前言：中文期刊网精心挑选了半导体的发展范文供你参考和学习，希望我们的参考范文能激发你的文章创作灵感，欢迎阅读。
半导体的发展范文1
综合半导体厂商的声音
作为曾经半导体行业的霸主，诸多综合半导体厂商近年来逐渐收缩自己的产业线，集中优势在某几个具有突出优势的技术领域，确保企业的利润维持在较高水平。
英飞凌科技
英飞凌科技(中国)有限公司总裁兼执行董事尹怀鹿认为，在功率电子领域，发展的主要驱动力是提高能效和功率密度，比如降低导通电阻和开关损，耗。封装技术也是实现差异化的一个重要方面。依靠XT这种新的IGBT模块连接技术，英飞凌进行了一系列创新。，XT技术将IGBT模块的使用寿命提高10％，这对于如商用车以及风能发电站等强大应用来说尤其重要。
2011年，莫飞凌将继续专注于三个领域；高能效、移动性和安全性。英飞凌拥有功率半导体、功率模块、模拟IC、传感器、微控制器、芯片卡和安全IC等完善产品，在汽车、电源、芯片卡等目标市场排名靠前，并相信这些市场将在2011年一如既往地为公司带来市场机会。为了应对汽车电子系统的挑战，英飞凌开发了汽车级的IGBT模块。这些汽车专用的IGBT模块充分考虑了以上的技术挑战、在设计和生产时作出了充足的保护安排，在认证和测试时也进行了全面的考虑。英飞凌预计，2011年新能源的发展将进一步加速、尤其是风能和太阳能。
在家电、开关电源系统(sMPS)和照明领域，向更高的能源效率发展以降低能源消耗的趋势非常明显。
飞思卡尔
飞恩卡尔半导体副总裁兼亚洲区总经理汪凯博士介绍，混合动力系统正在经历快速的发展和变化，公司正在积极地利用MCU和模拟方面的技术帮助客户开发这类产品。在安全方面，安全气囊、稳定控制、压力监测等被动安全系统得到了进一步的部署。未来几年内，主动安全系统，如盲点检测、自适应巡航控制、车道偏离警告以及交通标志和基础架构检测、车对车通信等将成为主流趋势。汽车市场中令人瞩目的增长领域之一就是信息娱乐和驾驶员信息系统，如语音通信和影院级视听娱乐系统。这些都会对消费者购买决策产生较大影响。
飞思卡尔微处理器的一项关键应用就是提高能源效率。众所周知。能源效率是工程设计人员面临的最严峻的挑战之一，中国政府正在大力投资建设新的发电厂，以及发展风能、太阳能等可再生能源。要利用这些新型能源、需要一种智能电网来处理可再生能源的混合发电。智能电表将成为在家庭、企业和公用事业公司之间建立互联智能的重要一步。目前，全球对基础设施的投资已经超过2万亿美元。展望未来，这种互联智能将实现设备的协同工作，改善家庭、工厂和公用事业的配电效率。随着人口的持续增长和人们生活水平的提高，对于更加便携的媒体设备的要求也在持续增长。此外，智能家庭网络与新的个人医疗器件连接的需求也在不断增加。
恩智浦
恩智浦半导体总裁兼首席执行官Rick Clemmer总结了推动电子产品增长的四大宏观趋势。能效不断提高；价格合理及个性化医疗保健；舒适、高效及安全的移动设施；以及低功耗，针对不同用途的安全应用。通过芯片创新，半导体行业为确保这些宏观趋势的需求得以满足、使这些新型智能应用成为现实的作用至关重要。每一个趋势需求下都有一些急需突破的新的热门技术，虽然这些技术目前还处于不同的发展阶段，但都旨在改变我们日常生活中的各处应用。尤其值得一提的是，近距离无线通信(NFC)技术在智能手机中的应用可将手机变为钱包。诺基亚公司已经公开宣布，2011年其将推出的所有智能手机中都会包含NBC功能。另外一个增长领域是高性能射频技术，主要是无线基站的开发，以使支持无线连接终端和所传输的数据量持续激增。此外、取代白炽灯泡的可调光、节能紧凑型荧光灯(CFL)使用的IC驱动器也将会是2011年的一个增长领域。
高性能混合信号技术对于实现新摩尔定律领域的新一代半导体创新至关重要，高性能混合信号是指一类能够充分利用数字与模拟世界优势的产品及基于处理模拟和数字两种信号的优化混合。有效处理现实世界中信号的能力有赖于射频技术、模拟背板的高电压、电源以及数字处理能力。当优化的工艺与封装技术相结合时，我们就可实现高性能、高效率和多用途。
富士通半导体
近两年，随着中国政府扩大内需等一系列政策的成功实施，半导体市场也保持着强劲的增长势头。2011年富士通半导体亚太区市场部副总裁郑国威持续看好汽车、消费电子、LED照明，可再生资源，LTE／4G终端，锂电池、物联网等应用。从科技发展角度看，富士通将持续看好新能源开发、节能电源管理、变频技术、LTE以及USB3.0等技术的发展。随着便携装置小型化多功能的发展趋势，节能、绿色电源的呼声越来越高，要求电源管理技术必须提高电源效率、降低待机功耗，向智能化、数字化方向发展。这主要表现在以下几个方面：一是电源管理芯片的智能化，纯模拟的电源管理芯片已经很难满足更多的智能化控制和小型化要求，与微控制器逐步实现整合将会是一个趋势：二是数字电源依然是一个发展方向，虽然现有数字电源还有一定的技术瓶颈有待突破，但相信只是时间问题；三是应用方面主要体现在耐高压和超高压的需求增长迅猛，特别是在节能环保方面，如LBD和太阳能相关应用。最后就趋势来看动力电池中的锂电池对电源管理要求极高，随着市场的不断升温，大规模锂电池组将会推动新一轮的电源管理芯片研发热潮。
在汽车电子领域，重点关注的市场应用包括电机控制、电子助力转向系统、夜视系统、线控等应用。在数字电视领域，富士通认为在未来5年内将会有更多的新技术应用到电视／机顶盒中，如3D、视频电话、WiFi无 线、DLNA等。
模拟电源
由于模拟和电源技术的特殊性，因此在这次金融危机过程中，受到的冲击反而最小，甚至很多公司逆势上扬，保持高额的盈利。在恢复期，这些专注模拟和电源技术的厂商又有哪些新的战略侧重?
