游戏活动,了解家乡的特色,用自己感兴趣的方式创造性表现家乡的特色,激发幼儿爱家乡的情感,为自己是绍兴人而感到骄傲。

在选择了名区域活动后再制定具体区域教育目标和针对个别区域的分层教育目标。

举例:中班开设的小作坊,我们制定的具体区域目标是:鼓励幼儿积极地参与制作具有绍兴民间特色的物品,提高幼儿动手操作能力。同时,我们又根据本年龄段孩子个别差异制定了三个分层教育目标;1、能根据教师的直观示范学习制作。这个是针对能力弱的孩子制定的;2、能根据实物的分步骤暗示学习制作。这个针对中等水平的孩子。3、能根据图示的不同变化学习制作。这个是为能力较强的孩子准备的。

三、突出绍兴地方特色,开展本土化区域游戏

(一)区域游戏材料投放原则。

A、因地制宜原则:教师应根据绍兴本土特色就地取材,挖掘一切可利用的自然资源,为幼儿所用。

B、趣味性原则:本土材料的提供要丰富、有趣,可以最大程度地吸引幼儿积极参加游戏。

c、层次性原则:根据不同年龄段幼儿的特点,投放多种材料;同时教师还应根据不同发展水平幼儿的需要,提供适宜的不同层次的材料。

D、可操作性原则:选择本土材料要便于幼儿体验、理解、实施,让他们充分体验操作探索的乐趣。

(二)创设具有绍兴特色的不同年龄特点的活动区。

1、中班活动区创设:

结合中班幼儿年龄特点和活动目标,我们创设了以下几个活动区。

2、大班活动区创设:

大班幼儿知识经验和抽象能力比中班幼儿有了较大提高,想象力、创造力水平呈上升趋势。因此,我们结合本土性区域游戏材料投放原则,选用大量的具有绍兴特色的材料,让幼儿用这些来自于自己身边的熟悉的材料创造性的表现自己的感受。

四、合理利用资源,丰富区域游戏

(一)充分利用绍兴本土文化资源。

幼儿生活在历史文化名城――绍兴,绍兴的酒文化、戏曲文化、名人文化、饮食文化等都具有它独特的价值和内涵,都是不可多得的教育资源。因此,我们争取家长的支持,带孩子参观绍兴民俗博物馆、去柯岩乘乌蓬船、在鲁镇一条街上了解绍兴黄酒的酿造工艺、看绍兴的地方戏越剧、绍剧、莲花落……让幼儿在熟悉的本土文化中获取经验,既贴近幼儿生活又有利于扩展视野,提高游戏水平。

(二)充分利用家长资源。

我们根据家长的自身特长和职业特点请他们来幼儿园参加我们的区域游戏,介绍自己的工作和爱好,解答孩子们感兴趣的问题。像请本是越剧演员的家长来“绍兴社戏”的区域游戏中,说说越剧、唱唱越剧;邀请精通书法的家长来园表演书法,为孩子讲述书圣王曦之的故事;请家长帮助收集有关家乡特色的资料;让家中的老一辈向孩子介绍他们童年的一些民间游戏等等。幼儿的游戏经验得到丰富,游戏热情得到了充分激发。

(三)利用幼儿自身资源。

少子化趋势范文2

【辅导对象】小学一年级至高中三年级

【辅导科目】语文 数学 英语 物理 化学 地理 历史 政治 奥数

【上课时间】署寒假 双休日 平时 课外 随到随学

【辅导范围】年级衔接课程辅导、同步课程辅导;小升初、中高考考试方向分析辅导;暑假班、寒假班;小学各科基础知识漏洞梳理提高;初二、三物理(电学、力学基础夯实);初三化学、初中英语(阅读理解,作文、语法等);初中语文(写作、阅读理解、基础知识等);高中理科(数理化生薄弱板块针对性切入);高中英语(阅读理解,作文、语法等);高中语文(写作、阅读理解、基础知识等)。

