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集成电路市场现状范文1
2013年，中国集成电路进口和逆差总额分别为2313亿和1436亿美元，与2500亿美元的石油进口额相当。在国家信息安全受到日益严峻挑战的情况下，随着中国制造和中国需求的不断崛起，集成电路的产业转移已成大势所趋。
《纲要》全面系统地为保障产业发展提供了方向：一是顶层支持力度加大，由国家层面自上而下推动；二是提供了全面的投融资方案，包括成立国家和地方投资资金；三是通过税收政策提升企业盈利能力，包括所得税、增值税、营业税以及进口免税等；四是通过政府采购和推进国产化解决需求问题，尤其是政府信息化和信息安全部门国产化力度加强；五是、夯实产业发展长期基础，包括强化创新能力，加强人才培养和引进及对外开放和合作等。
政策助力产业迎接长线拐点
《纲要》分为五部分，分别为现状和形势、总体要求、发展目标、主要任务和发展重点、保障措施。
现状和形势：1.存在融资难、创新薄弱、产业与市场脱节、缺乏协同、政策环节不完善等问题，大量依赖进口难以保障国家信息安全；2.投资攀升、份额集中；移动智能终端、云计算、物联网、大数据快速发展；中国是全球最大的集成电路市场。
总体要求：1.指导思想是突出企业主体地位，以需求为导向，以整机和系统为牵引、设计为龙头、制造为基础、装备和材料为支撑，以技术、模式和体制机制创新为动力；2.基本原则：需求牵引、创新驱动、软硬结合、重点突破、开放发展。
发展目标：1.到2015年，体制机制创新取得明显成效，建立与产业发展规律相适应的融资平台和政策环境，产业销售超过3500亿元；2.到2020年，与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售年均增速超过20%；3）到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。
主要任务和发展重点：1.着力发展集成电路设计业；2.加速发展集成电路制造业；3.提升先进封装测试业发展水平；4.突破集成电路关键装备和材料。
保障措施：加强组织领导；设立国家产业投资基金；加大金融支持力度；落实税收支持政策；加强安全可靠软硬件的推广应用；强化企业创新能力建设；加大人才培养和引进力度；继续扩大对外开放。
这是继2000年18号文和2011年4号文之后，政府对集成电路产业的最重要扶持政策，相对以往政策的特色包括：1.提升至国家战略层面，包括成立国家集成电路产业发展领导小组，强化顶层设计，并设计国家产业投资基金等；2.强化企业主体地位，发挥企业活力；3.侧重利用资本市场各种投资工具，如产业基金，兼并重组，融资工具等，这与以往以直接补贴企业和科研机构研发费用、税收优惠等为主不同；4.市场化运作，政府资本定位为参与者，反映政府对企业长远发展和盈利能力的诉求；5.力度大、范围广：扶持半导体产业链方方面面，从设计、制造、封装测试到关键材料和设备，并设置了具体目标和任务，以及全面的保障政策。
在《纲要》前一年，中国半导体企业和各地政府已在开始运用各种资本市场手段谋求产业整合和政策扶持。2013年9月，国务院副总理马凯强调加快推动中国集成电路产业发展，其后纳斯达克三大中国半导体公司展讯、RDA和澜起先后被国内资本私有化，北京市成立300亿规模的集成电路产业发展股权投资基金，天津、上海、江苏、深圳等地政府和国内最大的集成电路制造商中芯国际也纷纷效仿。在集成电路产业中引入资本市场工具已经成为业界共识。
从另外一个层面上来讲，集成电路产业是一个投资规模大、技术门槛高，亦是高度全球化、专业化和市场化的产业，美、中国台湾、韩在早期产业发展和追赶过程中均给予大力扶持，且产业赢家通常都经过了残酷的全球市场筛选，英特尔、高通、台积电、联发科、三星等无不如此。因此，此次带有浓厚市场色彩的产业推进纲要将从国家战略的层面理顺集成电路产业发展的脉络，助力中国半导体产业迎接长线拐点。
国产芯片替代空间巨大
2013年，中国集成电路进出口总额分别为2313亿和877亿美元，较2012年分别增加20.5%和64.1%，逆差1436亿美元，比2012年增长3.7%。中国集成电路进口额占2013年全年货物进口额的12%，与2500亿美元的石油进口额相当。在中国经济产业转型升级加快的大背景下，国产集成电路在国内有着巨大的市场替代空间。同时，从国家安全角度来讲，作为电子信息产业的基石，中国关键集成电路基本都靠进口，如通用计算机CPU、存储器、通讯芯片、高端显示器件、各类传感器等，特别是在斯诺登将美国棱镜计划公诸于世之后，中国信息安全更是受到了前所未有的挑战和威胁。
中国信息技术产业规模多年位居世界第一，2013年产业规模达到12.4万亿元，生产了世界绝大部分手机、电脑、电视，但主要以整机制造为主，由于以集成电路和软件为核心的价值链环节缺失，行业平均利润率仅为4.5%，低于工业平均水平1.6个百分点。
同时也应该看到，中国巨大的终端产量不仅使中国成为世界工厂，也同时造就了中国电子制造业的诸多品牌，如以联想、华为、酷派、中兴、金立、OPPO、小米等为代表的中国智能手机制造商已经攫取了全球智能手机出货量的30%；联想2013年在PC市场取代HP成为市场第一并迅速扩大领先优势；中国电视公司如TCL、海信、康佳等亦已跻身全球出货量前10名。随着中国电子制造业在全球话语权的提升，电子制造上游产业必然会向中国转移，“中国制造”必然会带动上游“中国创造”，而这其中集成电路是最为核心的部件。
另一方面，旺盛的本土需求也是发展中国集成电路产业的强大动因。中国拥有全球最大、增长最快的集成电路市场，2013年规模达9166亿元，占全球市场的50%左右。随着中国经济发展方式的转变、产业结构的加快调整，以及新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化同步发展，工业化和信息化深度融合，大力推进信息消费，对集成电路的需求将大幅增长，预计到2015年市场规模将达1.2万亿元。
行业各链条协同发展
集成电路产业主要有四个环节，即集成电路设计、集成电路制造、集成电路后段封装测试以及支撑辅助上述三个环节的设备和材料等产业。《纲要》突出了“芯片设计-芯片制造-封装测试-装备与材料”的全产业链布局，各链条应该协同发展，进而构建“芯片―软件―整机―系统―信息服务”生态链，并提出了“三步走”的目标。