凌力尔特
半导体市场和模拟产品具有真正的国际性。新兴市场的发展和工业化、带宽需求的增长以及行业专注于提高能效，这些因素都将继续促进半导体行业的全球化。凌力尔特公司首席执行官Lothar Maier坦言，从公司的角度来看，市场增长的驱动力将来自工业、通信和汽车市场。发展中国家正在建设工业基础设施。而发达国家正在重建工业基础设施，以提高生产率和效率。目前人们预测，模拟市场中的工业市场段将以近35％的增长率增长。而且由于需要对工业基础设施持续投资，因此工业市场段还将是增长最快的模拟市场中细分市场之一。
通过有线和无线网络传播的话音、数据和视频内容日益增多，这持续不断地促进对更多通信带宽的需求，因此通信市场的增长也将比市场的总体增长快。由于通信市场努力追求更高的性能、集成度、灵活性和能效，因此这个市场非常重视产品创新。通信市场现在已经发展成一个全球市场了。新兴市场正在建立GSM网络，3G网络越来越多地支持数据和视频，以适合智能电话和平板电脑，4G／LTB网络正在建设中，这些都推动着通信技术不断进步。
最后是汽车市场。汽车市场有可能成为使模拟产品市场增长的重要市场，而且该市场需要能在严酷的汽车环境中工作的、独特的模拟产品。汽车市场需要能改进行车安全、驾驶员舒适度和方便性、以及燃料利用效率的产品，对这类产品的需求出现了爆炸性的增长。
美国国家半导体
美国国家半导体总裁兼首席执行官Donald Macleod将产品重点专注于两大市场：其一是广大的工业产品市场，其中包括工厂自动化系统、测试和测量设备、以及汽车电子系统等产品：另一个关注热点是无线手机及个人移动设备的产品市场。此外，我们认为从中长线的发展角度来看。太阳能系统、LED照明系统和电池管理系统等产品市场具有较大的发展潜力。目前的市场发展趋势显示，半导体产品必须具备高能源效率及易于使用这两大优点，才可满足市场需求。越来越多的企业希望他们的电子系统能进一步减少能耗，以及产生更少热能。此外，他们也想尽快将新产品推出市场。其实这个梦想也不难实现，因为他们只要采用一些较易融入系统设计的元器件，并借助各种网上及离线式设计工具，便可轻易完成系统设计，迅速将产品推出市场。这些需求是带动市场发展的动力，而美国国家半导体在这些方面都有技术优势，可以轻易满足这些需求。
ADI
ADI亚太区行业市场总监周文胜比较看好两个支柱产业，两个新兴产业和一个机会产业。两个支柱产业：通信和基础建设(包括智能电网、交通、公路建设等)。两个新兴产业：汽车电子和医疗电子。一个机会产业：就是消费电子，消费电子产品的变化蕴藏了巨大的成长机遇。
未来感知器和人机界面的需求会越来越多，同时对转换器的需求也不仅仅在应用领域，而是会创造出更多更新的可能性。就医疗电子来说，通过高精度的转换器或者通过提升转换器的其他性能，可以让医生看到心脏里面的微小血管。从切面组合起来的立体图来判断心脏的微小血管中有没有堵塞，堵塞点的确切位置以及造成堵塞的原因。这些相辅相成的技术很大程度上取决于灵敏度更高的感知器和分辨率更高、速度更快的转换器技术。高性能多通道转换器是未来转换器技术的大趋势。更多特性及功能被集成到转换器中，以便将最终系统中的总体元件数量减至最少。
这些应用领域将呈现出更多出色和新兴的功能，同时追求更低功耗。这种看似不一致的趋势将一直持续，原因不仅是电池供电消费产品的推动、因为诸如手持式超声设备和智能水表等各种各样的设备向便携化发展：此外，即使非便携的市电供电设备也呈现这个趋势，因为当今的市场环境强调通过“绿色”设计来满足全球性的节能降耗要求，降低整体系统功耗。并减少运行成本和拥有成本。
Triqujnt
无线技术的发展与普及，给RF厂商广阔的市场机遇，特别是随着无线传输速率不断提升，对RF器件的要求也愈发严格。TriQuint公司利用先进流程，采用砷化镓、SAW(表面声波)、BAW(体声波)技术等，制造标准和定制产品，为包括无线电话、基站、宽频通信和国防等应用领域提供解决方案，凭借先进的技术、产品与服务确立了自己在射频设计领域的领先地位。其元器件具有设计周期更快、性能更高、零件数量更少以及解决方案总成本更低的特点。
Triquint中国区总经理熊挺介绍，Trlquint一直强调以模拟技术领先为核心，力争在频域、线性和功耗等几个方面将射频性能做到最好，以满足客户的性能要求。作为少数几个可以做全射频解决方案(包括功放、开关和滤波器)的公司，可以更好地迎合各种标准和客户的具体要求，提供给客户完整、高效、低成本的全射频产品模块解决方案。为了应对后3G甚至4G时代更高速射频传输吞吐量对射频模块要求的重要技术创新，Triquint一方面通过工艺的研发解决了最重要的线性问题挑战，另一方面则提升了核心产品的效率，如推出支持所有3G频率的单个PA(功放)，不仅节省了宝贵的板上空间，而且简化了设计。同时，Triquint还致力于提供更高性能的基站末级放大产品的研发，更有效适应3G对不同基站的产品需求。
嵌入式系统与FPGA
嵌入式系统是近年来发展最为迅速的半导体产品，也是最接近消费者的半导体应用芯片。在未来10年内，必将保持着长期持久旺盛的增长空间。
Microchip
Microchip全球销售与应用副总裁Mitch Little介绍，半导体行业的各项运营指标都稳定保持在较高的水平，并伴有正常的季节性趋势变化，对于2011年的预期出货量，则众说纷纭。我的看法是，世界经济已经步入了一种全球范围内的低增长模式，2011年半导体行业整体出货量大致会增长5％～10％。
这样的趋势促使市场对功能更强。外形更小的产品的需求源源不断。对半导体产品的基本要求还有降低功耗，延长电池寿命，以及采用更加直观的显示技术。
医疗创新为明年的市场发展提供了良好前景。由于本年度全球范围内新汽车的产量迅猛增加，车用半导体在市场中的份额会持续增长。随着智 能手机的发展和平板产品的扩大，消费类移动电子设备的数量急剧上升，不难预计，这必将推动对嵌入式半导体产品的持续需求。为了推进这些应用的增长，半导体制造商需要持续在窖户新产品开发周期中的所有环节提供极高水准的技术支持，帮助客户缩短其产品上市H寸间，在低风险环境下开发其产品，并降低其系统总成本。赛灵思
赛灵思非常看好FPGA技术的发展，因为：
1.全球经济、技术和市场力量的共同作用开创了一个全新的电子时代，可编程性成为世界级系统公司有效开展竞争的必备条件。在这样一个市场机会不断萎缩、市场需求反复无常、工程预算受到诸多限制、ASIC和ASSP的一次性工程成本日益攀升、以及复杂性和风险不断增加的商业环境中，可编程平台已经成为企业满足日益苛刻的产品需求的唯一可行途径。
2.这种趋势在各种不同的最终市场中都可以看到，包括航空航天、汽车、消费电子、工业、医疗、科技、有线及无线通信。