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少子化趋势范文3

【关键词】 少子高龄化 日本经济影响

近年来,随着日本女性的高学历化及对于结婚、生子价值观的变化,日本整体的出生率大幅降低,除此之外,生活条件的改善与医疗技术的进步,死亡率也大幅降低,日本的少子高龄化(15岁以下人口低于65岁以上人口)问题日益严重。日本政府2008年4月22日公布的2008年版《少子化社会白皮书》警告称,如果对少子老龄化问题不采取有效措施,到2050年日本15岁以上的可就业“劳动力人口”仅为4228万人,不足2006年(6657万人)的三分之二,将“对经济发展造成负面影响”。白皮书还强调说,尤其是“随着年轻劳动力的减少与老龄人口退休的不断增加,预计劳动力人口将呈现老龄化与递减的趋势”。到2050年时,日本即将面临“超少子高龄社会”,平均每1.5名有职业者就需养一位高龄者。

本文从导致日本社会少子高龄化问题如此严重的原因以及其将为日本经济发展带来的影响两方面进行论述。

世界卫生组织指出,合计特殊出生率(女性15-49岁内生产小孩数的平均推算值)若低于2.08名,将使得人口迈向减少。日本在二次大战前出生率就开始降低,但战后的20世纪40年代后半出现婴儿高峰期,1948年人工堕胎合法化后,进入20世纪50年代出生率开始大幅下跌。20世纪60年代至70年代前半的高度成长期,合计特殊出生率还维持2.13名的安定情况,但1975年则跌到2名以下,1997年步入少子高龄化社会,2007年总人口开始出现“自然减”现象。和欧洲其他少子高龄化国家相比,日本的速度可以用“快得惊人”来形容,究其少子化原因,可以从以下方面进行考虑:

第一,出生于日本经济高度成长期的年轻人,在经济发达、成长自由的生活环境中养成了“养育儿童的数量越少,越能维持自己的轻松富足的快乐时光”的利己观念,人们普遍倾向于少生子女以得到生活质量的进一步提高,由此,必然会导致日本的生育率大幅下降。

第二,为了保证个人在经济上的独立支出,享受自由自在的单身生活,最近的年轻人结婚年龄持续攀升,晚婚必然会导致晚育。尤其是一部分女性的晚婚、不婚和少生孩子,似乎越来越成为一种“理性考虑”,而不是自然选择。日本读卖新闻社在2003年进行了婚姻问题的全国舆论调查,其中有52%的人认为“女性不结婚也能够幸福”,而在20-30岁日本年轻人中,接近70%的人认为“没有必要结婚”。这种想法的出现,不得不让我们为邻国日本的将来担心。

第三,非婚一族的出现加剧了少子化问题的严峻性。非婚一族中女性的比例大大高于男性。这背后的确有一些现实的“理性计算”理由。一是来自于就业市场:日趋激烈的就业环境使为了提高生产效益,降低成本的各个企业不欢迎育儿母亲。二是女性为在工作中得到晋升机会,会花大量的时间进修,从而错失了结婚的最佳机遇,随后则产生放弃结婚的念头。三是现代年轻女性对个性化生活的追求:她们热衷于交友聚会和参加各种社会活动,而一旦结婚育儿,就会被家庭这个禁锢套牢,失去自己的理想化生活。

第四,日本社会的“大男子主义”思想倾向仍然存在。他们不愿意帮助妻子共同分担家务和育儿等事务,导致妻子在身心上处于一种疲惫的状态,从而众多女性拒绝走向婚姻的殿堂。

急剧发展的少子化问题直接加速了日本老龄化社会的进程,有专家分析称,从少子老龄化的成因来看,70%是由于低出生率,30%是由于低死亡率及长寿化造成的。20世纪50年代日本的平均预期寿命分别为男性60岁和女性64岁;60年代上升至68岁和73岁;90年代已经达到77岁和84岁;到了2006年,日本人人均寿命男性79岁,女性85.81岁,男女综合平均寿命为82岁,蝉联世界第一。由此可以看出,出生率急剧下降的同时,伴随着的是长寿化的缓慢进程。因而,由少子而带来的老龄化进程就显得尤为迅速。少子老龄化给日本带来一系列深刻的影响,这些影响集中表现在以下方面。

第一,从宏观经济角度来看,少子化最明显的特征是人口减少,同时,老龄人口的消费呈减少趋势,儿童数量减少也造成需要减少。从供给方面来讲,劳动人口的减少造成劳动供给缩小。从微观经济角度来看,少子老龄化会增加社会保障成本,给企业带来福利负担,甚至会给日本产业竞争力带来巨大的负面影响。