到2015年，移动智能终端、网络通信等部分重点领域集成电路设计技术接近国际一流水平。32/28纳米（nm）制造工艺实现规模量产，中高端封装测试销售收入占封装测试业总收入比例达到30%以上，65-45nm关键设备和12英寸硅片等关键材料在生产线得到应用。
到2020年，企业可持续发展能力大幅增强。移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平，产业生态体系初步形成。16/14nm制造工艺实现规模量产，封装测试技术达到国际领先水平，关键装备和材料进入国际采购体系，基本建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系。
到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。
中国公司与世界一流差距明显，追赶趋势明确。2013年全球集成电路销售额年增长5%，达到3150亿美元（不包含制造、封测等中间环节，因其产值已体现在最终芯片产品售价中）。集成电路产业有IDM和Fabless（无晶圆设计）/Foundry（制造）/SATS（封装测试）两种商业模式。IDM以英特尔、三星、德州仪器、东芝、瑞萨等公司为代表，这些公司内部集合了集成电路设计、制造和封测三个环节。而Fabless/Foundry/SATS则由Fabless公司设计芯片，并委托Foundry和SATS公司进行制造和封装测试，最终Fabless公司再把芯片销售给客户。世界主要的Fabless公司有高通、博通、AMD、联发科、NVIDIA、Marvell等，Foundry有台积电、Globalfoundries、电和中国中芯国际等，封测公司有日月光、安可、矽品等。以2013年全球3150亿美元的集成电路销售额来看，IDM和Fabless分别占3/4和1/4。
随着智能移动终端取代传统PC进程的不断加速，高投资壁垒、纵向整合的IDM模式面临船大难掉头的困局。由于销售额增长缓慢甚至是零增长和负增长，IDM大量的固定资产投资和研发费用削弱了公司的盈利能力。而Fabless公司则凭借专业分工、扬己所长，在移动终端集成电路市场中不断攫取份额。
聚焦龙头
对于未来政府政策的着力点，尽管具体的《细则》尚待一定时日出台，但从《纲要》的八条保障措施可以窥得一斑，这八条措施分别为加强组织领导、设立国家产业投资基金、加大金融支持力度、落实税收支持政策、加强安全可靠软硬件的推广应用、强化企业创新能力建设、加大人才培养和引进力度、继续扩大对外开放。
以上八点措施在2000年《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（18号文）和2011年《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（4号文）基础上重点增加了加强组织领导、设立国家集成电路产业投资基金、加大金融支持力度三个内容。
集成电路市场现状范文2
大家上午好。首先我代表中国半导体行业协会对各位领导、国内外嘉宾、各位同仁参加在西安举办的“2011中国半导体行业协会集成电路设计分会年会暨中国集成电路设计产业十年成就展”，表示热烈的欢迎；对陕西省、西安市有关部门，陕西省半导体行业协会等有关单位给于会议的支持，对业界积极参与会议的各项活动表示诚挚的感谢。对新一届理事会的产生与新一届理事会的工作表示热烈的祝贺和一如既往的支持。
集成电路设计业是集成电路产业发展的引擎，在此盛会开幕之时，希望设计业同仁持之以恒地做好以下两件工作：
一、不断努力，发挥好产业的引领与推动作用
2000―2010年十年间，我国集成电路产量从59亿块提高到653亿块，提高了11倍，年均增速27.2％。销售收入从186亿元提高到1440亿元，翻了三番，年均增速22.7％。其中集成电路设计业年均增速43.5％。芯片制造业年均增速25％，封装测试业，年均增速17.2％。这是否说明，推动中国集成电路产业的发展，一定要维持设计业的高位增长，或者说，只有设计业的快速增长，才能维持整个产业的发展，在目前中国的集成电路产业生态环境下，这是否有什么规律性?非常值得研究。
长三角地区，三家代工企业近三年以来，国内的加工收入逐年增长的情况，也是一个非常好的例证。一家企业国内加工量从2009年22％；增长到2010年的29％，再到2011年1-9月份的32％；一家企业从40％增长到46％，再增长到57％；另一家从2009年的15.4％，增长到2011年1-9月份的22％。封装企业情况也是如此，一家封装企业从2009年的50％左右增长到2011年70％(预期值)以上；另一家从2009年的30％，增长到2010年40％，预计2011年将达到50％。
在产业发展过程中，类似的例子还可以举出很多。目的就是要说明设计业的龙头与牵引的作用，希望大家“十二五”期间以及今后一个较长的发展时期，继续努力。
二、加强创新与整合，做大做强企业
未来集成电路产业的发展，将继续朝向人才集中，资金集中、技术密集三大趋势前进。
据有关资料，现在仅设计一颗简单的Ic可能就需要几百人的通力合作，复杂一点的Ic甚至需要动用几千人才能完成；现在兴建一座月产能三万片的十二寸厂，约需要50亿美元；技术密集方面，未来集成电路的发展除了继续迈向摩尔定律的先进制程发展，亦可投入超越摩尔定律的研发领域，持续开发各式多样化的集成电路应用。
目前我们设计业的发展现状，仅举几组数据，看看我们的差距：
2010年，工信部认定与年审通过的332家企业中，总人数在500人以上的14家，1000人以上只有5家。2010年销售额全球排名第一的为70.98亿美元，我们第一的为44.2亿人民币；全球第十名为12亿美元，我们第10名只有6.2亿元人民币。根据“中国集成电路产业知识产权年度报告(2011版)”，截至到2010年12月31日，国内几种主要集成电路产品的专利拥有数量，只有专用Ic类，国内企业及大学的专利拥有情况较好，而在处理器、存储器、通讯等几类专利拥有者大多数是外资企业。