3.FPGA尤其适合于高端DSP和网络处理应用。需要实时处理的数据量猛增。给传统处理器架构带来了数据传输瓶颈。相比之下，FPGA采用分布式存储架构，能够使数据尽可能地接近算术和逻辑，同时保证比传统处理器大若干数量级的存储带宽。再结合各种软件和工具，FPGA可以在每个电子器件中实现可编程性、性能、连接和高能效。
展望未来，FPGA行业的市场前景一片光明。IC lnsight预测。在2010年，该行业的市场增长率将在45％以上，达到48亿美元。而到2014年，这个是市场将进一步增加到70亿美元，相比2009年增加一倍多，是整个半导体行业增速最快的第三位。
睐迪思
莱迪思半导体公司总裁兼首席执行官Darin G.Billerbeck预计2011年可编程逻辑行业将会有四大主流趋势。第一大趋势是多功能、低成本、低功耗且能够提供强大的性能和先进功能的可编程器件市场将继续增长。
第二大趋势将是电路板日趋复杂，这使得传统的功耗和电路板管理方法一一使用多种分立元件一一变得笨拙且不可靠。电路板和系统设计人员现在转而使用可编程这个唯一可行的方式来处理这种复杂性。
2011年的第三大趋势是将会有越来越多的人认识到，大多数客户既不需要也不会受益于基于最先进的工艺节点和最快速度SerDes的超高密度FPGA。这一趋势将推动低成本、低功耗FPGA在各种传统有线和无线应用市场的快速普及。
最后，在2011年，使用更小的工艺节点，如40nm和28nm制造技术，仍将成为可编程逻辑器件的一大热点。然而，与其他“先进”的特性相同，大多数客户并不需要基于这类更小工艺节点制造的高速器件。事实上，使用小工艺节点并不会自动降低器件功耗或价格一可编程逻辑市场的两大趋势。
医疗电子
随着人们对健康的关注度逐渐提升，与健康有关的医疗电子市场将保持持久旺盛的市场需求，艾默生网络能源公司嵌入式计算事业部嵌入式医疗技术全球业务总监Clayton Tucker认为， “数字化医疗”时代正向我们走来，主要表现在两个方面：数字化的医疗设备和数字化的网络信息系统。所谓数字化的医疗设备，即数据采集、处理、存储与传输等过程均以计算机技术为基础，在计算机软件下工作的医疗设备，如CT、MILl、彩超、数字X线机(DR)等医疗设备，这些设备可以将所采集的信息进行存储、处理及传送。网络信息系统以医院信息管理系统(HIS)、电子病历(EMR)、实验室信息管理系统(LIS)、医学影像系统(PACs)以及放射信息管理系统(RIS)为主要应用的综合性信息系统。随着医疗数据规模的直线攀升，为了有效存储、传输和利用相关数据，医疗数据中心纷纷建立，并逐渐成为医院业务的重要支撑。
展望2011，ClaytonTucker认为，公司首先会在领先的医疗影像领域继续发挥多年的优势，抓住市场机遇，同时将医疗设备推广到更多的中小诊所应用，甚至个人用户的健康终端，比如致力于超声系统的平民化和家庭移动监护设备等。另一方面则是医疗信息系统的构建，特别是对于中国这样的医疗资源缺口严重的国家，提升医疗信息化建设是短期内提高就医效率、扩大辐射人群、有效提升全民素质的关键。通过专业化的定制平台，艾默生可以帮助客户节省6-18个月的产品研发周期。
车用连接器
电动汽车的出现带给了整个汽车电子产业全新的机遇，特别是车用连接器市场的发展。因应汽车电子设备的发展，连接器是车用器件中发展最快的市场，德尔福不仅致力于车用连接器市场的研发，更是将中国作为其全球连接器产品的总部和生产基地。
德尔福公司亚太区兼中国区总裁、连接器系统全球总裁艾博彬将汽车电子消费市场概括为三大趋势――绿色、安全，连通。其中汽车的动力总成、电路数据转向、不同电压下的直流／交流转换器等等都需要连接器来帮助，而且连接器不仅要传输电能还要传输信号。在生活中有各种各样的长波，针对如何准确地传递信号，德尔福有独有的滤波技术，这对控制器本身的设计、性能以及强度的提升会大有帮助。
为适应全球的环境挑战。要减少燃油性汽车的使用，使用混合动力汽车甚至使用全电动汽车对连接器有很高的要求。德尔福为连接器做了防护和电磁兼容的优化设计，使得大电流杂波不会散发出来。连接器拥有高电压互锁回路，有效防止高电压的电弧损伤。值得一提是CODA全电动车的高压电气中心，这个产品是高压配套系统，该产品是中国团队本土研发、本土生产并将销往美国的一项产品，真正实现了中国技术向海外的输出。汽车安全方面，引擎控制模块可以传输引擎的状态以及驾驶员油门的信号，通过传输优化信号，使得引擎寿命延长。电子探测雷达模块可以探测信号：安全气囊的乘客检测控制连接器将会自动识别座位上乘客的情况，并将信号传递给安全气囊。在连通方面，为满足客户需求，德尔福为连接器开发了高速数据传输功能，并且能够确保其寿命与汽车保持一致。目前，在一部高端混合动力和纯电动汽车上，连接器产品的价值高达300美元以上。
存储
过去几年，存储器市场经历了前所未有的低潮，在一场拼血存活的角逐之后，终于迎来了产业的又一次盈利。诚然，大浪淘沙之后，产业格局也已经物是人非。
美光(Microm)科技全球销售副总裁Mark Adams认为客户期望美光更好地了解他们本身的应用需求，确保存储器解决方案符合他们的要求，在更爹睛况下，帮助他们解决技术难题。从规模上看，手机特别是智能手机使 消费习惯发生一次巨变，给参与这个市场上的众多企业带来巨大商机。
2011年，美光将会获得很多与以往的只专注台式机、服务器和网络设备略有不同的战略性市场机遇。其中固态硬盘(SSD)继续酝酿巨大商机。固态硬盘细分为两个市场：客户级固态硬盘和企业级固态硬盘。两种产品都有各自的特色和规格，最终会给这两个市场的参与者创造赢利机会。
虽然存储器市场不乏有前景的技术，但是Mark认为只有相变存储器(PCM)才能真正解决客户今天遭遇的和未来面临的手机存储器和固态硬盘的性能问题，2010年收购恒忆让美光获得了业内独一无二的技术和产品组合。在NAND闪存市场的领先地位让美光能够为手机和嵌入式市场研发强大的产品组合。美光的产品开发计划涵盖消费电子和通信／网络等不同的目标市场。
随着近几年存储器市场趋于成熟，扩展产品组合成为美光的一条核心战略。美光感觉，在满足客户需求方面，技术单一的企业难以抗衡多元化解决方案提供商。
半导体制造
摩尔定律一直在前进，半导体的生产工艺也不断前行，2011年整个半导体的工艺又将提升一代。随着产能需求的提升，半导体设备和制造厂商也纷纷瞄准全新的机遇。
台积电(中国)有限公司总经理陈家湘相信高效能、低耗电及更微小尺寸将是未来半导体技术的三大发展趋势。因为目前便携式电子产品已成为市场主流，因此集成电路的尺寸势必朝更微小化发展，而且还须配备低耗电、更长效电池与更高效能的处理器，来快速处理更大量的运算需求。因此需要更先进的制程技术来制造更快速、更低临界电压㈤、更低漏电的更小元件。
