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材料导论论文范文1
关键词半导体材料量子线量子点材料光子晶体
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料
从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（CZ－Si）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后CZ－Si发展的总趋势。目前直径为8英寸（200mm）的Si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm）硅片的集成电路（IC’s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm，0．18μm工艺的硅ULSI生产线已经投入生产，300mm,0．13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。
从进一步提高硅IC’S的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，SOI材料，包括智能剥离（Smartcut）和SIMOX材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。
理论分析指出30nm左右将是硅MOS集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题，更重要的是将受硅、SiO2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘材料（如用Si3N4等来替代SiO2），低K介电互连材料，用Cu代替Al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子计算和DNA生物计算等之外，还把目光放在以GaAs、InP为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。
2.2GaAs和InP单晶材料
GaAs和InP与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。
目前，世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（VGF）和水平（HB）方法生长的2－3英寸的导电GaAs衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（4,6和8英寸）的SI－GaAs发展很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的SI－GaAs集成电路生产线。InP具有比GaAs更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。
GaAs和InP单晶的发展趋势是：（1）．增大晶体直径，目前4英寸的SI－GaAs已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的SI－GaAs也将投入工业应用。(2)．提高材料的电学和光学微区均匀性。（3）．降低单晶的缺陷密度，特别是位错。（4）．GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。
2.3半导体超晶格、量子阱材料
半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术（MBE，MOCVD）的新一代人工构造材料。它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。
(1)Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料。GaAIAs／GaAs，GaInAs／GaAs，AIGaInP／GaAs；GalnAs／InP，AlInAs／InP，InGaAsP／InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。高电子迁移率晶体管(HEMT），赝配高电子迁移率晶体管（P－HEMT）器件最好水平已达fmax=600GHz，输出功率58mW,功率增益6.4db;双异质结双极晶体管（HBT）的最高频率fmax也已高达500GHz,HEMT逻辑电路研制也发展很快。基于上述材料体系的光通信用1．3μm和1.5μm的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化；表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。目前，研制高质量的1．5μm分布反馈（DFB）激光器和电吸收（EA）调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键，在实验室西门子公司已完成了80×40Gbps传输40km的实验。另外，用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。
虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件，但由于其有源区极薄(～0．01μm）端面光电灾变损伤，大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。我国早在1999年，就研制成功980nmInGaAs带间量子级联激光器，输出功率达5W以上；2000年初，法国汤姆逊公司又报道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。最近，我国的科研工作者又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器研究，这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器，在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。