下面所引用的数据，是来说明日本高科技公司与全球领先的高科技公司1999年-2009年平均年-收入的增长情况的：日本7家高科技公司，综合数据的结果，市场份额收益2.9％，产品增长4.2％，并购0.7％，总增长2％；全球领先的7家高科技公司，市场份额收益4.7％，产品增长8％，并购4.3％，总增长17％。在年收入中，产品与并购占有很大的比重。通-过产品创新与并购，做大做强企业，是国外大企业成功之路。值得我们集成电路设计业，以及整个的半导体产业借鉴与学习。
中国未来集成电路的市场空间巨大，战略性新兴产业规划的启动与“十二五”规划的实施，为我国集成电路产业的发展提供新的发展机遇，智能手机、平板电脑、智能电网、物联网、云计算、新能源汽车等21世纪新兴应用的兴起，急待我们开发大量的系统级集成电路产品。但同时我们又面临一系列挑战：在全球经济一体化的产业大环境下，我们的技术水平和企业规模与跨国公司相比，还有很大差距；我们占有的资源和资源整合能力，还有很大差距；我们的产业在产品定位，应用上取得领先方面，还有很大差距；唯有创新与加大整合，才是推动我们设计业的发展的关键。
集成电路市场现状范文3
集成电路(IC)产业是战略性、基础性和产业之间关联度很高的产业。它是电子信息产业和现代工业的基础,也是改造提升传统产业的核心技术,已成为衡量一个国家经济和信息产业发展水平的重要标志之一,是各国抢占经济科技制高点、提升综合国力的重点领域。
集成电路产业是典型的知识密集型、技术密集型、资本密集和人才密集型的高科技产业,它不仅要求有很强的经济实力,还要求具有很深的文化底蕴。集成电路产业由集成电路设计、掩模、集成电路制造、封装、测试、支撑等环节组成。随着集成电路技术的提升、市场规模的扩大以及资金投入的大幅提高,专业化分工的优点日益体现出来,集成电路产业从最初的一体化IDM,逐渐发展成既有IDM,又有无集成电路制造线的集成电路设计(Fabless)、集成电路代工制造(Foundry)、封装测试、设备与材料支撑等专业公司。
国家始终把集成电路作为信息产业发展的核心。2000年国家18号文件(《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》)出台后,为我国集成电路产业的发展创造了良好的政策环境。2005年国家制定的《国家中长期科学和技术发展规划纲要 (2006-2020年)》安排了16个国家重大专项,其中两个涉及到集成电路行业,一个是“核心电子器件、高端通用集成电路及基础软件产品”,另外一个则是“集成电路成套工艺、重大设备与配套材料”,分列第一、二位。2008年国家出台的《电子信息产业调整与振兴规划》明确提出:加大鼓励集成电路产业发展政策实施力度,立足自主创新,突破关键技术,要加大投入,集中力量实施集成电路升级,着重建立自主可控的集成电路产业体系。
无锡是中国集成电路产业重镇,曾作为国家南方微电子工业基地,先后承担国家“六五”、“七五”和“九0八”工程。经过近20年的不断发展,无锡不仅积累了雄厚的集成电路产业基础,而且培育和引进了一批骨干企业,有力地推动了我国集成电路产业的发展。2000年,无锡成为国家科技部批准的7个国家集成电路设计产业化基地之一。2008年,无锡成为继上海之后第二个由国家发改委认定的国家微电子高新技术产业基地,进一步确立了无锡在中国集成电路产业中的优势地位,2009年8月7日,温总理访问无锡并确立无锡为中国物联网产业发展的核心城市,微电子工业作为物联网产业发展的基础电子支撑,又引来了新一轮的发展机遇。
发展集成电路产业是实现无锡新区产业结构调整、支撑经济可持续发展、引领经济腾飞、提升创新型城市地位、提高城市综合实力和竞争力的关键。无锡新区应当抓住从世界金融危机中回暖和建设“感知中国中心”的发展机遇,以优先发展集成电路设计业、重视和引进晶圆制造业、优化发展封测配套业、积极扶持支撑业为方向,加大对产业发展的引导和扶持,加快新区超大规模集成电路产业园的建设,加强高端人才的集聚和培育,实现无锡市委市政府提出的“把无锡打造成为中国真正的集成电路集聚区、世界集成电路的高地、打造‘中国IC设计第一区’和‘东方硅谷’品牌的愿景”,实现新区集成电路产业的跨越式发展。
2新区超大规模集成电路园
(2010年-2012年)行动计划
2.1 指导思想
全面贯彻落实科学发展观,坚持走新型工业化道路,紧跟信息产业发展的世界潮流,以积极扶持、引导现有存量企业为基础,以引进和孵化为手段,以重点项目为抓手,大力集聚高科技人才,加大政府推进力度,提高市场化运行程度,强攻设计业,壮大制造业,构建集成电路设计、制造、封装测试、系统应用、产业支撑于一体的完整IC产业链,建成“东方硅谷”。
2.2 发展目标
从2010年到2012年,无锡新区集成电路产业年均引进企业数15家以上,期内累计新增规范IC企业40家,期末产业链企业总数120家以上,产业规模年均增长25%以上,2012年目标400亿元,到2015年,全区集成电路产业规模达到800亿元,占全国比重达20%以上。年均引进和培养中、高级IC人才600名,期内累计新增2000名,期末专业技术高端人才存量达3000名。
2.3 主要任务
2.3.1 重点发展领域
按照“优先发展集成电路设计业,重点引进晶圆制造业,优化提升封装测试业,积极扶植支撑业”的基本思路,继续完善和落实产业政策,加强公共服务,提升自主创新能力,推进相关资源整合重组,促进产业链各环节的协调发展,形成无锡市集成电路产业最集中区域。
2.3.2 产业发展空间布局
集成电路产业是无锡新区区域优势产业,产业规模占据全市70%以上,按照“区域集中、产业集聚、发展集约”的原则,高标准规划和建设新区超大规模集成电路产业园,引导有实力的企业进入产业园区,由园区的骨干企业作龙头,带动和盘活区域产业,增强园区产业链上下游企业间的互动配合,不断补充、丰富、完善和加强产业链建设,形成具有竞争实力的产业集群,成为无锡新区集成电路产业发展的主体工程。
无锡新区超大规模集成电路产业园位于无锡新区,距离无锡硕放机场15公里,距无锡新区管委会约3公里。
超大规模集成电路产业园区总规划面积3平方公里,规划区域北起泰山路、西至锡仕路,东临312国道和沪宁高速公路,南至新二路。园区规划主体功能区包括制造业区设计孵化区、设计产业化总部经济区、设计产业化配套服务区等,占地共700亩,规划基础配套区包括建设园内干道网和开放式对外交通网络,同步配套与发展IC设计产业相关联的宽带网络中心、国际卫星中心、国际培训中心等,按照园内企业人群特点,规划高端生活商务区。