TSMC未来除了会继续向摩尔定律推进外，同时也会在超越摩尔定律(More than Moore's)方面发展特殊技术，以满足客户更多样的需求。在摩尔定律方面，28nm技术将是未来一、二年半导体尖端的技术。由于Gate，Last(闸极最后)技术具有同时兼顾P，型及N－型晶管体临界电压(vt)调整的最佳优势，TSMC已宣布在高效能及低耗电制程，为客户采用Gate-Last技术。在超越摩尔定律方面。TSMC目前也积极发展特殊技术以因应客户在芯片功能上的多样要求。
此外，TSMc也积极钻研先进封装技术，例如仲介层(Interposer)以及三维芯片(3D Ic)的发展。2010年，TSMC已为客户的28nm FPGA是供了最先进的硅穿孔(Through SiliconVia)以及硅仲介层(sflicon Interposer)的芯片验证(prototyping)服务。
制造厂非常看好未来的前景，为其提供设备的设备厂自然应对客户的需求，不断提高自己产品的性能。
应用材料公司推出Applied CentrisAdvantEdge Mesa高度智能化与速度最快的硅蚀刻系统，适用于最先进的存储器和逻辑芯片的量产制造。Centris系统有8个制程反应室，包含6个蚀刻制程反应室和2个电浆清洗制程反应室，让系统每小时能处理180片晶圆，促使单片晶圆的成本最多可减少30％。与市场现有的半导体蚀刻系统相比，Centris系统每年所节省的电力、水和天然气消耗，基本上相当于3吨左右的二氧化碳排放量。
科天(KLA-Tencor)中国区技术总监任建字博士介绍，半导体技术的不断演进，让半导体制造的良率品质管理越来越复杂。作为最精密的生产工艺，10年来半导体制造的检测精度增加了10倍多，现在已经必须达到1个原子大小的精度才能保证最后的良率出色。特别是当光波长小于193nm之后，容易产生雾状现象加大了对光刻系统检测的难度。这就需要对掩膜板进行更好的检测。针对28nm和2.2nm设备，科天完善了其Tera系列产品。男一方面，在45nm工艺以后，与代工厂合作参与设计过程的检测，将设计信息加载到检测基台上，能够更有效检测缺陷发生在哪里，是否可以修复等问题，从而提高检溯效率。
半导体的发展范文2
在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带eg2.3ev的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。
关键词
半导体材料;多晶硅;单晶硅;砷化镓;氮化镓
1前言
半导体材料是指电阻率在107Ωcm10-3Ωcm，界于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料[1]，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。电子信息产业规模最大的是美国和日本，其2002年的销售收入分别为3189亿美元和2320亿美元[2]。近几年来，我国电子信息产品以举世瞩目的速度发展，2002年销售收入以1.4亿人民币居全球第3位，比上年增长20，产业规模是1997年的2.5倍，居国内各工业部门首位[3]。半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。
半导体材料的种类繁多，按化学组成分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体;按组成元素分为一元、二元、三元、多元等;按晶态可分为多晶、单晶和非晶;按应用方式可分为体材料和薄膜材料。大部分半导体材料单晶制片后直接用于制造半导体材料，这些称为“体材料”;相对应的“薄膜材料”是在半导体材料或其它材料的衬底上生长的，具有显著减少“体材料”难以解决的固熔体偏析问题、提高纯度和晶体完整性、生长异质结，能用于制造三维电路等优点。许多新型半导体器件是在薄膜上制成的，制备薄膜的技术也在不断发展。薄膜材料有同质外延薄膜、异质外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等。
在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓、砷化铟、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料;而将宽禁带eg2.3ev的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料[4]。上述材料是目前主要应用的半导体材料，三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。本文沿用此分类进行介绍。
2主要半导体材料性质及应用
材料的物理性质是产品应用的基础，表1列出了主要半导体材料的物理性质及应用情况[5]。表中禁带宽度决定发射光的波长，禁带宽度越大发射光波长越短蓝光发射;禁带宽度越小发射光波长越长。其它参数数值越高，半导体性能越好。电子迁移速率决定半导体低压条件下的高频工作性能，饱和速率决定半导体高压条件下的高频工作性能。
硅材料具有储量丰富、价格低廉、热性能与机械性能优良、易于生长大尺寸高纯度晶体等优点，处在成熟的发展阶段。目前，硅材料仍是电子信息产业最主要的基础材料，95以上的半导体器件和99以上的集成电路ic是用硅材料制作的。在21世纪，可以预见它的主导和核心地位仍不会动摇。但是硅材料的物理性质限制了其在光电子和高频高功率器件上的应用。
砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍多，其器件具有硅器件所不具有的高频、高速和光电性能，并可在同一芯片同时处理光电信号，被公认是新一代的通信用材料。随着高速信息产业的蓬勃发展，砷化镓成为继硅之后发展最快、应用最广、产量最大的半导体材料。同时，其在军事电子系统中的应用日益广泛，并占据不可取代的重要地位。
gan材料的禁带宽度为硅材料的3倍多，其器件在大功率、高温、高频、高速和光电子应用方面具有远比硅器件和砷化镓器件更为优良的特性，可制成蓝绿光、紫外光的发光器件和探测器件。近年来取得了很大进展，并开始进入市场。与制造技术非常成熟和制造成本相对较低的硅半导体材料相比，第三代半导体材料目前面临的最主要挑战是发展适合gan薄膜生长的低成本衬底材料和大尺寸的gan体单晶生长工艺。