第二,高龄少子化社会在养老、医疗和保险等方面存在着严重的问题。日本随着高龄人口长寿化以及高龄者人数激增,需要照护的老人也与日俱增。然而,受少子化影响,年轻人抚养老年人数量的比例逐年上升,其中一部分女性在高学历化与自我意识不断提升等因素的影响下,纷纷投入就业市场,这就使得原有的家庭内部介护不得不转型为由社会以及国家共同参与老人介护,加大了政府的资金投入,给国家经济带来了繁重的负担。

第三,高龄少子化进程的加剧将会导致日本出现严重的劳动力不足,必然会对经济发展带来重重阻力。劳动力减少以及劳动力高龄化所造成的劳动力不足会间接造成了储蓄能力降低、投资能力降低、经济成长率低下、社会保障费负担的增加、现役劳动者的所得低迷等中长期对经济成长的坏影响等问题。

综上所述,日本的高龄少子化的发展导致的经济上的诸多危机将会日益严重。在改善方案方面,日本应该参考荷兰、瑞典、德国等欧美诸国的劳动力政策方向以及医疗保险和老人介护政策,考察促进国民就业、支持劳动参加等具体政策,进而弥补本国政策不足之处,积极度过高龄少子化面临的各种危机,保证本国政治经济有序发展。

【参考文献】

少子化趋势范文4

关键词: 高效率;多晶硅;太阳电池;少子寿命

中图分类号:TK511 文献标识码: A 文章编号:

一、引言

目前,随着环境的不断恶化和能源日益紧缺,加强环境保护和开发清洁能源已成为世界各国高度关注的问题。作为一种重要的光电能量转换器件,太阳电池的研究受到了人们的热切关注。近年随着太阳电池新技术、新工艺和新结构的开发和利用使太阳电池行业得到了迅猛发展。多晶硅太阳电池因工序流程简单、工艺成熟和制造成本低,使其在太阳能电池市场占据着较大的比例。为了更快的推动绿色能源发展,降低太阳电池成本和提高电池转换效率已成为行业发展和竞争的两个主要目标。

二、实验方法

取高效率和普通多晶硅片各5片,测试原硅片少子寿命随腐蚀深度的变化,以及原硅片的光致发光图(PL)对原硅片的质量进行表征和分析。随后各取200片硅片,经相同的制绒、扩散、PECVD以及丝网印刷和测试工序完成太阳电池的制备。分别对制绒后的表面形貌,原硅片、扩散后、PECVD和烧结后的少子寿命进行了测试。最后对两批太阳电池片在标准测试条件下进行了电学性能和EL测试。

三、结果与讨论

1.原硅片的少子寿命随腐蚀深度的变化

通过对原硅片的不同深度的腐蚀和少子寿命测试结果(如图1)可以看出:普通多晶和高效多晶硅制绒前的寿命是相一致的,这是因为少子寿命是由表面寿命和体寿命两部分组成,然而在切割后的硅片表面存在着5-10um的损伤层,此时体现的则是表面的寿命。所以只测切割后硅片表面的少子寿命是不能体现硅片质量好坏的。随着腐蚀深度的增加,少子寿命逐渐增加。当4-8um时少子寿命趋于稳定,当腐蚀深度达到9um时,少子寿命达到了最大值,此时是因为硅片表面的损伤层被完全去除掉,少子寿命体现的则是硅片的体寿命;然而随着腐蚀深度增加到12um后少子寿命又出现下降的趋势,这是因为腐蚀液对硅片表面的腐蚀又出现了新的复合中心。从高效和普通多晶硅片对比来看,高效多晶硅片有着更高的体寿命,较普通多晶硅高了48.8%。原材料的少子寿命并不能反映材料的体寿命,不能用来判断材料质量的优劣,而去除损伤层后的少子寿命值才能真实地反映材料的体寿命,可作为原材料优劣的判据。