园区目前已有国内最大工艺最先进的集成电路制造企业海力士恒亿半导体,南侧有KEC等集成电路和元器件制造、封测企业。园区的目标是建成集科研教育区、企业技术产品贸易区、企业孵化区、规模企业独立研发区和生活服务区于一体的高标准、国际化的集成电路专业科技园区,作为承接以IC设计业为主体、封测、制造、系统方案及支撑业为配套的企业创新创业的主要载体。支持跨国企业全球研发中心、技术支持中心、产品系统方案及应用、上下游企业交流互动、规模企业独立研发配套设施、物流、仓储、产品营销网点、国际企业代表处等的建设,组建“类IDM”的一站式解决方案平台。
2.3.3 主要发展方向与任务
(1)集成电路设计业
集成电路设计是集成电路产业发展的龙头,是整个产业链中最具引领和带动作用的环节,处于集成电路价值链的顶端。国家对IC产业、特别是IC设计业发展的政策扶持为集成电路发展IC设计产业提供了良好的宏观政策环境。“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”与“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”列在16个重大专项的第一、二位,说明政府对集成电路产业的高度重视。这两个重大专项实施方案的通过,为IC设计企业提升研发创新能力、突破核心技术提供了发展机遇。新区集成电路产业的发展需要密切结合已有产业优势,顺应产业发展潮流,进一步促进集成电路产业的技术水平和整体规模,实现集成电路设计产业新一轮超常规的发展。
1)、结合现有优势,做大做强以消费类为主的模拟芯片产业。
无锡集成电路产业发展起步早,基础好,实力强。目前,无锡新区积聚了60余家集成电路设计企业,包括国有企业、研究机构、民营企业以及近几年引进的海归人士创业企业。代表性企业包括有:华润矽科、友达、力芯、芯朋、美新、海威、无锡中星微、硅动力、紫芯、圆芯、爱芯科、博创、华芯美等公司。产品以消费类电子为主,包括:DC/DC、ADC/DAC、LED驱动、射频芯片、智能电网芯片等,形成了以模拟电路为主的产品门类集聚,模拟IC产品的研发和生产,成为无锡地区IC设计领域的特色和优势,推动以模拟电路产品开发为基础的现有企业实现规模化发展,是新区集成电路产业做大做强的坚实基础。
2)结合高端调整战略,持续引进、培育系统设计企业。
无锡“530”计划吸引众多海外高端集成电路人才到无锡创业,已经成为无锡城市的一张“名片”,并在全球范围内造就了关注高科技、发展高科技的影响力。以海归人员为代表的创业企业相继研发成功通信、MEMS、多媒体SOC等一批高端产品,为无锡高端集成电路设计的战略调整,提供了坚实的人才基础和技术基础。随着海峡两岸关系的平缓与改善,中国台湾正在考虑放宽集成电路设计企业到大陆投资政策,新区要紧紧抓住这一机遇,加大对中国台湾集成电路设计企业的引进力度。新区拥有相对完善的基础配套设施、宜居的人文环境、浓厚的产业氛围、完备的公共技术平台和服务体系,将成高端集成电路人才创业的首选。
3)结合电子器件国产化战略,发展大功率、高电压半导体功率器件。
高效节能已经成为未来电子产品发展的一个重要方向,电源能耗标准已经在全球逐步实施,将来,很多国家将分别实施绿色电源标准,世界各国已对家电与消费电子产品的待机功耗与效率开始实施越来越严格的省电要求,高效节能保护环境已成为当今共识。提高效率与减小待机功耗已成为消费电子与家电产品电源的两个非常关键的指标。中国目前已经开始针对某些产品提出能效要求,此外,欧美发达国家对某些电子产品有直接的能效要求,如果中国想要出口,就必须满足其能效要求,这些提高能效的要求将会为功率器件市场提供更大的市场动力。功率器件包括功率IC 和功率分立器件,功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件,功率器件几乎用于所有的电子制造业,除了保证设备的正常运行以外,功率器件还能起到有效的节能作用。由于制造工艺等因素的限制,形成相对较高的技术门槛,同时,新区企业拥有的深厚的模拟电路技术功底以及工艺开发制造能力,作为一种产业化周期相对较短的项目,现在越来越清晰的看到,模拟和功率器件是新区集成电路设计业的重点发展方向。
4)结合传感网示范基地建设,发展射频电子、无线通信、卫星电子、汽车电子、娱乐电子及未来数字家居电子产业。
“物联网”被称为继计算机、互联网之后,世界信息产业的第三次浪潮。专家预测10年内物联网就可能大规模普及,应用物联网技术的高科技市场将达到上万亿元的规模,遍及智能交通、环境保护、公共安全、工业监测、物流、医疗等各个领域。目前,物联网对于全世界而言都刚起步,各个国家都基本处于同一起跑线。温总理访问无锡并确立无锡为未来中国传感网产业发展的核心城市,将成为难得的战略机遇,新区集成电路产业应该紧紧围绕物联网产业发展的历史机遇,大力发展射频电子、MEMS传感技术、数字家居等,为传感网示范基地建设和物联网产业的发展,提供有效的基础电子支撑。
(2)集成电路制造业
重大项目,特别是高端芯片生产线项目建设是扩大产业规模、形成产业集群、带动就业、带动产业发展的重要手段。是新区集成电路产业壮大规模的主要支撑,新区要确保集成电路制造业在全国的领先地位,必须扶持和推进现有重点项目,积极引进高端技术和特色配套工艺生产线。
1)积极推进现有大型晶园制造业项目
制造业投资规模大,技术门槛高,整体带动性强,处于产业链的中游位置,是完善产业链的关键。新区集成电路制造业以我国的最大的晶圆制造企业无锡海力士-恒亿半导体为核心,推动12英寸生产线产能扩张,鼓励企业不断通过技术改造,提升技术水平,支持企业周边专业配套,完善其产业链。鼓励KEC等向集成器件制造(IDM)模式的企业发展,促进设计业、制造业的协调互动发展。积极推进落实中国电子科技集团公司第58所的8英寸工艺线建设,进一步重点引进晶圆制造业,确保集成电路制造业在国内的领先地位。
2)重视引进高端技术与特色工艺生产线