主要半导体材料的用途如表2所示。可以预见以硅材料为主体、gaas半导体材料及新一代宽禁带半导体材料共同发展将成为集成电路及半导体器件产业发展的主流。
3半导体材料的产业现状
3.1半导体硅材料
3.1.1多晶硅
多晶硅是制备单晶硅和太阳能电池的原料，主要生产方法为改良西门子法。目前全世界每年消耗约18000t25000t半导体级多晶硅。2001年全球多晶硅产能为23900t，生产高度集中于美、日、德3国。美国先进硅公司和哈姆洛克公司产能均达6000t/a，德国瓦克化学公司和日本德山曹达公司产能超过3000t/a，日本三菱高纯硅公司、美国memc公司和三菱多晶硅公司产能超过1000t/a，绝大多数世界市场由上述7家公司占有。2000年全球多晶硅需求为22000t，达到峰值，随后全球半导体市场滑坡;2001年多晶硅实际产量为17900t，为产能的75左右。全球多晶硅市场供大于求，随着半导体市场的恢复和太阳能用多晶硅的增长，多晶硅供需将逐步平衡。
我国多晶硅严重短缺。我国多晶硅工业起步于50年代，60年代实现工业化生产。由于技术水平低、生产规模太小、环境污染严重、生产成本高，目前只剩下峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅厂2个厂家生产多晶硅。2001年生产量为80t[7]，仅占世界产量的0.4，与当今信息产业的高速发展和多晶硅的市场需求急剧增加极不协调。我国这种多晶硅供不应求的局面还将持续下去。据专家预测，2005年国内多晶硅年需求量约为756t，2010年为1302t。
峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅厂1999年多晶硅生产能力分别为60t/a和20t/a。峨嵋半导体材料厂1998年建成的100t/a规模的多晶硅工业性生产示范线，提高了各项经济技术指标，使我国拥有了多晶硅生产的自主知识产权。该厂正在积极进行1000t/a多晶硅项目建设的前期工作。洛阳单晶硅厂拟将多晶硅产量扩建至300t/a，目前处在可行性研究阶段。
3.1.2单晶硅
生产单晶硅的工艺主要采用直拉法cz、磁场直拉法mcz、区熔法fz以及双坩锅拉晶法。硅晶片属于资金密集型和技术密集型行业，在国际市场上产业相对成熟，市场进入平稳发展期，生产集中在少数几家大公司，小型公司已经很难插手其中。
目前国际市场单晶硅产量排名前5位的公司分别是日本信越化学公司、德瓦克化学公司、日本住友金属公司、美国memc公司和日本三菱材料公司。这5家公司2000年硅晶片的销售总额为51.47亿元，占全球销售额的70.9，其中的3家日本公司占据了市场份额的46.1，表明日本在全球硅晶片行业中占据了主导地位[8]。
集成电路高集成度、微型化和低成本的要求对半导体单晶材料的电阻率均匀性、金属杂质含量、微缺陷、晶片平整度、表面洁净度等提出了更加苛刻的要求详见文献[8]，晶片大尺寸和高质量成为必然趋势。目前全球主流硅晶片已由直径8英寸逐渐过渡到12英寸晶片，研制水平达到16英寸。
我国单晶硅技术及产业与国外差距很大，主要产品为6英寸以下，8英寸少量生产，12英寸开始研制。随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求的增加，我国单晶硅产量逐年增加。据统计，2001年我国半导体硅材料的销售额达9.06亿元，年均增长26.4。单晶硅产量为584t，抛光片产量5183万平方英寸，主要规格为3英寸6英寸，6英寸正片已供应集成电路企业，8英寸主要用作陪片。单晶硅出口比重大，出口额为4648万美元，占总销售额的42.6，较2000年增长了5.3[7]。目前，国外8英寸ic生产线正向我国战略性移动，我国新建和在建的f8英寸ic生产线有近10条之多，对大直径高质量的硅晶片需求十分强劲，而国内供给明显不足，基本依赖进口，我国硅晶片的技术差距和结构不合理可见一斑。在现有形势和优势面前发展我国的硅单晶和ic技术面临着巨大的机遇和挑战。
我国硅晶片生产企业主要有北京有研硅股、浙大海纳公司、洛阳单晶硅厂、上海晶华电子、浙江硅峰电子公司和河北宁晋单晶硅基地等。有研硅股在大直径硅单晶的研制方面一直居国内领先地位，先后研制出我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为40。2000年建成国内第一条可满足0.25μm线宽集成电路要求的8英寸硅单晶抛光片生产线;在北京市林河工业开发区建设了区熔硅单晶生产基地，一期工程计划投资1.8亿元，年产25t区熔硅和40t重掺砷硅单晶，计划2003年6月底完工;同时承担了投资达1.25亿元的863项目重中之重课题“12英寸硅单晶抛光片的研制”。浙大海纳主要从事单晶硅、半导体器件的开发、制造及自动化控制系统和仪器仪表开发，近几年实现了高成长性的高速发展。
3.2砷化镓材料
用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的lec法液封直拉法和hb法水平舟生产法。国外开发了兼具以上2种方法优点的vgf法垂直梯度凝固法、vb法垂直布里支曼法和vcz法蒸气压控制直拉法，成功制备出4英寸6英寸大直径gaas单晶。各种方法比较详见表3。
移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷化镓晶片市场以30的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场，预计未来20年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大的生产国和输出国，占世界市场的7080;美国在1999年成功地建成了3条6英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先一步。日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售商，年产gaas单晶30t。美国axt公司是世界最大的vgf
gaas材料生产商[8]。世界gaas单晶主要生产商情况见表4。国际上砷化镓市场需求以4英寸单晶材料为主，而6英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据35以上的市场份额。研制和小批量生产水平达到8英寸。
我国gaas材料单晶以2英寸3英寸为主，