2.硅片的PL测试

发光成像方法为太阳电池缺陷检测提供了一种非常好的解决方案。PL通常利用激光作为激发光源,提供一定能量的光子,Si片中处于基态的电子在吸收这些光子后而进入激发态,处于激发态的电子属于亚稳态,在短时间内会回到基态,并发出以1150 nm的红外光为波峰的荧光。发光的强度与本位置的非平衡少数载流子的密度成正比,而缺陷处会成为少数载流子的强复合中心,因此该区域的少数载流子密度变小导致荧光效应减弱,在图像上表现出来就成为暗色的点、线,或一定的区域,而在电池片内复合较少的区域则表现为比较亮的区域。因此,通过观察光致发光成像能够判断Si片或电池片是否存在缺陷 [1-2] 。取高效和普通多晶硅片进行PL测试,结果如图2所示,发现高效率硅片PL图像灰度均匀,而普通多晶硅片中存在着较暗的区域,说明该处有影响电子和空穴的辐射复合的因素存在,一般是由缺陷和金属杂质因素导致。而原材料缺陷势必导致Si衬底非平衡少数载流子浓度降低,造成扩散结面不平整,p-n结反向电流变大,从而影响太阳电池效率 [3-4] 。

(1)高效多晶硅片 (2)普通多晶硅片

图2硅片的PL测试图

3. 少子寿命

少子寿命值是关系太阳电池设转换效率的重要参数,少子寿命值在一定程度上可以体现太阳电池转换效率的高低。理论上,少子寿命越长,太阳电池的短路电流和开路电压越高,太阳电池的转换效率也相应地提高。在太阳电池制作过程中,硅片经过制绒、扩散磷吸杂、PECVD沉积SiN:H膜钝化、铝背场以及烧结等工艺,少子寿命也会随之发生变化。通过对高效和普通多晶硅片对不同工序后的少子寿命进行了测试,结果如图4所示。可以看出,每个工序的少子寿命发生了明显的变化,具体原因分析如下:

(1)原硅片时测得的少子寿命较低。这是因为硅片的生产过程通常采用线切割方式,会在硅片边沿造成微裂、破损,在硅片表面形成一定厚度的损伤层,因此加重了载流子在硅片表面的复合程度,此时测试的少子寿命通常反映的是硅片的表面寿命。

(2)通过高温磷扩散后少子寿命明显变大。这是因为扩散过程中磷吸杂有助于消除杂质,长时间的高温磷扩散吸杂后,硅片内少子的扩散长度将得到很大的提高。

(3)PECVD沉积SiNx膜后少子寿命较扩散后降低。PECVD沉积氮化硅膜不仅起到减反射的作用,同时良好的表面钝化可以饱和硅片表面的悬挂键,降低表面态密度,减少少数载流子在硅片表面的复合,从而一定程度提高了少子寿命。然而此处测得的少子寿命值下降,分析认为是因为:其一,在沉积氮化硅膜过程中PECVD微波对硅片表面的轰击造成了一定程度的损伤;其二,没有经过一定温度的退火处理,氮化硅膜中的H原子不能获得足够的能量向硅片内部移动从而不能起到较好的钝化作用。

(4)通过快速烧结后,少子寿命显著增加。在SiN:H膜沉积时引入的H原子对多晶材料的体缺陷和晶界起到了良好的钝化作用,降低了少子复合速率增加了少子寿命。在沉积薄膜之后的烧结过程中,快速热处理过程的短时间高温可促进H原子向硅中扩散,达到更好的钝化效果 [5] 。

图4高效和普通多晶硅片各工序后少子寿命的变化

四、结论

通过对高效率和普通太阳电池原硅片和各工序的少子寿命、表面形貌、PL、EL以及电学参数上的分析对比,结果表明,具有较低的缺陷密度、较少的晶界和较高少子寿命的原硅片具有更高的太阳电池转换效率。因此,在铸锭工序如何控制位错、微缺陷、晶界、间隙氧、替位碳、过渡金属杂质(Fe、Cu、Ni、Cr)等提高硅片的少子寿命为提高太阳电池转换效率将会起到至关重要的作用。

参考文献

[1] 严婷婷, 张光春, , 李果华等.光致发光技术在Si 基太阳电池缺陷检测中的应用.半导体技术,2010,35(5):454-457

[2] FUYUKI T, KONDO H, YAMAZAKI T, et al. Photographic surveying of minority carrier diffusion length in polycrystalline silicon solar cells by electroluminescence [ J] . APL, 2005,86( 26):2621081.1-262108.3.

[3] 阙端霖, 陈修治. 硅材料科学与技术[M].杭州:浙江大学出版社,2001:193-218.