国际IC大厂纷纷剥离芯片制造线,甩掉运转晶圆制造线所带来的巨大成本压力,向更专注于IC设计的方向发展。特别是受国际金融危机引发的经济危机影响以来,这一趋势更为明显,纷纷向海外转移晶圆制造线,产业园将紧紧抓住机遇,加大招商引资力度。在重点发展12英寸、90纳米及以下技术生产线,兼顾8英寸芯片生产线的建设的同时,重视引进基于MEMS工艺、射频电路加工的特色工艺生产线,协助开发模拟、数模混合、SOI、GeSi等特色工艺产品,实现多层次、全方位的晶圆制造能力。
(3)集成电路辅助产业
1)优化提升封装测试业
无锡新区IC封装测试业以对外开放服务的经营模式为主,海力士封装项目、华润安盛、英飞凌、东芝半导体、强茂科技等封测企业增强了无锡新区封测环节的整体实力。近年来封测企业通过强化技术创新,在芯片级封装、层叠封装和微型化封装等方面取得突破,缩短了与国际先进水平的差距,成为国内集成电路封装测试的重要板块。
随着3G手机、数字电视、信息家电和通讯领域、交通领域、医疗保健领域的迅速发展,集成电路市场对高端集成电路产品的需求量不断增加,对QFP(LQFP、TQFP)和QFN等高脚数产品及FBP、MCM(MCP)、BGA、CSP、3D、SIP等中高档封装产品需求已呈较大的增长态势。无锡新区将根据IC产品产业化对高端封测的需求趋势,积极调整产品、产业结构,重点发展系统级封装(SIP)、芯片倒装焊(Flipchip)、球栅阵列封装(BGA)、芯片级封装(CSP)、多芯片组件(MCM)等先进封装测试技术水平和能力,提升产品技术档次,促进封测产业结构的调整和优化。
2)积极扶持支撑业
支撑与配套产业主要集中在小尺寸单晶硅棒、引线框架、塑封材料、工夹具、特种气体、超纯试剂等。我国在集成电路支撑业方面基础还相当薄弱。新区将根据企业需求,积极引进相关配套支撑企业,实现12英寸硅抛光片和8~12英寸硅外延片、锗硅外延片、SOI材料、宽禁带化合物半导体材料、光刻胶、化学试剂、特种气体、引线框架等关键材料的配套。以部分关键设备、材料为突破口,重视基础技术研究,加快产业化进程,提高支撑配套能力,形成上下游配套完善的集成电路产业链。
3保障措施
国家持续执行宏观调控政策、集成电路产业升温回暖以及国内IC需求市场持续扩大、国际IC产业持续转移和周期性发展是无锡新区集成电路产业发展未来面临的主要外部环境,要全面实现“规划”目标,就必须在落实保障措施上很下功夫。2010-2012年,新区集成电路产业将重点围绕载体保障、人才保障、政策保障,兴起新一轮环境建设和招商引智,实现产业的转型升级和产业总量新的扩张,为实现中国“IC设计第一区”打下坚实的基础。
3.1 快速启动超大规模集成电路产业园载体建设
按照相关部门的部署和要求,各部门协调分工负责,前后联动,高起点规划,高标准建设。尽快确定园区规划、建设规划、资金筹措计划等。2010年首先启动10万平方米集成电路研发区载体建设,2011年,进一步加大开发力度,基本形成园区形象。
3.2 强力推进核“芯”战略专业招商引智工程
以国家集成电路设计园现有专业招商队伍为基础,进一步补充和完善具备语言、专业技术、国际商务、投融资顾问、科技管理等全方位能力的专门化招商队伍;区域重点突破硅谷、中国台湾、北京、上海、深圳等地专业产业招商,聚焦集成电路设计业、集成电路先进制造业、集成电路支撑(配套)业三个板块,引导以消费类为主导的芯片向高端系统级芯片转变,以创建中国“集成电路产业第一园区”的气魄,调动各方资源,强力推进产业招商工作。
3.3 与时俱进,不断更新和升级公共技术服务平台
进一步仔细研究现有企业对公共服务需求情况,在无锡IC基地原有EDA设计服务平台、FPGA创新验证平台、测试及可靠性检测服务平台、IP信息服务平台以及相关科技信息中介服务平台的基础上,拓展系统芯片设计支撑服务能力,搭建适用于系统应用解决方案开发的系统设计、PCB制作、IP模块验证、系统验证服务平台。为重点培育和发展的六大新兴产业之一的“物联网”产业的发展提供必要的有效的服务延伸。支持以专用芯片设计为主向系统级芯片和系统方案开发方向延伸,完善、调整和优化整体产业结构。支持集成电路芯片设计与MEMS传感器的集成技术,使传感器更加坚固耐用、寿命长、成本更加合理,最终使传感器件实现智能化。
3.4 内培外引,建设专业人才第一高地
加大人才引进力度。针对无锡新区集成电路产业发展实际需求,丰富中高级人才信息积累,每年高级人才信息积累达到500名以上。大力推进高校集成电路人才引导网络建设,与东南大学、西安电子科技大学、成都电子科技大学等国内相关院校开展合作,每年引进相关专业应届毕业生500人以上,其中研究生100人以上。及时研究了解国内集成电路产业发达地区IC人才结构、人才流动情况,实现信息共享,每年引进IC中高级人才200人以上。积极开展各类国际人才招聘活动,拓宽留学归国人员引进渠道,力争引进国际IC专家、留学归国人员100人以上。到2012年,无锡新区IC设计高级专业技术人才总数达到3000人。
建立健全教育培训体系。以东南大学的集成电路学院在无锡新区建立的高层次人才培养基地为重点,到2012年硕士及以上学历培养能力每年达到500人。支持江南大学、东南大学无锡分校扩大本科教育规模,加强无锡科技职业学院集成电路相关学科的办学实力,建立区内实践、实习基地,保障行业对各类专业技术人才的需求。与国际著名教育机构联合建立高层次的商学院和公共管理学院,面向企业中高层管理人员,加强商务人才和公共管理人才的培养。
3.5 加强制度创新,突出政策导向
近几年,新区管委会多次调整完善对IC设计创新创业的扶持力度(从科技18条到55条),对IC设计产业的发展起了很大的作用,根据世界IC产业发展新态势、新动向,结合新区IC产业现状及未来发展计划,在2009年新区科技55条及其它成功践行政策策略基础上,建议增加如下举措:
1、在投融资方面,成立新区以IC设计为主的专业投资公司,参考硅谷等地成熟理念和方法,通过引进和培养打造一支专业团队,管理新区已投资的IC设计公司,成立每年不少于5000万元的重组基金,在国家IC设计基地等配合下,通过资本手段,移接硅谷、新竹、筑波等世界最前沿IC设计产业化项目,推进新区IC设计公司改造升级,进军中国乃至世界前列。
2、政策扶持范围方面,从IC设计扩大到IC全产业链(掩模、制造、封装、测试等),包括设备或材料、配件供应商的办事处或技术服务中心等。
3、在提升产业链相关度方面,对IC设计企业在新区内配套企业加工(掩模、制造、封装、测试)的,其缴纳的增值税新区留成部分进行补贴。