4英寸处在产业化前期，研制水平达6英寸。目前4英寸以上晶片及集成电路gaas晶片主要依赖进口。砷化镓生产主要原材料为砷和镓。虽然我国是砷和镓的资源大国，但仅能生产品位较低的砷、镓材料6n以下纯度，主要用于生产光电子器件。集成电路用砷化镓材料的砷和镓原料要求达7n，基本靠进口解决。
国内gaas材料主要生产单位为中科镓英、有研硅股、信息产业部46所、55所等。主要竞争对手来自国外。中科镓英2001年起计划投入近2亿资金进行砷化镓材料的产业化，初期计划规模为4英寸6英寸砷化镓单晶晶片5万片8万片，4英寸6英寸分子束外延砷化镓基材料2万片3万片，目前该项目仍在建设期。目前国内砷化镓材料主要由有研硅股供应，2002年销售gaas晶片8万片。我国在努力缩小gaas技术水平和生产规模的同时，应重视具有独立知识产权的技术和产品开发，发展我国的砷化镓产业。
3.3氮化镓材料
gan半导体材料的商业应用研究始于1970年，其在高频和高温条件下能够激发蓝光的特性一开始就吸引了半导体开发人员的极大兴趣。但gan的生长技术和器件制造工艺直到近几年才取得了商业应用的实质进步和突破。由于gan半导体器件在光电子器件和光子器件领域广阔的应用前景，其广泛应用预示着光电信息乃至光子信息时代的来临。
2000年9月美国kyma公司利用aln作衬底，开发出2英寸和4英寸gan新工艺;2001年1月美国nitronex公司在4英寸硅衬底上制造gan基晶体管获得成功;2001年8月台湾powdec公司宣布将规模生产4英寸gan外延晶片。gan基器件和产品开发方兴未艾。目前进入蓝光激光器开发的公司包括飞利浦、索尼、日立、施乐和惠普等。包括飞利浦、通用等光照及汽车行业的跨国公司正积极开发白光照明和汽车用gan基led发光二极管产品。涉足gan基电子器件开发最为活跃的企业包括cree、rfmicrodevice以及nitronex等公司。
目前，日本、美国等国家纷纷进行应用于照明gan基白光led的产业开发，计划于2015年-2020年取代白炽灯和日光灯，引起新的照明革命。据美国市场调研公司strstegiesunlimited分析数据，2001年世界gan器件市场接近7亿美元，还处于发展初期。该公司预测即使最保守发展，2009年世界gan器件市场将达到48亿美元的销售额。
因gan材料尚处于产业初期，我国与世界先进水平差距相对较小。深圳方大集团在国家“超级863计划”项目支持下，2001年与中科院半导体等单位合作，首期投资8千万元进行gan基蓝光led产业化工作，率先在我国实现氮化镓基材料产业化并成功投放市场。方大公司已批量生产出高性能gan芯片，用于封装成蓝、绿、紫、白光led，成为我国第一家具有规模化研究、开发和生产氮化镓基半导体系列产品、并拥有自主知识产权的企业。中科院半导体所自主开发的gan激光器2英寸外延片生产设备，打破了国外关键设备部件的封锁。我国应对大尺寸gan生长技术、器件及设备继续研究，争取在gan等第三代半导体产业中占据一定市场份额和地位。
4结语
不可否认，微电子时代将逐步过渡到光电子时代，最终发展到光子时代。预计到2010年或2014年，硅材料的技术和产业发展将走向极限，第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。我国政府决策部门、半导体科研单位和企业在现有的技术、市场和发展趋势面前应把握历史机遇，迎接挑战。
参考文献
[1]师昌绪.材料大辞典[m].北京化学工业出版社，19941314
[2]http//bjjc.org.cn/10zxsc/249.htm.我国电子信息产业总规模居世界第三.北方微电子产业基地门户网
[3]蓬勃发展的中国电子信息产业.信息产业部电子信息产品管理司司长张琪在“icchina2003”上的主题报告
[4]梁春广.gan-第三代半导体的曙光.新材料产业，2000，53136
[5]李国强.第三代半导体材料.新材料产业，2002,61417
[6]万群，钟俊辉.电子信息材料[m].北京冶金工业出版社，199012
[7]中国电子工业年鉴编委会.中国电子工业年鉴2002[m].
半导体的发展范文3
贯彻落实科学发展观，需要建立体现科学发展观要求的党政领导班子和领导干部综合考核评价体系。《综合考核评价试行办法》以科学发展观作为考核、评价和使用干部的重要指导思想和检验标准，坚持德才兼备、注重实绩、群众公认原则，明确了综合考核评价的指导思想、遵循原则和方法构成，要求综合运用民主推荐、民主测评、民意调查、实绩分析、个别谈话和综合评价等具体方法进行干部综合考核评价。
严格提名程序，扩大民主推荐。《综合考核评价试行办法》指出，选拔任用地方党政领导干部，必须按照《党政领导干部选拔任用工作条例》规定的要求和程序，经过民主推荐提出考察对象。为进一步扩大提名环节的民主，地方党政领导班子换届考察，在全额定向会议投票推荐和个别谈话推荐的基础上，可以根据实际情况，按一定差额比例进行二次会议推荐。
民主测评主要了解领导班子和领导干部履行职责情况及领导干部德才表现。《综合考核评价试行办法》要求对领导班子的民主测评，主要包括政治方向、精神面貌，贯彻科学发展观、执行民主集中制、驾驭全局、务实创新、选人用人、处理利益关系、处置突发事件的能力，经济建设、政治建设、文化建设、社会建设和党的建设，以及党风廉政建设等方面。围绕以上测评内容，设置了“政治鉴别力和敏锐性，大局观念，工作指导思想”、“贯彻科学发展观的自觉性和坚定性，联系本地实际贯彻落实的能力”、“发展速度，发展质量，发展代价”、“思想道德和纪律教育，履行廉政职责，班子自律”等14个评价要点。
对于领导干部的民主测评，《综合考核评价试行办法》按照“德、能、勤、绩、廉”设置测评内容，主要包括政治态度、思想品质，工作思路、组织协调、依法办事、心理素质，精神状态、工作作风，履行职责成效、解决复杂问题、基础建设，廉洁自律等方面。根据以上测评内容，设置了“理想信念，贯彻执行党的路线方针政策的坚定性，政治纪律，理论素养”、“发展观、政绩观，创新意识”、“事业心、责任感，敬业精神，学习态度”、“分管工作完成情况，抓班子带队伍情况”、“遵守廉政规定，对配偶、子女和身边工作人员的教育与要求，接受监督，生活作风”等12个评价要点。
民意调查主要了解对领导班子和领导干部工作成效和形象的社会评价。《综合考核评价试行办法》规定，对地方党政领导班子民意调查的内容主要包括在经济建设、政治建设、文化建设、社会建设和党的建设方面群众直接感受到的工作状态与成效，设置了“群众物质生活改善情况”、“依法办事、政务公开情况”、“公民道德教育情况”、“城乡扶贫济困情况”、“社会治安综合治理情况”、“党的基层组织和党员队伍、干部队伍、人才队伍建设情况”等12个评价要点。