为克服PN结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制，1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器，突破了半导体能隙对波长的限制。自从1994年InGaAs／InAIAs／InP量子级联激光器（QCLs）发明以来，Bell实验室等的科学家，在过去的7年多的时间里，QCLs在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。2001年瑞士Neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9．1μm的QCLs的工作温度高达312K，连续输出功率3mW。量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段（3－87μm），并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120K5μm和250K8μm的量子级联激光器；中科院半导体研究所于2000年又研制成功3．7μm室温准连续应变补偿量子级联激光器，使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。
目前，Ⅲ－V族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向，正从直径3英寸向4英寸过渡；生产型的MBE和M0CVD设备已研制成功并投入使用，每台年生产能力可高达3．75×104片4英寸或1．5×104片6英寸。英国卡迪夫的MOCVD中心，法国的PicogigaMBE基地，美国的QED公司，Motorola公司，日本的富士通，NTT，索尼等都有这种外延材料出售。生产型MBE和MOCVD设备的成熟与应用，必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。
(2)硅基应变异质结构材料。硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。虽经多年研究，但进展缓慢。人们目前正致力于探索硅基纳米材料（纳米Si／SiO2），硅基SiGeC体系的Si1－yCy/Si1－xGex低维结构，Ge／Si量子点和量子点超晶格材料，Si／SiC量子点材料，GaN／BP／Si以及GaN／Si材料。最近，在GaN／Si上成功地研制出LED发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的报道，使人们看到了一线希望。
另一方面，GeSi／Si应变层超晶格材料，因其在新一代移动通信上的重要应用前景，而成为目前硅基材料研究的主流。Si/GeSiMODFET和MOSFET的最高截止频率已达200GHz，HBT最高振荡频率为160GHz，噪音在10GHz下为0．9db，其性能可与GaAs器件相媲美。
尽管GaAs／Si和InP／Si是实现光电子集成理想的材料体系，但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效，防碍着它的使用化。最近，Motolora等公司宣称，他们在12英寸的硅衬底上，用钛酸锶作协变层（柔性层），成功的生长了器件级的GaAs外延薄膜，取得了突破性的进展。
2.4一维量子线、零维量子点半导体微结构材料
基于量子尺寸效应、量子干涉效应，量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造（通过能带工程实施）的新型半导体材料，是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。它的发展与应用，极有可能触发新的技术革命。
目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上，如GaAlAs／GaAs，In（Ga）As／GaAs，InGaAs／InAlAs／GaAs，InGaAs／InP，In（Ga）As／InAlAs／InP,InGaAsP／InAlAs／InP以及GeSi／Si等，并在纳米微电子和光电子研制方面取得了重大进展。俄罗斯约飞技术物理所MBE小组，柏林的俄德联合研制小组和中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组等研制成功的In（Ga）As／GaAs高功率量子点激光器，工作波长lμm左右，单管室温连续输出功率高达3．6～4W。特别应当指出的是我国上述的MBE小组，2001年通过在高功率量子点激光器的有源区材料结构中引入应力缓解层，抑制了缺陷和位错的产生，提高了量子点激光器的工作寿命，室温下连续输出功率为1W时工作寿命超过5000小时，这是大功率激光器的一个关键参数，至今未见国外报道。
在单电子晶体管和单电子存贮器及其电路的研制方面也获得了重大进展，1994年日本NTT就研制成功沟道长度为30nm纳米单电子晶体管，并在150K观察到栅控源－漏电流振荡；1997年美国又报道了可在室温工作的单电子开关器件，1998年Yauo等人采用0．25微米工艺技术实现了128Mb的单电子存贮器原型样机的制造，这是在单电子器件在高密度存贮电路的应用方面迈出的关键一步。目前，基于量子点的自适应网络计算机，单光子源和应用于量子计算的量子比特的构建等方面的研究也正在进行中。