4、在高级人才引进方面,将2009年55条科技政策中关于补贴企业高级技术和管理人才猎头费用条款扩大到IC企业。
集成电路市场现状范文4
“跨越式发展”，不是笔者的概括与描述，而是政府的公开宣示。政府首次公开表现要在集成电路产业实现“跨越式发展”的意图，还是在2013年9月，当时《人民日报》刊登了报道《马凯：努力实现集成电路产业跨越式发展》。进入2014年后，清华紫光横空杀出，开始在国外大手笔并购集成电路企业，让人感到这一“跨越”表态并非纸上谈兵。2014年6月，国务院通过了《国家集成电路产业发展推进纲要》，明确强调要“加快追赶和超越的步伐，努力实现集成电路产业跨越式发展”。
2014年8月18日下午，主持召开中央财经领导小组第七次会议、研究实施创新驱动发展战略时，强调“要跟踪全球科技发展方向，努力赶超，……明确我国科技创新主攻方向和突破口。对看准的方向，要超前规划布局，加大投入力度，着力攻克一批关键核心技术，加速赶超甚至引领步伐。”这些需要“赶超”的重点领域，就包括“高端通用芯片、集成电路装备”。
至此，中国正式迈出了集成电路产业跨越式发展的步伐。那么，跨越式发展能实现吗？
先来看看现有基础或出发点，即中国的产业现状。多年来，有舆论批评我国高增长粗放低效、有速度无质量、低端供给过剩高端供给匮乏，其中常被拿来做例证的，就是中国在集成电路产业方面跟西方的差距。事实上，在这一领域，我国已取得不小的进展。例如，在芯片生产的设计、制造、封装、测试等诸环节，我国都已经涌现出了一批具备初步甚至较高竞争实力的企业；在芯片生产各环节所需要的精密机械中，光刻机实现了初步国产化，刻蚀机、离子注入机等不仅实现了国产化，而且开始占据越来越多的国际市场。高端通用芯片领域，2015年美国商务部对超级计算机禁运英特尔“至强”服务器芯片，中国马上对外宣布已有了自己的替代品，“神威太湖之光”装备的中国“芯”就是明证。在高端服务器领域，浪潮集团已经挤掉了IBM，成为中国第一供应商，其产品也开始出口国外。伴随着以3G、4G自主标准确立与推广为标志的中国网络移动通讯技术的飞速发展，中国智能手机芯片业的实力也在同步提升。可见，中国的产业基础已不再弱小。此外，随着《纲要》推出以及国家产业基金的成立，资金和人才也逐渐有了保障。
有了产业基础、资金、人才，再加上与较快发展的整体经济的互动，在任何领域包括集成电路领域完成“跨越式发展”，我们都有足够的底气。这方面的先例比比皆是，比如，在高铁、电网、5G通讯、显示面板、核电、重型装备制造等重要产业领域，中国已经完成或正在实现跨越式发展。
集成电路市场现状范文5
关键词：微电子技术专业；新材料新能源；节能减排低碳生活；行业发展
中图分类号：G642.0 文献标志码：A 文章编号：1674-9324（2013）19-0080-02
一、行业发展趋势
世界经济早已进入信息化的发展阶段，微电子技术是高科技和信息产业的核心技术，已成为当前时代的基础产业。从国家政策方面来看，节能减排、低碳生活、新材料新能源是导向。从节能减排上看：我们都知道液晶显示技术取代了CRT，已经占领当今市场，同时出现的还有PDP（等离子体）及即将出现的TFT（铁电液晶）等新型的半导体材料，这些产品比起过去的CRT显示器，不仅是外观形状上有优势，功耗低、辐射低、发热量低，符合节能减排的低碳生活，而LED（发光二极管）势必要代替现在的照明，在未来将占领整个照明市场。美国现在进行的光伏计划就是用高亮度Led代替现有路灯照明，这将节省全美40%以上的电力能源。同样日本进行的国家阳光计划也是要将路灯全部替换成高亮度LED。
再看新能源，随着现代科学技术的飞速发展，现在以天津为主的企业力神、比克国际等生产的锂电池已渐渐成为动力电池将要占领市场；未来太阳能电池取代石油将会应用在汽车甚至航空领域，也不会是神话。这已经是日本国家规划中的重点项目。
毋庸置疑，微电子产业发展前景无限广阔，产业的发展势必也为中等职业学校打开就业市场：国内现有的该行业的生产线不断更新换代，生产能力和技术水平在迅猛扩大和提升。
二、产业发展动态
微电子工业发展的主导国家是美国和日本，发达国家和地区有韩国和西欧。我国微电子技术产业正进入迅猛发展时期，目前已经成为世界半导体制造中心和国际上主要的芯片供应地。特别是在半导体晶片生产方面，其产量超过全世界晶片产量的30%，今年随着LED产业迅猛发展，芯片市场已供不应求。截至去年，我国芯片总需求已经超过500亿美元，成为全球最大的集成电路市场之一。
我国微电子技术产业现状：在2006年8月及10月海力士意法在无锡建成8英寸和12英寸芯片生产线之后，2007年迅速达产，从而拉动了国内芯片制造业整体规模的扩大。在此基础上，2008年海力士意法又继续实施第二期工程，将12英寸生产线产能扩展至每月8万片。此外，国内还有多条集成电路芯片生产线正处于建设或达产过程中，其中12英寸芯片生产线已成为投资热点。中芯国际在成都的8英寸生产线建成投产，紧接着在武汉的12英寸芯片制造企业——武汉新芯集成电路制造有限公司也建成投产；华虹NEC二厂8英寸生产线建成投产；英特尔投资25亿美元在大连的12英寸芯片制造厂投产；台湾茂德也投资9.6亿美元在重庆建设8英寸生产线；中芯国际投资12亿美元在上海的12英寸生产线正式运营。中芯国际宣布正在深圳建设8英寸和12英寸生产线，英特尔支持建设的深圳方正微电子芯片厂二期工程已竣工。随着这些新建和扩建生产线新增产能的陆续释放，我国芯片制造业的规模将继续快速扩大。北京京东方月生产9万片玻璃基板的液晶生产8.5代线今年即将投产。在封装测试领域，中芯国际和英特尔在成都的封装测试企业建成投产，江苏长电科技投资20亿元建设的年产50亿块集成电路的新厂房在使用，三星电子（苏州）半导体公司的第二工厂投产。飞思卡尔、奇梦达、RFMD、瑞萨、日月光和星科金朋等多家企业也分别对其在中国大陆的封装测试企业进行增资扩产。此外，松下投资100亿日元在苏州建设半导体封装新线投产；意法半导体投资5亿美元在深圳龙岗建设封装工厂。这些新建、扩建项目成为近期拉动我国集成电路封装测试业继续快速增长的主要力量。
大连市微电子技术产业现状：因特公司的12英寸芯片制造产业生产线投资25亿美元；主要从事二极管封装的九久光电台商投资建生产线2000万美金；大连路明科技生产三基色荧光粉做固体发光材料，市政府在几年前分期投资早已经超过1个亿；路美芯片更是从土地到生产线陆续投放资金过亿；去年大连政府为德豪光电投资生产线建设也超过1个亿。