对领导干部的民意调查，主要包括工作作风、履行职责、公众形象等内容，设置了“开拓创新与敬业精神”、“深入基层、联系群众情况”、“分管工作完成情况”、“为群众排忧解难、办实事情况”、“廉洁自律和接受监督情况”、“道德品行”等6个评价要点。
《综合考核评价试行办法》要求对地方党政领导班子及其成员的实绩分析，主要通过有关方面提供的经济社会发展的整体情况和群众的评价意见，重点分析任期内的工作思路、工作投入和工作成效，以充分体现从实绩看德才、凭德才用干部。具体包括上级统计部门综合提供的本地人均生产总值及增长、人均财政收入及增长、城乡居民收入及增长、资源消耗与安全生产、基础教育、城镇就业、社会保障、城乡文化生活、人口与计划生育、耕地等资源保护、环境保护、科技投入与创新等方面的统计数据和评价意见，上级审计部门提供的有关经济责任审计结论和评价意见，还包括群众的评价。
个别谈话是深入了解地方党政领导班子建设状况和领导干部的德才素质的重要途径。《综合考核评价试行办法》进一步改进和完善了个别谈话的方法，要求分别不同情况确定谈话要点，提前发放谈话预告，提高谈话质量。对在现工作单位任职不满两年的拟提拔人选考察对象，还可到其原工作单位采取个别谈话等方式进行延伸考察，同时引入考察组集体面谈的方式，增强了个别谈话的针对性和深入程度。
半导体的发展范文4
贯彻落实科学发展观，需要建立体现科学发展观要求的党政领导班子和领导干部综合考核评价体系。《综合考核评价试行办法》以科学发展观作为考核、评价和使用干部的重要指导思想和检验标准，坚持德才兼备、注重实绩、群众公认原则，明确了综合考核评价的指导思想、遵循原则和方法构成，要求综合运用民主推荐、民主测评、民意调查、实绩分析、个别谈话和综合评价等具体方法进行干部综合考核评价。
严格提名程序，扩大民主推荐。《综合考核评价试行办法》指出，选拔任用地方党政领导干部，必须按照《党政领导干部选拔任用工作条例》规定的要求和程序，经过民主推荐提出考察对象。为进一步扩大提名环节的民主，地方党政领导班子换届考察，在全额定向会议投票推荐和个别谈话推荐的基础上，可以根据实际情况，按一定差额比例进行二次会议推荐。
民主测评主要了解领导班子和领导干部履行职责情况及领导干部德才表现。《综合考核评价试行办法》要求对领导班子的民主测评，主要包括政治方向、精神面貌，贯彻科学发展观、执行民主集中制、驾驭全局、务实创新、选人用人、处理利益关系、处置突发事件的能力，经济建设、政治建设、文化建设、社会建设和党的建设，以及党风廉政建设等方面。围绕以上测评内容，设置了“政治鉴别力和敏锐性，大局观念，工作指导思想”、“贯彻科学发展观的自觉性和坚定性，联系本地实际贯彻落实的能力”、“发展速度，发展质量，发展代价”、“思想道德和纪律教育，履行廉政职责，班子自律”等14个评价要点。
对于领导干部的民主测评，《综合考核评价试行办法》按照“德、能、勤、绩、廉”设置测评内容，主要包括政治态度、思想品质，工作思路、组织协调、依法办事、心理素质，精神状态、工作作风，履行职责成效、解决复杂问题、基础建设，廉洁自律等方面。根据以上测评内容，设置了“理想信念，贯彻执行党的路线方针政策的坚定性，政治纪律，理论素养”、“发展观、政绩观，创新意识”、“事业心、责任感，敬业精神，学习态度”、“分管工作完成情况，抓班子带队伍情况”、“遵守廉政规定，对配偶、子女和身边工作人员的教育与要求，接受监督，生活作风”等12个评价要点。
民意调查主要了解对领导班子和领导干部工作成效和形象的社会评价。《综合考核评价试行办法》规定，对地方党政领导班子民意调查的内容主要包括在经济建设、政治建设、文化建设、社会建设和党的建设方面群众直接感受到的工作状态与成效，设置了“群众物质生活改善情况”、“依法办事、政务公开情况”、“公民道德教育情况”、“城乡扶贫济困情况”、“社会治安综合治理情况”、“党的基层组织和党员队伍、干部队伍、人才队伍建设情况”等12个评价要点。
对领导干部的民意调查，主要包括工作作风、履行职责、公众形象等内容，设置了“开拓创新与敬业精神”、“深入基层、联系群众情况”、“分管工作完成情况”、“为群众排忧解难、办实事情况”、“廉洁自律和接受监督情况”、“道德品行”等6个评价要点。
《综合考核评价试行办法》要求对地方党政领导班子及其成员的实绩分析，主要通过有关方面提供的经济社会发展的整体情况和群众的评价意见，重点分析任期内的工作思路、工作投入和工作成效，以充分体现从实绩看德才、凭德才用干部。具体包括上级统计部门综合提供的本地人均生产总值及增长、人均财政收入及增长、城乡居民收入及增长、资源消耗与安全生产、基础教育、城镇就业、社会保障、城乡文化生活、人口与计划生育、耕地等资源保护、环境保护、科技投入与创新等方面的统计数据和评价意见，上级审计部门提供的有关经济责任审计结论和评价意见，还包括群众的评价。
个别谈话是深入了解地方党政领导班子建设状况和领导干部的德才素质的重要途径。《综合考核评价试行办法》进一步改进和完善了个别谈话的方法，要求分别不同情况确定谈话要点，提前发放谈话预告，提高谈话质量。对在现工作单位任职不满两年的拟提拔人选考察对象，还可到其原工作单位采取个别谈话等方式进行延伸考察，同时引入考察组集体面谈的方式，增强了个别谈话的针对性和深入程度。
综合评价是在全面掌握考核信息的基础上，对民主推荐、民主测评、民意调查、实绩分析、个别谈话的结果进行比较分析，并与纪检机关（监察部门）的意见，巡视组巡视、重大事项跟踪考察、参加民主生活会等方面反映的意见，以及其它平时了解的情况相互补充印证。通过考察组集体研究分析，对领导班子和领导干部作出客观公正的评价。
半导体的发展范文5
半导体市场未来将保持温和增长，继续保持转移的趋势，分分合合的重组也将继续上演。
几十年来半导体市场都遵循着振荡向上的发展趋势，产业则根据半导体技术和下游需求不断进行调整，业界公司则一直都在不断重组，技术更是沿着摩尔定律一走就是几十年。发展至今，虽然未曾发生突变，但是半导体行业也一直在变化中不断前进。
半导体市场每隔四年左右就会出现所谓的波峰或者波谷的振荡，最近的一次波谷是2001年，该年全球半导体增长率为-32%，按理来说2005年也应该是预期的波谷，但事实上并没有出现市场的大滑坡，反而呈现出了6.8%的温和增长，同样，半导体市场2004年的波峰和2000年36.8%的增长率相比也相差了10个百分点，从数据可以看出半导体市场的发展似乎变得稳定了。