与半导体超晶格和量子点结构的生长制备相比，高度有序的半导体量子线的制备技术难度较大。中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的MBE小组，在继利用MBE技术和SK生长模式，成功地制备了高空间有序的InAs／InAI（Ga）As／InP的量子线和量子线超晶格结构的基础上，对InAs／InAlAs量子线超晶格的空间自对准（垂直或斜对准）的物理起因和生长控制进行了研究，取得了较大进展。
王中林教授领导的乔治亚理工大学的材料科学与工程系和化学与生物化学系的研究小组，基于无催化剂、控制生长条件的氧化物粉末的热蒸发技术，成功地合成了诸如ZnO、SnO2、In2O3和Ga2O3等一系列半导体氧化物纳米带，它们与具有圆柱对称截面的中空纳米管或纳米线不同，这些原生的纳米带呈现出高纯、结构均匀和单晶体，几乎无缺陷和位错；纳米线呈矩形截面，典型的宽度为20－300nm，宽厚比为5－10，长度可达数毫米。这种半导体氧化物纳米带是一个理想的材料体系，可以用来研究载流子维度受限的输运现象和基于它的功能器件制造。香港城市大学李述汤教授和瑞典隆德大学固体物理系纳米中心的LarsSamuelson教授领导的小组，分别在SiO2／Si和InAs／InP半导体量子线超晶格结构的生长制各方面也取得了重要进展。
低维半导体结构制备的方法很多，主要有：微结构材料生长和精细加工工艺相结合的方法，应变自组装量子线、量子点材料生长技术，图形化衬底和不同取向晶面选择生长技术，单原子操纵和加工技术，纳米结构的辐照制备技术，及其在沸石的笼子中、纳米碳管和溶液中等通过物理或化学方法制备量子点和量子线的技术等。目前发展的主要趋势是寻找原子级无损伤加工方法和纳米结构的应变自组装可控生长技术，以求获得大小、形状均匀、密度可控的无缺陷纳米结构。
2.5宽带隙半导体材料
宽带隙半导体材主要指的是金刚石，III族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（ZnO等）及固溶体等，特别是SiC、GaN和金刚石薄膜等材料，因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点，成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料；在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。另外，III族氮化物也是很好的光电子材料，在蓝、绿光发光二极管（LED)和紫、蓝、绿光激光器（LD）以及紫外探测器等应用方面也显示了广泛的应用前景。随着1993年GaN材料的P型掺杂突破，GaN基材料成为蓝绿光发光材料的研究热点。目前，GaN基蓝绿光发光二极管己商品化，GaN基LD也有商品出售，最大输出功率为0．5W。在微电子器件研制方面，GaN基FET的最高工作频率（fmax）已达140GHz，fT=67GHz，跨导为260ms／mm；HEMT器件也相继问世，发展很快。此外，256×256GaN基紫外光电焦平面阵列探测器也已研制成功。特别值得提出的是，日本Sumitomo电子工业有限公司2000年宣称，他们采用热力学方法已研制成功2英寸GaN单晶材料，这将有力的推动蓝光激光器和GaN基电子器件的发展。另外，近年来具有反常带隙弯曲的窄禁带InAsN，InGaAsN,GaNP和GaNAsP材料的研制也受到了重视，这是因为它们在长波长光通信用高T0光源和太阳能电池等方面显示了重要应用前景。
以Cree公司为代表的体SiC单晶的研制已取得突破性进展，2英寸的4H和6HSiC单晶与外延片，以及3英寸的4HSiC单晶己有商品出售；以SiC为GaN基材料衬低的蓝绿光LED业已上市，并参于与以蓝宝石为衬低的GaN基发光器件的竟争。其他SiC相关高温器件的研制也取得了长足的进步。目前存在的主要问题是材料中的缺陷密度高，且价格昂贵。
II－VI族兰绿光材料研制在徘徊了近30年后，于1990年美国3M公司成功地解决了II－VI族的P型掺杂难点而得到迅速发展。1991年3M公司利用MBE技术率先宣布了电注入（Zn，Cd）Se／ZnSe兰光激光器在77K（495nm）脉冲输出功率100mW的消息，开始了II－VI族兰绿光半导体激光（材料）器件研制的。经过多年的努力，目前ZnSe基II－VI族兰绿光激光器的寿命虽已超过1000小时，但离使用差距尚大，加之GaN基材料的迅速发展和应用，使II－VI族兰绿光材料研制步伐有所变缓。提高有源区材料的完整性，特别是要降低由非化学配比导致的点缺陷密度和进一步降低失配位错和解决欧姆接触等问题，仍是该材料体系走向实用化前必须要解决的问题。
宽带隙半导体异质结构材料往往也是典型的大失配异质结构材料，所谓大失配异质结构材料是指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理参数有较大差异的材料体系，如GaN／蓝宝石（Sapphire），SiC／Si和GaN／Si等。大晶格失配引发界面处大量位错和缺陷的产生，极大地影响着微结构材料的光电性能及其器件应用。如何避免和消除这一负面影响，是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题。这个问题的解泱，必将大大地拓宽材料的可选择余地，开辟新的应用领域。
目前，除SiC单晶衬低材料，GaN基蓝光LED材料和器件已有商品出售外，大多数高温半导体材料仍处在实验室研制阶段，不少影响这类材料发展的关键问题,如GaN衬底，ZnO单晶簿膜制备，P型掺杂和欧姆电极接触，单晶金刚石薄膜生长与N型掺杂，II－VI族材料的退化机理等仍是制约这些材料实用化的关键问题，国内外虽已做了大量的研究，至今尚未取得重大突破。
3光子晶体