生产线投资大，用工需求量也大，技术工人市场前景也随之向好。我们应当充分抓住机遇，迎接挑战。将电子科学与技术专业办成能够培养适应我国社会主义建设不断发展中对各层次人才需求和具有创新精神的教育和人才基地。
三、就业市场现状
目前，全国设有电子科学与技术相关专业的高等院校有一百多所，在校学生估计在5万人左右。本专业设有专科、本科和研究生教育三个层次。专业的发展现状良好，主要表现在：规模在逐年扩大，开设此专业的学校和招生人数都在增加；专业毕业生的就业率相对较高。这是与微电子技术产业的稳步发展相适应的。
然而，我们应该看到，不同层次的人才对应着不同层次的社会需求。高等教育的目的是为国家培养出具有良好的思想道德素质、扎实的基础理论知识、宽广的科学技术知识面、良好的创新意识和创新能力的高素质人才，而随着集成电路、液晶、有机薄膜发光及太阳能电池等信息产业投产规模的不断扩大，从事基本劳动的产业技术工人需求量也在大幅增加，这给职业教育开设微电子技术专业带来了契机，我们必须牢牢抓住这个契机，为社会培养合格的技术工人，适应企业的发展。
目前，市场对从事此类工作的工人需求很多，甚至供不应求，呈现“用工荒”状态，而且真正经过专业培训的合格技术工人几乎很难找到，农民工缺乏相应的技术，不能满足像因特公司、京东方、上广电、大连路明集团、大连久久光电、大连德豪光电这样科技产业的用工需要，从这一点来看，企业需求具有一定技术技能型的工人来充实一线生产。因此，今后一段时间，职业教育应该注重微电技术专业领域技术工人的培养。
四、专业设置的方向和意义
从前面国内外电子科学与技术行业的现状和发展趋势来看，美国、西欧、日本、韩国、台湾地区的电子科学与技术产业早已完成飞速发展的上升期，进入稳步而缓慢的平台。而我国随着新能源、新材料、节能减排、低碳生活这一国策的深入倡导，随着市场开放和外资的不断涌入，电子科学与技术产业正突飞猛进、焕发活力。今后我国电子科学与技术产业还将有明显的发展空间，高科技含量的自主研发的产品将会占领全球主导市场，随着社会需求逐步扩大，微电子技术专业的就业前景十分看好，企业需求具有一定技术技能型的工人来充实一线生产。因此，今后几年内，职业教育应该注重微电子技术专业领域人才的培养。
合格人才的培养不是一个孤立的事件，而是一个复杂的工程，它既是专业知识的培训过程又是思想道德素质的提高过程；它更要求学校要适应产业发展需要，培养的学生既要有专业技能又要脚踏实地；既要有“教方”教改的灵活变化，更要有“学方”学习内容的切合实际。这些决定教育质量和产业发展的环节相辅相成、缺一不可。电子科学与技术专业的教育质量、规模、结构和市场的关系是一种相互制约、相辅相成的辩证关系。教学必须适应生产力的发展需要，课程设置、专业规模和结构必然受到行业市场冷热的影响。就学校而言，教育质量除了受到教师、教材、课程、授课方式等纯教学因素的影响之外，同时也受到产业规模和结构的制约，课程结构设置要和企业需求密切结合。
1.课程设置中：明确设课目的。明确基础课、实训课之间的学时比例，要了解社会需求对课程的模式、培养方向起到决定性作用。起点不同的学生技术专业也应定位在不同的培养层次上。一般来讲，高中毕业起点的学生课程选择应该在对材料生长的了解、清洗工艺、净化及器件工艺的学习掌握；初中起点学生的培养目标是普通型工人，学校的办学目标不能一刀切，应根据需求分出层次。内容应根据市场需求，不能盲目制定教学计划而脱离实际，要大胆结合企业用工需求，培养称职的技术工人。
2.教学环节中：在目前的社会环境和市场调节的作用下，如何提高教学质量是一个重大和综合性的课题。影响教学质量的校内要素是“教”与“学”，“教方”的要素有教师队伍、课程设置、教材选择、教学方式；“学方”的要素是学习目的、上课态度。教学质量取决于以下因素：教方能否真正及时了解和掌握市场信息，教师有没有适应市场需求的教学能力；课程设置能不能和学生的接受能力吻合，既要按需设课也要“因人设课”，实验和实习环节不能流于形式；教材选择和讲授内容既要按照统一标准，又要“因人施教”、“因需施教”；教学方式达到在不偏离教学要求前提下的多样化；以宽进严出的原则对待学生、教授知识。
3.从“教”与“学”两个方面来抓“质量”：第一，必须重视教师队伍的建设，注重教师的基本素质，如思想品德、敬业和专业知识面等；第二，应该注重教师的再学习，这包括教授课程的学习与拓宽，要掌握扑捉微电子学科发展的洞察力和知识的更新能力；第三，随着电子科学与技术的不断发展，应该注重课程设置的不断更新和调整；第四，课程设置必须同样注重教学和实验两个环节，加强实验教学环节带学生多参加实训，对于培养学生的接受、掌握专业知识和动手能力非常必要，即课堂与课下相结合，讲课与实验相结合，平时与考试相结合。
课程结构设置要和企业需求密切结合，要受到产业规模和结构的制约，专业规模和结构必须适应行业市场的需求。可以根据订单招生开课；建立以电子器件封装为主的小型实验工艺生产线；和企业联合办学，利用他们的生产线做培养学生的实训基地。
2009年我校招收的第一届微电专业，课程设置就是根据企业需求来安排的，主要方向是半导体工艺：针对路明、因特主要教授的是芯片工艺，针对路美介绍了一些半导体材料的生长工艺，还针对京东方讲授了关于液晶的工艺过程。可以根据市场要求填充关于太阳能电池、二极管、液晶等制作工艺等。做到教学内容从满足就业市场要求出发，既符合职业学校的定位、又要易于职业学校的学生接受，努力达到这样的知识结构。
集成电路市场现状范文6
当今社会是信息化发展迅猛的社会，各种高新技术不断涌现出来，通信系统显得尤为重要，通信系统与集成电路已经密不可分了。如何利用集成电路工艺设计出高性能的集成电路是电子信息技术产业急需解决的问题。该文将要简要介绍光纤通信光电集成电路工艺设计分析。
关键词：
现代；光纤通信；光电集成；路集成电路；设计分析
随着国家的发展，社会的进步，人类的生活已经离不开通信方式了，各种各样的交流活动都是需要通讯的传递的。不管我们通过何种方式、何种途径，只要将我们想要传递的信息传递到另外一个地方，就是称为通信。古代所传递信息的方式方法也是多种多样的。但是它们相对来说特别落后，时间也会非常地久。而现代的通信方式中，电话通信是应用最广泛的一种。
1什么是光纤通信