为什么市场会变得稳定？半导体公司在经历了几十年的发展之后，在规避风险和应对产业周期变化方面显得更加成熟，尤其是库存方面，各个厂商都学会了如何控制库存来尽量保证自身利润。虽然紧跟最新技术，抢先推出新品能带来高利润，但往往也会带来老产品库存积压的问题。目前，厂商们通常的做法往往是在解决库存和尽快新品之间找到一个平衡点。以现在的Intel为例，相信其Intel Santa Rose产品开始销售之前，其前期库存的消化肯定是在一个可以接受的范围内了。虽然厂商们已经在周期振荡中变得成熟，但将来市场的周期性振荡仍然将长期存在，只是振幅会越来越小。此外，随着亚太地区度过快速的增长时期，全球半导体市场的增长速度将会缓慢下降。
除了扩大产能以满足市场需求以外，半导体设备的更新和增加往往是为了生产工艺要求更高的产品而进行的，近两年半导体设备更新的主要动力来自工艺要求较高的存储器产品。从未来的发展来看，半导体市场将趋于平缓，半导体产业的发展将更多地依赖技术创新。截至2006年底，全球已有12英寸硅片生产线46条，而且自2006年以来全球新建的芯片厂都是12英寸65纳米以下。即便如此，至2006年底，全球12英寸硅片的产出仅占全球硅片总产出的18%。因此，为适应先进工艺技术所进行的产业更新还有很大潜力。
此外，从区域来看，由于具有成本以及当地政策优势，半导体产业发展的主要动力仍将来自亚太地区。
近几年来，半导体业界演绎了一系列让人目不暇接的“重组运动”，究其原因不外乎是有的公司要进行“多元化”发展，收购其所需要的稀缺业务来壮大自己，或是要分拆或剥离非核心业务，专注于核心业务的发展。
半导体的发展范文6
关键词：有机半导体 材料 应用
1、前言
半导体材料是在室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电导率一般在105～107欧·米之间[1]。有机半导体材料的系统研究始于20世纪60年代，并且在近几十年来取得长足进步，2000年度诺贝尔化学奖授予白川英树等三位从事导电聚合物研究的科学家，这标志着有机半导体材料科学已经进入新的发展阶段[3]。
有机半导体材料与传统的无机半导体材料相比有一定的相似性，它们在电导率、载流子迁移率[4]和能隙等方面存在着较多的类似点，应用领域[5]也有一定的相似性。但是有机半导体材料又具有许多不同于无机半导体材料的新特点，有机半导体材料具有质量轻、柔韧易加工性、可低温大面积成膜等特点，将低成本的有机半导体材料用于微电子及光电子器件的研究近年来受到高度重视。近几年来建立起来的超快光谱技术和超微结构表征方法为研究有机半导体的激发态提供了手段，使有机半导体激发态性质、激发态结构[6]的基础研究和应用研究迅速发展。成为目前国际上最活跃的研究领域之一。
2、常见的有机半导体材料
已知的有机半导体[7]有几十种，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等。有机半导体器件[8]对所有有机半导体材料有两点要求[9]：（1）高迁移率，以保证器件的开关速度；（2）低本征电导率，尽可能地降低器件漏电流，从而提高器件的开关比。
2.2 有机半导体材料分类
2.2.1 根据载流子传输类型划分
根据载流子传输类型[10～11]来划分半导体材料，无机半导体材料和有机半导体材料的划分标准是不同的。对无机半导体材料而言，它的N、P型主要取决于半导体中密度占优势的载流子类型，这是因为载流子是通过离域带（导带或价带）来传输的。因而，电子占多数的半导体为N型材料，空穴占多数则为P型材料。而对于有机半导体来说，对半导体类型的定义只能根据载流子输运能力大小来划分，这是因为有机半导体内部电子与空穴密度不存在明显差别，而且载流子是通过定域传输的，因而若一种有机半导体对电子输运能力“明显”优于对空穴的输运能力，则定义这种半导体为N型材料，反之则为P型材料。另外，如果对空穴和电子的传输能力相当，则把这种有机半导体材料称之为双极型材料。通常在有机半导体领域中也称N型有机半导体为电子传输材料，P型有机半导体为空穴传输材料。
2.2.1.1 P—型有机半导体材料
P型高聚物典型代表为烷基取代的聚噻吩，如典型的P型高聚物为区域规整聚32烷基噻吩能形成高度三维有序的聚合物分子链，但其场效应行为强烈地依赖于成膜所使用的溶剂。P型低聚物以噻吩及其衍生物为代表。实际上，历史上第一个制备出的OFET就是采用低聚噻吩为场效应材料。低聚物分子[12]由于可通过灵活改变分子链长度和引入官能团来调节分子轨道能级，因而在OFET中占重要地位。P型有机小分子[13]则拥有聚合物无法比拟的优点，如易于提纯，分子间的平面结构则大大降低了分子间的势垒，从而有利于载流子高速迁移；又因为其成膜工艺多，制备的半导体薄膜质量较好，目前部分有机半导体，如并五苯等已能制备成单晶，这大大提高了载流子场效应迁移率，拓展了OFET的应用空间。典型的P型有机小分子通常有并五苯、酚箐类化合物、苝、红荧烯等。
有机半导体材料中以P型有机半导体材料[14]为主，因此P型场效应材料研究进展比较迅速，种类也较多。另外，P型有机半导体材料的载流子迁移率和开关比，采用真空成膜的OFET性能大多比较优良。如单晶并五苯的OFET性能最好，大大超过了其它OFET性能，也大大超过了非晶硅薄膜晶体管。
2.2.1.2 N—型有机半导体材料
1990年第一个N—沟道OFET被报道，它采用双酞菁镥为场效应材料[15]，其器件性能一般，载流子迁移率为2×10—4cm2v—1·s—1（典型载流子迁移率约为1 cm2·v—1·s—1）。N—型有机半导体化合物对氧和湿度较敏感，从而造成场效应迁移率低和晶体管工作性能不稳定，因此N型有机场效应材料在数目上大大少于P型有机场效应材料。
为提高N型场效应材料[16]的稳定性和场效应迁移率，通常可通过调节其电子亲合能，如引入强吸电子基团—CN、—NO2或—F等来降低其LUMO能级，使得电子的注入和运输成为可能，这是目前获得高效N—沟道半导体材料的主要途径，或在其表面加一钝化层或完全包裹封装来实现。由于N型半导体材料较少、稳定性达不到要求，但它又是双极晶体管的重要组成部分，因而对稳定的高性能的N型场效应材料的研制是具有非常重要意义的。
同样地，N型场效应材料也分为高聚物、低聚物和有机小分子三类。目前，N型高聚物半导体材料不是很多。通过离子注入对PPV（聚乙烯）进行掺杂后，可以得到优良的工作性能和加工性能的N—沟道有机半导体材料。直到2000年采用蒸镀制膜，得到并五苯OFET的μe达到2.4 cm2/（V·s），Ion/Ioff达到108，分子晶体管的实现为晶体管微型化、大规模集成和超大规模集成奠定了坚实的基础。器件[17]的稳定性也有了很大提高，其中单晶二萘嵌苯的OFET性能最好，也超过非晶薄膜晶体管的载流子迁移率。
2.2.1.3 双极型材料