光子晶体是一种人工微结构材料，介电常数周期的被调制在与工作波长相比拟的尺度，来自结构单元的散射波的多重干涉形成一个光子带隙，与半导体材料的电子能隙相似，并可用类似于固态晶体中的能带论来描述三维周期介电结构中光波的传播，相应光子晶体光带隙（禁带）能量的光波模式在其中的传播是被禁止的。如果光子晶体的周期性被破坏，那么在禁带中也会引入所谓的“施主”和“受主”模，光子态密度随光子晶体维度降低而量子化。如三维受限的“受主”掺杂的光子晶体有希望制成非常高Q值的单模微腔，从而为研制高质量微腔激光器开辟新的途径。光子晶体的制备方法主要有：聚焦离子束（FIB）结合脉冲激光蒸发方法，即先用脉冲激光蒸发制备如Ag/MnO多层膜，再用FIB注入隔离形成一维或二维平面阵列光子晶体；基于功能粒子（磁性纳米颗粒Fe2O3，发光纳米颗粒CdS和介电纳米颗粒TiO2）和共轭高分子的自组装方法，可形成适用于可见光范围的三维纳米颗粒光子晶体；二维多空硅也可制作成一个理想的3－5μm和1．5μm光子带隙材料等。目前，二维光子晶体制造已取得很大进展，但三维光子晶体的研究，仍是一个具有挑战性的课题。最近，Campbell等人提出了全息光栅光刻的方法来制造三维光子晶体，取得了进展。
4量子比特构建与材料
随着微电子技术的发展，计算机芯片集成度不断增高，器件尺寸越来越小（nm尺度）并最终将受到器件工作原理和工艺技术限制，而无法满足人类对更大信息量的需求。为此，发展基于全新原理和结构的功能强大的计算机是21世纪人类面临的巨大挑战之一。1994年Shor基于量子态叠加性提出的量子并行算法并证明可轻而易举地破译目前广泛使用的公开密钥Rivest，Shamir和Adlman（RSA）体系，引起了人们的广泛重视。
所谓量子计算机是应用量子力学原理进行计算的装置，理论上讲它比传统计算机有更快的运算速度，更大信息传递量和更高信息安全保障，有可能超越目前计算机理想极限。实现量子比特构造和量子计算机的设想方案很多，其中最引人注目的是Kane最近提出的一个实现大规模量子计算的方案。其核心是利用硅纳米电子器件中磷施主核自旋进行信息编码，通过外加电场控制核自旋间相互作用实现其逻辑运算，自旋测量是由自旋极化电子电流来完成，计算机要工作在mK的低温下。
这种量子计算机的最终实现依赖于与硅平面工艺兼容的硅纳米电子技术的发展。除此之外，为了避免杂质对磷核自旋的干扰，必需使用高纯（无杂质）和不存在核自旋不等于零的硅同位素（29Si）的硅单晶；减小SiO2绝缘层的无序涨落以及如何在硅里掺入规则的磷原子阵列等是实现量子计算的关键。量子态在传输，处理和存储过程中可能因环境的耦合（干扰），而从量子叠加态演化成经典的混合态，即所谓失去相干，特别是在大规模计算中能否始终保持量子态间的相干是量子计算机走向实用化前所必需克服的难题。
5发展我国半导体材料的几点建议
鉴于我国目前的工业基础，国力和半导体材料的发展水平，提出以下发展建议供参考。
5.1硅单晶和外延材料
硅材料作为微电子技术的主导地位至少到本世纪中叶都不会改变，至今国内各大集成电路制造厂家所需的硅片基本上是依赖进口。目前国内虽已可拉制8英寸的硅单晶和小批量生产6英寸的硅外延片，然而都未形成稳定的批量生产能力，更谈不上规模生产。建议国家集中人力和财力，首先开展8英寸硅单晶实用化和6英寸硅外延片研究开发，在“十五”的后期，争取做到8英寸集成电路生产线用硅单晶材料的国产化，并有6～8英寸硅片的批量供片能力。到2010年左右，我国应有8～12英寸硅单晶、片材和8英寸硅外延片的规模生产能力；更大直径的硅单晶、片材和外延片也应及时布点研制。另外，硅多晶材料生产基地及其相配套的高纯石英、气体和化学试剂等也必需同时给以重视，只有这样，才能逐步改观我国微电子技术的落后局面，进入世界发达国家之林。
5.2GaAs及其有关化合物半导体单晶
材料发展建议
GaAs、InP等单晶材料同国外的差距主要表现在拉晶和晶片加工设备落后，没有形成生产能力。相信在国家各部委的统一组织、领导下，并争取企业介入，建立我国自己的研究、开发和生产联合体，取各家之长，分工协作，到2010年赶上世界先进水平是可能的。要达到上述目的，到“十五”末应形成以4英寸单晶为主2－3吨／年的SI－GaAs和3－5吨／年掺杂GaAs、InP单晶和开盒就用晶片的生产能力，以满足我国不断发展的微电子和光电子工业的需术。到2010年，应当实现4英寸GaAs生产线的国产化，并具有满足6英寸线的供片能力。
5.3发展超晶格、量子阱和一维、零维半导体
微结构材料的建议
(1)超晶格、量子阱材料
从目前我国国力和我们已有的基础出发，应以三基色（超高亮度红、绿和蓝光）材料和光通信材料为主攻方向，并兼顾新一代微电子器件和电路的需求，加强MBE和MOCVD两个基地的建设，引进必要的适合批量生产的工业型MBE和MOCVD设备并着重致力于GaAlAs／GaAs，InGaAlP／InGaP,GaN基蓝绿光材料，InGaAs／InP和InGaAsP／InP等材料体系的实用化研究是当务之急，争取在“十五”末，能满足国内2、3和4英寸GaAs生产线所需要的异质结材料。到2010年，每年能具备至少100万平方英寸MBE和MOCVD微电子和光电子微结构材料的生产能力。达到本世纪初的国际水平。
宽带隙高温半导体材料如SiC，GaN基微电子材料和单晶金刚石薄膜以及ZnO等材料也应择优布点，分别做好研究与开发工作。
(2)一维和零维半导体材料的发展设想。基于低维半导体微结构材料的固态纳米量子器件，目前虽然仍处在预研阶段，但极其重要，极有可能触发微电子、光电子技术新的革命。低维量子器件的制造依赖于低维结构材料生长和纳米加工技术的进步，而纳米结构材料的质量又很大程度上取决于生长和制备技术的水平。因而，集中人力、物力建设我国自己的纳米科学与技术研究发展中心就成为了成败的关键。具体目标是，“十五”末，在半导体量子线、量子点材料制备，量子器件研制和系统集成等若干个重要研究方向接近当时的国际先进水平；2010年在有实用化前景的量子点激光器，量子共振隧穿器件和单电子器件及其集成等研发方面，达到国际先进水平，并在国际该领域占有一席之地。可以预料，它的实施必将极大地增强我国的经济和国防实力。
材料导论论文范文2
阅读下面的文字，根据要求作文。