近几年来，随着技术的进步，电信管理体制的改革以及电信市场的全面开放，光纤通信的发展呈现了一番全新的景象。所谓光纤通信就是一种以光线为传媒的通信方式，利用广播实现信息的传送。光纤通讯就是以光导纤维作为信号传输介质的通讯系统。具有抗干扰性好，超高带宽等特点。如今社会我们使用的光纤通信有许多的优点，例如，它可以传输频带宽、通信容量大；传输损耗低、中继距离长；线径细、重量轻，原料为石英，节省金属材料，这样一来，节约了许多资源和能源，有利于资源合理地开发和使用；绝缘、抗电磁干扰性能强；还具有抗腐蚀能力强、抗辐射能力强、可绕性好、无电火花、泄露小、保密性强等优点，同时它也可以用在特殊环境或者军事行动中。光纤通信的原理是：在发送端首先要把传送的信息变成电信号，然后调制到激光器发出的激光束上，使光的强度随电信号的幅度变化而变化，并通过光纤发送出去；在接收端，检测器收到光信号后把它变换成电信号，经解调后恢复原信息。随着信息技术传输速度日益更新，光纤技术已得到广泛的重视和应用。在多微机电梯系统中，光纤的应用充分满足了大量的数据通信正确、可靠、高速传输和处理的要求。光纤技术在电梯上的应用，大大提高了整个控制系统的反应速度，使电梯系统的并联群控性能有了明显提高。电梯上所使用的光纤通信装置主要由光源、光电接收器和光纤组成。
2集成电路的实现
集成工艺技术也就是在最近的一二十年取得了飞速的发展。随着元器件尺寸大小的不断减小，集成电路的集成速度也在不断地提高。发展迅速的集成电路工艺技术为通信系统的发展奠定了坚实的基础。当下，利用光电集成电路实现的光的发射和接收装置已经被各个实验室所广泛使用。光电集成电路在单片上集成的光和电元件越来越多了，这就是光电集成电路速度越来越快的原因。
3光纤通信现状
光纤通信技术的发展带动了光纤产业的进步。想要实现光发射与光电集成电路是非常容易的，但是想要实现高速系统的混合集成是非常困难的。由于毫米波信号是狭窄的，所以可以使用混合集成工艺来实现毫米波系统，我们可以这样来设计集成电路及其组成部分，使其波段上的输入和输出阻抗保持在大约50欧姆左右，即使用50欧姆的传输线来连接元器件和集成电路。此外，例如激光驱动、时钟恢复、数据判决、复接、光接收放大等各种类型的模拟、数字、混合集成电路依然可以轻松实现，这是因为电路也可以设计成输入输出是50欧姆的阻抗。想要利用混合方法实现高速光发射机与接收机的真正困难所在是激光二极管和光检测器的阻抗不是50欧姆。尤其是激光二极管，他的非线性无法进行混合集成的。没有合适的匹配网络将基带数据信号从激光二极管连接到驱动器或者从光检测器连接到前置放大器上，就会大大地降低了系统的操作性能。这样相比利用光发送和光接收的集成电路来实现是十分简便的。利用光集成电路实现光发射和接收不仅可靠性高而且成本低。但是用光电集成电路也是具有一定的挑战性的，制作光元件和电子电路所需要的材料是存在一定的差别的。现在制造高速光发射和接受光电集成电路在光传输系统中是十分必要的。这个设计工艺的难点在于要形成材料，即适合制造光电器件和电子电路所需要的制作材料，此外还要设计出光电集成电路。现实很残酷，大家仍需努力。
4光电集成电路
光发射机光电集成电路一般是由同一底上的激光二极管和驱动电路构成的。集成电路其中包括了电子元器件结构的生长、激光、激光二极管、电阻器、晶体管等电子元件的制造，其中光电元件和金属化连接是比较困难的。在外延生长的衬底上，大概需要三个工序来集成光电集成电路，分别为制作激光二极管、制作电子电路、进行光电元件之间的连接。首先要制作激光二极管，激光二极管的P型区域欧姆接触层通过蒸发形成金属状态，随后利用光刻法来生成激光二极管的大概区间，然后进行湿法刻蚀形成接触激光二极管的N区区间，最后在活性离子刻蚀体系中完成刻蚀过程，直到遇到AGAAS层后停止刻蚀过程。AGAAS层能隔离电子电路机构和激光结构，形成一种薄膜电阻，从而形成第一金属层和空气桥两个连接层。我们通常采用空气桥连接激光二极管的P区，采用第一金属层连接激光二极管的N区，这样就能很好地实现激光二极管和电子电路层的连接。这就实现了一个量子激光器的光电集成电路了。制作光电集成电路的芯片也是存在一定的难度的，目前端面反射激光镜的干腐蚀技术尚未成熟，只能用解离的方法来完成，所以说集成激光驱动器电路还有很大的空间有待开发。光电集成电路分别是由光检测器、前置放大器以及主放大器构成的，这其中包括数据判决器、时钟恢复和分接电路。光检测器的集成是光电集成电路中最重要的一个部分，而金属-半导体-金属光检测器（MSM）因为只需要少步骤的追加工艺，和如名字一般较为实惠且广泛的材料在雪崩类型光电检测器和p-i-n被广泛运用的同时也被单片集成光接收机广泛的使用着。在设计中第一级为基本放大单元，是共源放大电路且带有源负载，电阻的反馈由电压并联负反馈，电平位移级使用的是两级源级跟随器，它被接入到后面，与此同时，又需要引进一个肖特基二极管，这样就起到了一个降低反馈点的直流电平所特需的水平的作用，达到了这样一个效果后，在偏低压的条件下，电路同样可以正常工作。
5主要工艺流程
第一步，我们要准备好充足的材料，对材料进行结构和参数方面的设计计算，并确定材料的外延生长，来确定集成方式及集成所需要的元器件。第二步，对PD台面进行腐蚀，首先腐蚀掉INP层露出HEMT的帽层，把MSM保留在芯片上，即通过把PD台面以外的PD层材料腐蚀掉来露出HEMT层。第三步就是进行器件的隔离工作，仍然使用台面腐蚀的办法将HEMT和PD元器件之间隔离起来，想要实现比较好的隔离效果就一定要准确的腐蚀到半绝缘衬底上。最后就是保护芯片的工作了，在芯片表面沉淀一层介质，这样不仅保护了芯片表面还成为了源漏的辅助剥离介质。
6结束语
光纤通信技术作为通信产业中的支柱，是我们现如今社会中使用最多的通信方式。即使在现在的社会当中，光纤通信技术得到了十分稳定有效的发展，但是现在科技发展如此之快，越来越多的新技术涌现出来，我国的通信技术水平也得到了明显的改善与提高，光纤通信的使用范围和价值也在悄悄地扩张。但是光纤通信技术为了迎合网络时代，必须有更高层次的发展，才能占据市场的主流地位。我相信随着光通信技术更加深入地发展，光纤通信一定会对整个通信行业甚至社会的进步起到举足轻重的作用。
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