少子化趋势范文5

“这几年明显感觉入园的孩子越来越少。现在是中班的孩子比大班的少,小班的孩子比中班的少。不光我们一家幼儿园,镇里其他幼儿园都是这个情况。”上述幼儿园园长王女士告诉《第一财经日报》。

王园长幼儿园孩子数量的递减只是全国少儿人口逐步减少的一个缩影。过去几十年来,中国的少儿人口从数量到占总人口的比重都在持续下降。在公众不察觉间,中国早已进入少子化时代。

严重少子化

少子化这个词来源于日语,最直白的意思就是孩子太少而且越来越少。3年前,日本人口学者以一种特殊的方式吸引了公众的注意力。他们制作了一个“儿童人口钟”,在互联网上,以倒计时方式提醒公众日本距“只剩最后一名儿童”还有多长时间。根据他们的预测,到3011年5月,日本将没有儿童。

日本人很认真地在敲响警钟,但许多中国人也许只会认为这是危言耸听――1000年还远着呢!中国可没有这个危险,咱们人多啊,13亿多人,世界第一呢!实际情况如何呢?

根据人口统计学标准,一个社会0~14岁人口占比15%~18%为“严重少子化”,15%以内为“超少子化”。目前日本的少儿人口比重约为13%,处于“超少子化”阶段。而根据第六次人口普查,中国2010年0~14岁人口总量为2.2亿,占总人口的16.6%,已经处于严重少子化水平。

这种变化从历史来看更加触目惊心。根据统计数据,中国0~14岁人口比重从上个世纪六七十年代到现在一路下滑:1964年为40.7%,1982年为33.6%,1990年为27.7%,2000年为22.9%,到2010年已经降为16.6%。

从绝对数量看,1980年后出生人口为2.28亿,1990年后出生人口为1.75亿,而2000年后人口只有1.46亿。20年时间内,出生人口减少了36%。

除了人口普查和抽查的数据之外,还有一些数据同样可以提供中国孩子在减少的证据。从教育部的在校生统计数据看,从1998年开始,小学在校生开始减少。从2004年,初中生人数逐年减少。减少幅度从数十万到四五百万不等。

从招生情况看,小学招生人数从1997年的2500万减少至2014年的1658万,初中招生人数也从最高峰时每年招生2263万人,下降至去年的1448万人。

根据六普数据的推算可以看出,未来问题会远比现在更严重。在未来10年,中国23~28岁的生育旺盛期女性的数量将萎缩44.3%,如果生育率没有明显提升,0~14岁人口占总人口的比例将降至10%以下,比“超少子化”水平还要低一大截。

负增长预警

许多人有这样的观点,认为中国人口很多,而且还在不断地增加,人口负增长可能永远不会出现,即使出现也应该在遥远的将来。但实际上,这是一个巨大的误区。

人口学者何亚福解释说,中国生育率如此低但人口还在增长的原因是人口惯性。虽然孩子数量越来越少,但依然高于老人,等到60后开始老去,中国出生人口将远少于死亡人口,总人口萎缩的速度在人类历史上将是空前的。中国少儿人口数量逐年减少,正是人口负增长的一个先兆。

根据联合国《世界人口前景2010修订本》按高、中、低三种生育率方案对中国人口增长率所做的预测,按照中方案,中国人口将在2026年转入负增长,此后负增长的速度越来越快,直到2060年才稳定下来。而按照低方案,中国人口在2017年达到13.6亿的峰值后迅速下降。而《第一财经日报》采访的学者普遍认为,中国人口萎缩的具体时间取决于人口政策和生育率的变化,但基本可以肯定在联合国的中方案和低方案之间。

中国人民大学人口学者顾宝昌判断,中国人口负增长的大势已定,21世纪中国面临的最大风险就是人口负增长造成的风险。

说到负增长带来的负面后果,日本是个最典型的例子。日本人口老化严重,在2005年就已经出现人口负增长。与此同时,日本经济出现长达二十多年的萎靡不振。目前学术界普遍认为长期低生育率导致的人口高龄化、少子化正是日本经济长期萎靡的主要原因。年轻人越少,社会越会趋于保守,创新能力和经济活力都会大大下降。

少儿人口是未来的消费主力和劳动力。少子化带来的直接后果就是未来内需不振以及劳动年龄人口减少。据统计,中国的劳动年龄人口从2011年开始出现净减少。随着劳动年龄人口减少,养老保险的缴纳者数量减少,而养老保险的领取者却在增加,养老压力将会空前巨大。同时,劳动力减少也将倒逼经济结构转型,对未来社会的消费结构和产业结构产生影响。