材料一：最近，日本著名管理大师大前研一在《低智商社会》中说：“在中国旅行时发现，城市中遍街都是按摩店，而书店却寥寥无几，中国人均每天读书不足15分钟，人均阅读量只有日本的几十分之一，中国是典型的‘低智商社会’，未来毫无希望成为发达国家。”
材料二：根据中国出版科学研究所最近开展的全民阅读调查，我国国民每年人均阅读图书仅有4.5本，远低于韩国的11本、法国的20本、日本的40本、以色列的64本。除了人均阅读量较低外，我国国民阅读另一个让人忧虑的倾向是“功利性和实用性突出”。据统计，在全国有限的人均购书中，八成都是课本教材；在各大书店的销售统计中，教材参考、考试辅导类的书籍也占了很大的比重。
读了这两则材料之后，你有何感想？请选择一角度作文，立意自定，文体自选；题目自定，不少于800字。
[写作指导]
这两则素材共同指向阅读量。在百度一下就能找到一切的资讯时代，必须承认只有大量阅读才能生存下去。阅读对于个体，可以获取知识，陶冶情操，培养技能；阅读对于民族、国家，可以传承民族文化，提升国民素质，增强国家软实力。可从“阅读的重要性”角度立意。
大前研一的观点无疑给了我们当头棒喝。一个民族如果失去了读书的耐心，很难想象她还会有追求更高境界的动力和执着。不读书的民族是没有未来的民族，不读书的国家是没有希望的国家，我们应该从日本人的话中感到危机。可从“危机”、“民族的未来”、“国家的发展”等角度立意。
中国是否有走向低智商社会的危险，不是大前研一说了算，也不能仅凭目前国人的低阅读量就妄下结论。在意识到危机的同时，我们更应该正视现实，面对未来，思考如何改变现状，不能失掉民族自信。可从“民族自信心”的角度立意。
[例文]
弱智心态比弱智本身更可怕
李飞
最近，日本著名管理大师大前研一在《低智商社会》中说：“中国城市遍街都是按摩店，而书店却寥寥无几。中国人均每天读书不足15分钟，人均阅读量只有日本的几十分之一。中国是典型的‘低智商社会’，未来毫无成为发达国家的希望。”此语一出，立即受到社会精英们唇枪舌剑的攻讦。他们理直气壮地拿出锈迹斑驳的文化遗产，要证明我们创造五千年泱泱文明的无穷智慧。
我们总愿意“站在前人的肩膀上”俯瞰世界，不为继往开来，只求说一声：“瞧，我多伟大！”以此来掩饰自己讳疾忌医的空虚与羞赧。有人发出“写书的人越来越多，而读书的人越来越少”的慨叹，但很快被所谓“OUT”的鄙夷与不屑所淹没。的确，汗牛充栋的图书馆已无人问津，而各种“雷人”的“名嘴”却令人趋之若鹜。高山仰止的学问造诣不再令人敬佩，“HOLD”住四座才令人叹服。不同于抗战时期的华北地区容不下一张安静的书桌，躁动不安的社会已经容不下一帙书卷。
中国人历来都是不缺智商的。但我们为何会被外国人指责将成为弱智？撇开意识形态的因素不谈，那是因为我们没有用书籍来陶冶蒙尘的心灵，培养健全的人格。如果说书籍是人类精神的食粮，那么我们现在就处在饥饿不堪的惨状。温总理说过：“我愿意看到人们坐地铁的时候手里能够拿着一本书。因为我一直认为，知识不仅给人力量，还给人安全，给人幸福。”许多国家也在各个路口与站台旁设立免费书架，供人们随时取阅。反而观之，省之，我们的公交站台上、地铁里，情侣们旁若无人地打情骂俏，三三两两的上班族讨论着绯闻八卦、家长里短，中小学生也在嘟嘟哝哝地抱怨着……这一切，能带来书籍所给予的精神升华吗？恐怕是只能让疲惫麻木的心灵在飞溅的口水中“相濡以沫”吧！这一切，也许就是弱智的外化体现。
我们身边有许多弱智的词汇在潜滋暗长。什么“不要迷恋哥，哥只是个传说”、“神马都是浮云”等，诸如此类。相对之下，创新的学术语言却沉寂无声。既然我们有如此高的智商，为什么都用到了创造这些无厘头的哗众取宠之语上了呢？显然，这又是弱智的心态在作怪，它正在逐渐渗透到我们的骨髓与血液里，让我们迷失，出卖着自己最原始也最本真的智慧，最终走向死胡同。
也许，“没文化，真可怕”并不只是一个噱头。少了书籍的民族，纵使成为了经济发达的国家，也只能做被他国文化同化的牺牲品。毕竟，弱智的心态比弱智本身更可怕！
材料导论论文范文3
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您的论文指导、答辩费标准为元/人，其中，推迟答辩、论文成绩不合格的学生不计论文指导费用。
同时，也希望您按以下要求指导学生撰写毕业论文:
1、论文指导教师须出席师生见面会，帮助学生做好选题工作（尽量避免学生“大题小作”的情况）。学生选定题目后，指导老师要向学生介绍论文题目的意义和要求、论文格式，指导学生收集和阅读有关的参考材料，介绍必要的参考书目。
2、论文的指导形式主要分为面对面指导、电话及E-mail等多种形式。
3、请保质保量按时完成论文指导任务。
（1）在论文指导过程的初始阶段，论文指导教师应本着高度负责的态度，指导学生开展社会调查，收集第一手资料，做好调查材料的研究和分类，用社会调查得到的材料，作为文章的论据，并引导学生拟定论文提纲。
（2）论文撰写周期为三个月，写作的流程分为：大纲初稿二稿三稿（定稿），大纲时间为6月25日至7月10日，初稿时间为7月11日至8月20日，二稿时间为8月21日至9月5日，定稿的时间为9月20日（即学生在9月20日可以将论文定稿打印、装订）。论文指导教师须指导学生制定撰写毕业论文的具体进度、计划，按写作计划检查学生论文的进展情况，督促学生加快论文撰写的进度，并将学生的论文撰写进度情况及时反馈给我们（在《毕业论文分组名单》大纲情况、初稿情况、定稿情况栏中直接填写）。
同时，指导教师还需耐心细致地修改论文，从结构、内容、语言、格式等方面给学生提供指导，对毕业论文中存在的问题应给予及时指导，并帮助学生解决问题。请论文指导教师务必督促学生严格按照博导发放的论文格式要求完成毕业论文写作，在规定时间内给学生定稿。
4、受聘老师须审阅论文，评定论文成绩，并指导学生论文提要的写作及论文答辩的方法和技巧，按时评定成绩和填写评语。学生定稿后一周内，指导老师需要提供给我机构的资料有：