人口学者梁建章、黄文政撰文表示,少子化导致的人口老化和萎缩会给经济发展带来长期的负面影响。人口减少会导致消费与需求同步萎缩,经济失去动力和活力,匹配效率下降,最终导致人均GDP的相对下降。

中央党校国际战略研究所副所长周天勇教授通过研究不同国家的人口趋势与经济发展的关系后认为,低生育导致的人口陷阱是中国经济下行的首要根源。

谁愿意多生娃

中国严重少子化的现实背后,是不断走低的总和生育率(每个妇女在育龄期间平均生育子女数)。根据历次人口普查,中国的总和生育率已经低到非常危险的水平。

本报采访发现,1.4左右的总和生育率基本上是绝大多数人口学者认可的。按照中国人口2.2的世代更替水平,1.4的超低生育率意味着每隔一代人(25~30年)出生人数将萎缩36%,两代人就萎缩60%。

听起来挺恐怖,但少子化的状况并非不可以改变。一个简单的方法就是,既然孩子少,那就努力多生,提高总和生育率就可以提高少儿人口比重。

但是要多生娃并没有说起来那么容易。首先在中国,传统“重数量,轻结构”的人口观念还没有改变,生育政策还只调整到单独二孩,全面二孩政策虽然已经在加快推进,但至今没有看到实质行动。

其次,即使政策改变,也未必如有些人想象的,政策一旦放开,大家就都生二孩了。中国社科院人口学者郑真真曾参与2006~2010年江苏省生育意愿和生育行为的五年追踪调查,结果发现符合生二孩政策的,最终只有30%左右的人真的生育了二孩。

人口生产有其特有的惯性,要人为改变它非常难。一个普遍现象是,把生育率降下来不容易,把已经降下来的生育率再提升上去更加不容易。日本在总和生育率下降到1.57之后,开始重视鼓励生育。不仅在内阁设立了少子化担当大臣来专门应对少子化危机,还采取了多种奖励生育的措施,但是效果始终不佳。韩国为了提高生育率,甚至在儿童节打出公益广告,“你能给孩子最棒的儿童节礼物是弟弟妹妹”。

广告再温情,也抵不住部分群体生育意愿低下的冷淡。在中国城市,人们已经把一孩当成正常的默认状态,往往需要强烈的理由才会去生育第二个孩子。

根据北京大学人口学者郭志刚的研究,除了政策因素之外,人口城镇化和推迟生育也是压低总和生育率的重要因素。中国社科院、中国人民大学等多家机构对生育意愿所做的调查表明,养育成本过高、女性职场压力等多种因素都影响民众的整体生育意愿。

城镇化是社会发展的必然阶段;生育推迟是现代生活方式的伴生物。这两者都非人力可以改变。可以改变的是生育政策、养育方式以及整个社会对生育的观念。在严重少子化、超低生育率的今天,再对生育政策进行调整已十分必要。而从建设健康的生育文化、归正扭曲的生育观入手,着力构建一个孩子友好型的社会也已经非常急迫。

少子化趋势范文6

关键词:太阳电池 多晶 PECVD 三层氮化硅

中图分类号:TM914 文献标识码:A 文章编号:1672-3791(2014)07(a)-0004-01

氮化硅薄膜作为表面介质层在传统晶硅太阳电池制造中被广泛应用,它能够很好地钝化多晶硅片表面及体内的缺陷和减少入射光的反射。氮化硅膜层中硅的含量增高,折射率和消光系数均相应增高,随之氮化硅对光的吸收就会增强,所以高折射率、高消光系数的薄膜不适合作为减反膜,但是相应地增加硅的含量,表面钝化作用呈现增强趋势[1]。为了兼顾氮化硅膜层的钝化和减反射效果,对于多晶太阳电池普遍采用双层氮化硅膜的减反射膜层,即先淀积一层高折射率的氮化硅可以更好地钝化太阳电池的表面,然后生长低折射率的氮化硅用于降低表面反射率,从而有效的提高了太阳电池的光电转换效率。理论上采用多层氮化硅减反射膜层通过不断降低折射率,能够更好的钝化太阳电池表面和降低表面反射率[2]。本文研究的是利用PECVD制作三层氮化硅膜以及其对多晶太阳电池的影响。

1 实验

本实验采用156×156多晶硅片,电阻率1~3Ω・cm,厚度180 um的P型硅片,所有硅片除PECVD工艺外,其它都经过相同的处理过程。首先硅片经过HF和HNO3的混合溶液进行制绒,然后经过820 ℃~870 ℃的POCl3 扩散,接着进行湿法刻蚀去背结。再经过管式PECVD制作氮化硅减反射膜,PECVD过程中分别采用传统双层膜工艺和本文设计的三层膜工艺各做一组实验,采用Sentech的SE400测试监控氮化硅膜的折射率以及厚度。传统双层氮化硅膜工艺:第一层膜(与硅表面接触的那一层)折射率为2.3左右,厚度为30 nm,第二层膜折射率为2.0左右,厚度为55 nm;本文设计的三层膜结构为第一层膜折射率为2.35以上,厚度为10 nm,第二层氮化硅薄膜的折射率为 2.15左右,厚度为25 nm,第三层氮化硅薄膜的折射率为2.0以内,厚度为50 nm。PECVD镀完膜厚,通过反射率测试仪分别对采用双层和三层氮化硅膜工艺的实验片在波长300~1200 nm之间进行反射率测试,用WT2000少子寿命测试仪分别对采用双层和三层氮化硅膜工艺的实验片进行少子寿命抽测,抽测样片数量为实验总片数的10%。最后经过丝网印刷制作背电场及前后电极并进行烧结做成电池片,在光照AM1.5,温度25℃的条件分别测试两组实验片的电性能。

2 结果与讨论

通过反射率测试仪分别采用双层氮化硅膜和三层氮化硅膜工艺所做实验片进行反射率测试,波长选择300~1200 nm,反射率曲线如图1所示。可以看出在短波部分(300~500 nm)三层氮化硅比双层氮化硅膜具有更低的反射率。可能是由于折射率从硅片表层向外逐渐递减三层氮化硅膜,能使入射的太阳光在内部多次反射和干涉,更大程度的增加了入射光的吸收,达到更好的减反射效果。

通过WT2000少子寿命测试仪对双层氮化硅膜和三层氮化硅膜两种镀膜工艺所做实验片镀膜前后的少子寿命进行监测,抽测样片数量为实验总片数的10%,并计算出镀膜前后少子寿命的增加量,根据统计发现三层氮化硅膜镀膜前后的少子寿命增加量比双层氮化硅膜的高。采用双层氮化硅膜工艺的实验片的少子寿命增加量的平均值为7.2 us,采用三层氮化硅膜工艺的实验片少子寿命的增加量平均值为12.7 us。分析原因应该是由于三层氮化硅膜底层的氮化硅膜层(即与硅片表面接触的那层氮化硅膜层)对硅片表面钝化和体内钝化的更好,所以镀膜前后的少子寿命增加量比较大,少子寿命的提升有利于太阳电池开路电压的提高。

将双层和三层氮化硅膜所做的太阳电池分别进行电性能测试,结果见表1。从表1中看出,三层膜的太阳电池的开路电压比双层膜的提高2 mV,另外三层膜太阳电池的短路电流也比双层膜的提高了0.05 A。分析原因开路电压的提高应该与三层氮化硅膜的少子寿命高于双层膜,钝化效果较好有关;而短路电流的提升主要是由于三层膜的实验片短波部分反射率较双层膜的低,从而增加了光的吸收,所以短路电流略有提高。开路电压与短路电流的提升,最终使三层氮化硅膜多晶太阳电池比传统双层膜的光电转换效率提高了0.15%。

3 结论

在太阳电池的产业化中利用PECVD对多晶硅片进行沉积氮化硅减反射膜,采用三层氮化硅膜工艺能更好的整合氮化硅膜层的减反射效果与体表面的钝化效果。更高的底层折射率的氮化硅膜具有更好的体表面钝化效果,可以进一步提高太阳电池的开路电压,折射率逐渐降低的三层氮化硅膜层能更好的降低太阳电池短波部分的反射率,提高太阳电池的短路电流,批量实验表明三层氮化硅膜的多晶太阳电池转换效率较双层膜的有所提升,所以多晶太阳电池采用三层氮化硅减反射膜比双层氮化硅减反射膜更有利于提高太阳电池的光电转换效率。

参考文献