（1）《毕业论文成绩登记表》。（学生会将电子版的《深圳大学管理学院自学考试本科毕业论文成绩登记表》发送给论文指导老师），请论文指导老师将《成绩登记表》打印出来并以手写的方式填写，填写的内容包括：指导老师评语（黑色签字笔填写）、指导老师签名（黑色签字笔填写）、论文成绩（用铅笔填写），填写完后于2011年9月28日之前交给我机构毕业论文工作的主要负责人孙曼老师或李红老师。
（2）《毕业论文分组名单》。成绩请填写在《毕业论文分组名单》成绩栏里，评分具体做法：评分采用百分制，其中优秀（90分以上）的比例不超过本次指导人数的15%，填写完毕后请于答辩会之前将电子版发到博导论文的邮箱（bodaolunwen_swgl@163.com）。
（3）论文答辩题目。请各位指导老师针对所指导的学生的毕业论文，给出三道答辩题目，填写在《论文答辩题目》中。
论文指导老师如在指导论文写作的过程中遇到问题，请与我机构毕业论文工作的主要负责人 孙曼老师：办公电话：020-22855507。
李红老师：办公电话：020-22855685，QQ：1442024058。
5、出席答辩会，评定最终成绩。
备注：1、本次论文答辩采取笔答和口答相结合的形式，答辩时间将定于10月中旬左右，具体安排，另行通知。
2、请指导老师在指导论文过程中核对学生的姓名，如有不是我们指定名单的学生，我们将不给予支付论文指导、答辩费。
此致
敬礼！
材料导论论文范文4
结论是对论文主要成果的总结，客观反映了论文或研究成果的价值。论文的结论与问题相呼应，与摘要一样，可以为读者和二级文学作者提供依据。结论的内容不是对研究成果的简单重复，而是对研究成果的更深层次的理解。它是通过判断、归纳和推理的过程，从正文的全部内容和导言的部分内容中获得的一种新的概观。毕业论文的研究结论通常由三部分组成：研究结论、不足、后续研究或建议。
1、 论文总体内容概述
结语部分是对全文的总结。通过导论对毕业论文进行了延伸，如研究背景和问题、文献综述、研究方法等。核心结论是从主体的数据分析和研究成果中得出的结论和观点，即本文的基本结论。这项研究的结论解释了什么问题，得到了什么规律
解决了哪些实际问题。
研究结论必须明确阐述本文的观点、理论背景和实践指导意义。如果用数字来解释，效果不好，说服力最强。你不能含糊不清。避免让人觉得似是而非，从而怀疑纸张的真正价值。
2、 补充研究不足
研究不足是指硕士论文作者在论文写作过程中总结出的问题，即论文的局限性。这些局限性可以反映在研究假设、数据收集或研究方法的缺陷上。通过指出研究的不足，指出了今后该领域研究的改进方向。
3、 指出了今后的研究方向
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一、民族院校金融学本科毕业论文存在的主要问题
(一)学生选题大而空泛,与实践严重脱节
好的毕业论文选题,是论文成功的一半。不少学生缺乏正确的选题方法,选题随意,选题范围重理论轻实践,或好高骛远、求大轻小。例如,金融专业的同学前几年喜欢选诸如“加入WTO对我国金融业的影响”、“我国银行不良资产处置研究”等,去年甚至有同学选“美国次贷危机对中国的影响”。还有些同学选题犹豫不决、随意换题,不少老师都抱怨学生选题不和导师商量,当导师不同意时甚至随意从网上直接下载论文,结果不但影响了选题的质量,又不利于导师指导工作的顺利开展。
(二)毕业论文写作过程中创新与分析问题能力不足
金融学专业的本科毕业论文也应遵循社会科学研究的一般思路,即沿着提出问题—分析问题—解决问题的思路展开。实践中,不少学生只为交差过关了事,不仅相关文献阅读十分有限,如有的参考文献几乎都是网上转载的各类文章甚至博客文章等,笔者甚至发现有个别同学的参考文献竟然是学院自己办的内部杂志上的文章,既不权威又不准确,有的参考文献几乎都是几年前出版的教材等,对于文献调查等基本收集资料的方法不会运用。同时,论文写作过程中又缺少相关的调查和实证分析,要达到深入分析,甚至要有所创新自然就是相当困难的事情。
(三) 论文结构不合理、语言表述欠规范,极个别少数民族学生汉语表达能力有限
按照我国大学本科毕业论文的相关要求,笔者所在高校也制定了毕业论文管理的相关规定,但不少学生却达不到这些要求。例如,笔者所在学校在论文评阅环节要求:(1)内容:立论正确,方案设计、论证、计算正确;内容完整充实,论文结构合理;结论正确;工作量足、难度适当。(2)水平:有独特的见解与创新,或与生产实践紧密结合;对所学专业知识有较好地运用;取得阶段性成果,具有一定的学术或应用价值。(3)格式:全文格式、中英文摘要、参考文献完整且符合要求;语句通顺、条理清楚、逻辑严密;数据、图表完整,图纸规范。而不少学生在论文写作中,或者出现头重脚轻,即前面的概念、发展历程、问题现状等罗列较多,而后面的原因分析和相应的对策部分十分简略;或者是另一极端,前面的分析介绍简短,而后面列出的建议对策动辄十几条,甚至有的问题分析和后面的建议几乎没有直接关系,论文质量堪忧。笔者还遇到过极个别的少数民族学生,汉语书面和口头表达能力比较有限,完成规范的毕业论文有相当的难度。
二、影响民族院校金融学毕业论文质量的主要原因分析
造成民族院校金融学专业毕业论文质量不理想的原因是多方面的。
(一)学生对毕业论文不够重视,论文写作中投入精力十分有限
随着近年来大学生就业压力的增大,又遇上全球性的金融危机,从四年级上学期开始直到毕业,除了考研的同学外,大部分学生的主要精力都放在找一个理想的工作上面。而一般毕业论文撰写正好是这段时间。而根据以往的经验,学生都知道,毕业论文成绩对找工作并没有直接的影响。所以,大部分学生对论文并不重视,投入的时间十分有限,甚至个别学生在答辩前两三周才与指导老师联系,论文写作的质量自然无法保证与提高。笔者每年指导的学生中,总有个别同学忙于实习或各地找工作,要等到最后才与老师联系,考虑到就业的压力等老师往往无法严格要求学生。笔者所在学院的老师还发现,对毕业论文投入较多精力的学生,往往是那些工作落实得较早的学生,自然毕业论文也写得比较规范;那些工作一直没有落实或落实较晚的学生,很难把主要精力和时间花在毕业设论文撰写上,论文选题和质量自然存在不少问题。这在二本院校中应该不是个别现象,尤其是民族类高校。
(二)指导教师对毕业论文指导投入不够
影响大学生毕业论文质量的另一个重要因素是指导教师投入精力的多少。毕业论文指导一般从学生选题、拟订论文提纲、收集资料到规范写作、反复修改等过程中都要给予必要的、有针对性的指导。而现在高校教师本身也存在攻读学位、繁重的教学和科研任务等压力,再加上论文指导的报酬通常都不太高,因而面临指导动辄10来个学生的毕业论文,实际分摊到每个学生身上指导论文的时间、精力必然相当有限。如笔者所在的学院,老师平均指导的学生通常在10个左右,甚至有些学院的个别教研室老师指导学生有时多达15个以上,教师的指导任务相当繁重。尽管毕业论文早就布置下去,但学生往往集中在最后时间才联系导师,这时在正常的教学、生活之外,导师的指导工作量突然增加。所以,包括笔者在内的不少老师也是希望论文只要过得去就行,论文质量的提高缺少相应的激励机制。
(三)学校对毕业论文答辩等管理流于形式
与国外高校的“宽进严出”不同,国内高校多年来普遍实行“严进宽出”原则,只要学习成绩、学分修够了,很少有高校在学生临近毕业之际在毕业论文环节严格要求学生,学生对论文自然采取东拼西凑的态度,毕业论文答辩也就只能流于形式。尤其是现在学生面临严峻的就业形势,反过来使学校在论文质量把关和就业率压力之间偏重就业率的提高,自然就会更加放松论文答辩及其管理环节。因为高校每年都面临一次就业率的排名,甚至第二年招生指标、招生计划等的变化都与就业率直接相关,论文质量的提高也就被忽略了。如笔者所在的高校,毕业论文成绩=评阅成绩(60%)+答辩成绩(40%),且答辩成绩不能低于60分,但在答辩中,即便对极个别答辩学生想给低分,考虑到就业形势以及民族类学生的口语表达和文化基础等综合因素,最后往往也是手下留情。
三、完善民族院校本科毕业论文管理的一些建议
在面临持续的严峻就业形势下,民族类高校毕业生质量的提高需要各方的努力。
(一)学校要加强论文质量的全过程管理
民族类高校要根据自身的培养模式和办学条件,努力探索切实有效的毕业论文质量管理途径,确保毕业论文的质量提高。如保证一定的经费投入,适当提高导师指导毕业论文的报酬,努力提高教师积极指导论文的积极性;又如,近年各省(市)教育厅(局)对毕业论文工作进行不定期检查、抽查和评优等,在职称评聘、教学工作量计算等方面向毕业论文工作有所倾斜;再如,进一步落实毕业设论文写作与实践的联系, 加强民族高校与民族地区生产部门、企业之间开展协调工作,为学生论文选题、写作等创造良好的实践环境。另外,民族类高校有些汉语水平确实较差的学生,可否采取其民族语言写作和答辩,至少不要和其他高校一样搞一刀切,真正发挥论文写作环节对学生的能力考察和提升功能。
(二)毕业论文的指导与写作应早作准备
针对目前就业与论文写作的冲突,毕业论文的指导与写作也应宜早不宜迟。如果前面几年的学习中没有思想准备和材料积累,仅在几个月乃至最后一学期或一年的时间里,要完成从选题、研究到写作的全过程,确实很难指导或写出高质量的毕业论文。如在专业课学习阶段,就应先学习一些指导论文写作的有关论著,提高文字修养;还要选读一些本专业的优秀论文,从中学习写作经验和了解学术动态;掌握做简单的文献综述的方法和基本格式等;对本学科领域中自己感兴趣的某些专题或方面,有意识地积累资料,为论文写作进行各方面的准备,还可适当缓解导师集中指导的繁重任务。
(三)学生要正确认识论文写作与就业之间的冲突
客观地看,在计划经济体制下,学生没有就业压力,可专心致志做毕业论文;而在目前的市场经济体制下,学生应聘时若已具备分析、解决问题的能力,则工作会落实得较早、较容易。而毕业论文的写作,正是提高学生分析问题、解决问题能力的一个有效途径和基本要求。所以,学生应正确看待二者之间的关系,否则对其就业、毕业论文完成都将产生不利的影响。
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关键词：会计专业 毕业论文 教学改革 过程监管
计本科毕业论文是学生在学习完所有的会计专业基础和专业课程后，在教师的直接指导下综合运用所学知识的实践活动，它是培养和锻炼学生初步的科研能力和创新能力的一项重要的教学内容。毕业论文要符合一定的质量要求。高质量的毕业论文不但文章排版格式要规范，而且论文立论要正确，观点要有创新性，论据要严密。会计毕业论文质量高低可以衡量一所高校会计办学水平高低。但近年来各高校会计本科毕业论文的质量受到诸多因素的影响，出现了很大的下滑，已引起了各方面的高度关注。因此分析影响会计本科毕业论文质量存在的问题及形成原因，探索提升会计本科毕业论文质量的有效方法和途径，应是当前高校强化会计教学改革和加强教学监管的一项重要课题。
一、毕业论文写作现状
（一）写作马虎、抄袭严重。尽管学校会就毕业论文格式、论文要求等下发文件反复强调毕业论文的重要性，但从学生交来的论文一、二和三稿来看并不令人满意，字体大小、文章排版不规范，错别字多和语句不通顺等现象非常普遍。不仅如此，文章抄袭现象很严重。
（二）学生文献检索能力差。很多学生只会使用Google、Baidu网络查询工具检索文献资料，对于专业性的搜索工具，如中国期刊网全文数据库、万方中国学位论文全文数据库等不会运用。所以收集和查询的文献资料学术性、前沿性和权威性不大，影响了毕业论文的写作。
（三）很多学生不知如何正确选题。学生在写毕业论文前，很多人从来没有看过会计论文和论著，对于会计的热点、难点问题一概不知，因此无从谈正确选题。为了交差只能盲目从学校公布的相关论文题中选，结果题目要么偏大，论文写不出深度；要么题目偏小，无从展开，论文缺少宽度。
（四）写作能力较差。从交来的开题报告、任务书和论文初稿来看，很多学生不知道如何撰写学术论文和研究报告。有的学生可能了解学术论文的格式，同时也收集了一定的材料，但由于写作能力较差，最终无法写出满意的论文。
二、影响会计毕业论文质量下降的主要因素
各高校经过了这么多年的会计教学改革，应该说教学水平和学生的学习能力有了很大的提高，但为什么检验学生的应用能力、创新能力的毕业论文每况愈下，质量不尽人意呢？原因应该是多方面的。
（一）学生对毕业论文重视不够。目前各学校对教师教学质量评价取决学生对教师的评价打分，导致教师对学生不敢严格要求；学校也会担心因学生拿不到毕业证而影响学生就业和前途；少数学生因不能按时毕业而闹事时有发生，造成指导教师和学校对学生有时会有所迁就。这样学生不端正写作态度，毕业论文出现错字连篇，文章东拼西凑甚至严重抄袭等现象就不足为奇了。
（二）过多考证、考研等严重影响了学生毕业论文的写作。学生本来课程负担就不轻，但在巨大的就业压力下，学生不仅要参加4、6级英语、托福、雅思以及计算机等级考试，还要参加会计从业资格证、注册会计师、注册税务师、理财规划师等名目繁多的考试。除了上课，学生平时绝大部分的时间都用在考证上，根本没有时间去阅读会计专业期刊和学术专著。没有平时的专业理论的积累，只凭毕业前一小段时间怎么能写好毕业论文。此外，毕业班最后一年，学生面临就业、考研和考公务员多重压力，而无法顾及毕业论文的事。
（三）少数教师指导论文不力。多数教师都能按要求对学生指导论文写作，但也有少数教师或由于承担了繁重的教学任务，或工作责任心不强，或自身科研能力不强，疏于对学生论文的指导，加上目前会计教学还是停留在传统教学方式上，这种情况下，自然无法有效指导学生写出好的论文。
三、提升会计本科毕业论文质量的途径
（一）改传统会计教学为研究和创新式教学。多年来我们一直采取传统的会计教学模式，这种教学的主要特点是应试教育，学生的研究能力和创新能力差。改革为研究和创新式教学后，教师每讲完一、二章会计专业课后，应就这部分内容的理论热点问题要求学生查阅相关会计专业资料，随后学生在课堂上互相讨论，形成新的观点。比方说，教师在讲授完《中级财务会计》中的投资性房地产相关内容后，就要布置学生查阅投资性房地产会计核算有关理论探讨问题，在课堂上学生讨论，形成新的观点，并让学生撰写。又比如，在教师讲解《审计学》中内部控制内容后，让学生大量阅读有关内部控制方面的材料，提出不同观点，鼓励学生撰写内部控制相关论文在省部级以上刊物发表。凡的学生，该门课程考核成绩可加分。这种教学模式比传统的教学模式更能激发学生的学习兴趣，提高学生的创新能力，培养学生研究式学习的习惯，学生就能在日常的教学中积累专业理论知识，培养和锻炼科研能力。
（二）要开设毕业论文写作专题课并计算学分。该课程可开设在大三第二学期，主要由教学经验丰富、科研能力强的教师来讲授。专题内容应包括：（1）如何使用专业性的搜索工具。如中国期刊网全文数据库、人大复印报刊资料、国务院发展研究中心信息网、CAMAR证券财务年报股票市场研究数据库、CSMAR期货股票分析高频数据库、国外ASP、BSP全文数据库等的使用。（2）如何选题。（3）如何收集和整理资料。（4）如何写开题报告。（5）毕业论文的基本要求和基本格式。（6）如何撰写研究报告和专业论文。教学时要边教边练，学练结合，以提高教学效果。
（三）学生参与教师的科研工作。毕业论文写作是一项科研工作。科研能力的提高不是仅凭一时就能提高，而是循序渐进的过程，需要教师对学生较长时间的培养、训练和指导。目前大部分指导教师平时都承担了横向和不同级别的纵向课题。提高学生科研能力的最有效办法就是让学生参与到教师的科研工作中来，科研团队里要有学生成员。教师可根据不同学生的兴趣和特长分配学生不同的科研任务，每年的寒暑假要根据学生的研究领域安排学生进行社会调查，撰写研究报告。学校要给教师配置教师工作室，科研任务在教师工作室里由师生共同完成。在学生具备一定科研能力时，可在教师的指导下，由学生申报大学生创新实验项目，进一步训练和提高学生科研能力，为今后做毕业论文打牢基础。
（四）毕业论文开题时间适当提前。目前会计专业本科毕业论文选题、开题一般安排在大学四年级第一学期末，收集资料、调研和实质性写作在大四第二学期，前后不到三个月就要提交论文定稿。这种安排，时间上不是很妥当的，因为很多学生要报考研究生，而研究生考试是每年的元月份。选题、开题时间正好是学生考前冲刺的关键时段，学生这时根本不会把精力放在选题和开题工作上。而到了毕业班的最后一学期，考研已上线的学生会要把主要精力用在应付考研的面试上，其他学生有的要备考公务员，有的要去落实工作或顶岗实习，一事接一事，学生往往认为目前的考试和求职更重要，而无法顾及毕业论文的事。建议把选题、开题提前到大三第二学期末，这样不但能加长论文写作时间，而且能有效避开因就业、考研造成的时间冲突，也能与毕业论文专题课相对接。此外，学校还要对学生进行必要的考试规划和教育，比如会计从业资格考试，可安排在大一的第二学期。但人力资源师、物流师等考试，对于会计专业的学生就业作用不大，学生可以不报考这类考试。有了充足的写作时间，毕业论文质量才有保证。
（五）要切实加强毕业论文的质量监管。第一，各学院（系或教研室）要成立毕业论文指导委员会，具体负责毕业生论文的论题的遴选、确定毕业生的选题、安排论文指导教师、审定开题报告和任务书、检查毕业论文、指导毕业论文的答辩等工作。第二，各学院（系）要制定具体的会计专业毕业论文管理细则，并在指导委员会具体监督下对实施管理细则和加强毕业论文的质量进行监控。要规定学生从开题报告到任务书，再到毕业论文的定稿，在指导教师的指导下，至少要经过三次修改；明确规定指导教师对学生的指导要全程记录。记录过程可作为评选优秀毕业论文和优秀毕业论文指导教师的重要依据。第三，对毕业论文电子稿进行检测。会计本科毕业论文重复率不能高于20%，重复率高于20%的论文要再次修改。所有学生要求答辩，通过答辩进一步确认论文的真实性，答辩后要求学生根据答辩意见再作最后的修改。这样论文经过检测前的三次修改、检测后再次修改和答辩后最后一次修改，才能有效杜绝论文抄袭现象，确保会计专业本科毕业论文的质量。第四，建立评优激励机制。每年开展毕业论文的评比，评选出优秀毕业论文，并推荐在学校的学报上发表。对获得校级、省级优秀会计毕业论文奖的指导教师给予奖励，从而进一步调动教师指导毕业论文的积极性和主动性，避免因指导教师对毕业论文的指导不力而影响毕业论文的质量。
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