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陶瓷电容器范文1
【关键词】多层陶瓷电容器;高介瓷粉;制备方法
1.前言
多层片式陶瓷电容器（Multi-Layer Ceramic Capacitor英文缩写MLCC）是一种适合SMT表面贴装的片式电容器，几乎所有的电子整机都必须配套应用。特别是移动通信产品、计算机、数码相机、新一代数字化家电产品，对MLCC产品的需求量与日俱增，而且随着电子整机产品趋向于轻、薄、短、小和表面贴装技术的日益普及，MLCC的发展更具潜力。随着中国日益成为全球主要的电子信息产品制造基地，国内MLCC市场需求总量呈现快速增长态势，为国内MLCC企业的发展提供良好机遇。国内的企业，自主开发并制备高介瓷粉是实现大容量BME-MLCC的唯一途径，也是实现自身不断发展、满足客户需求、与提高与日韩产商竞争力的必经之路。
2.高介瓷粉制配方法、工艺
2.1 高介瓷粉配方的研发
为了满足大容量BME-MLCC产品的需求，本公司开发了介电常数约为4200的高介瓷粉配方，并且确保产品的低损耗、绝缘性、可靠性、耐久性等等性能。
2.2 高介瓷粉制备的工艺路线
使用高介瓷粉和降低介质层厚度是实现更大容量MLCC的2条途径，本项目通过高介瓷粉配方与优良的瓷粉性能实现薄介质厚度，将二者结合。为了满足高容量MLCC用高介瓷粉的需求，采用以下制备工艺路线开发高介瓷粉如图1所示。
图1 高介瓷粉的开发工艺路线
其中，分散步骤采用立式砂磨机来完成，其原理图如图2所示。
图2 立式砂磨机工作原理图
浆料从下往上的方式，通过立式砂磨机的研磨腔体，如图2所示。在研磨腔体内部，采用离心分离的方式来分散粉体。通过高速旋转进行离心分离，将大颗粒的粉体离心至研磨腔体的外缘，不断高速分散;同时，小颗粒粉体在腔体中间流过，避免小颗粒粉体的过度研磨带来的小颗粒的缺陷。
2.3 流延浆料的分散工艺
分散工艺直接影响陶瓷浆料的质量及后续流延陶瓷生片的质量。对于超薄膜带，对分散工艺的要求非常高，图3是本项目的分散工艺路线：
图3 流延浆料的分散工艺流程图
其中，二次分散采用卧式砂磨分散工艺进行。通过研磨压力与转速的配合，提高分散效果，降低研磨时间，同时避免了由于研磨介质ZrO2的混入而引起的烧结问题。
2.4 大容量MLCC产品的制备工艺路线
BME高积层片式陶瓷电容器是将电子材料通过混磨制成浆料，用流延方式形成陶瓷介质薄膜，然后在介质薄膜上印刷金属内电极，并将印有内电极的介质膜片交替叠合热压形成多个电容器并联，在高温下一次烧成整体芯片，然后将芯片内电极引出端被上金属浆料，形成外电极，并对外电极进行镀镍，形成多层电极端头，使产品尺寸超小型化、生产成本低、高品质、高可靠并适合表面组装技术（SMT）的需要。为了适应大容量MLCC的要求，根据生产过程的特点，我司对传统工艺流程进行了创新性改造，在成型工艺过程进行了改进。其中，在成型工段上，采用了创新成型工艺，如图4所示。先在PET膜上印刷内电极，再进行流延，最后再进行叠层。该工艺可以避免印刷浆料蚀膜的问题，提高产品耐压与IR不良，同时大大降低了生产成本。
图4 大容量产品成型工艺
3.关键技术与解决途径
（1）高介电常数的瓷粉
为了满足大容量BME-MLCC产品的需求，本公司通过在BT中同时掺杂受主和施主元素或者掺杂Y3+、Dy3+、Ho3+、Er3+等稀土离子，开发了介电常数约为4200的高介瓷粉配方，低损耗、绝缘性、可靠性、耐久性等性能。并且粉体晶粒尺寸在0.3μm以下，并且在烧结过后形成芯壳结构，且无异常长大，满足MLCC的电气可靠性的要求。其次，要求原材料中的BT材料与添加剂等亚微米/纳米级的粉体充分分散开、无团聚，同时能确保各种不同比重的成份混合均匀，成份一致。
引进业界最先进的高速立式砂磨设备，在1200rpm研磨速率下，在短时间内将粉体分散好，避免粉体过度分散而形成小颗粒的粉体，影响烧结性能。
（2）流延浆料制作技术
大容量MLCC所用的瓷粉颗粒小，比表面积大，所需的有机添加剂的比例比中、低容产品要高出许多。而添加剂比例高会给排胶、烧结工序带来挑战。通过对黏合剂体系、塑化剂体系、分散剂、溶剂体系的种类和用量的选择，既要达到能流延出良好质量膜带的要求，又要便于排胶工序排出，不影响烧结。
同时，由于粘合剂的加入，需要均匀分散。通常采用ZrO2研磨介质，而过度的分散可能引入Zr含量到粉体配方中，Zr的引入会影响产品的烧结性能，使得烧结密度下降。通过引进先进的分散设备，可以大大降低Zr的含量。图5是EPMA的分析结果。
图5 Zr含量EPMA测试结果
（3）超薄膜带的成型工艺
为满足大容量MLCC产品对超薄波膜带的需求，超薄膜带的流延工艺与流延设备同等重要。为配合新成型工艺，我司重新设计了流延浆料的溶剂体系，使得更好地匹配。
由于大容量产品的介质层数较多，每片介质层都有印刷上电极层的区域和不含电极层的区域，当介质层数较多时，印刷电极对产品的厚度会产生较大影响。例如0402X5R225规格产品采用1.8μm陶瓷生片叠200层设计。叠层后电极正对区域的叠层厚度为650μm，端电极处的厚度为575μm，而产品侧边的叠层厚度为500μm，最大的厚度差为150μm，整颗产品厚薄明显不均，在排胶/烧结过程中易因有机物挥发通道不顺畅而导致产品开裂。
针对此问题，本公司根据自主掌握的印刷陶瓷浆料技术，采用行业最新型的印刷、叠层设备，独创了成型方法：将电极浆料先印刷到PET承载膜上，在通过off-roll流延模式，将陶瓷浆料填入电极层周围的间隙上以匹配厚度差，解决厚度差的问题，且降低了PET膜使用量，降低了成本。
同时，对比常规的印刷方式，由于印刷浆料中存在溶剂，不可避免对陶瓷生片会产生溶解作用，对于较厚的陶瓷生片，其作用可忽略，而对于大容量产品，厚度薄到一定程度，其腐蚀影响非常巨大，直接导致产品失效。采用该种生产方式，可以避免印刷浆料溶解陶瓷生片的问题。
（4）气氛保护多层共烧
大容量MLCC产品层数较多，烧结开裂是最经常遇到的问题。由于材料匹配性能、工艺参数等原因，易导致层间结合力不足，造成产品烧结开裂。为避免大容量MLCC常见的烧结开裂问题，开发了烧结前预处理工艺;同时引进了日本的先进烧结设备，新设备在温度偏差、气氛均匀性方面均有非常优秀的表现。而且，拥有快速升温的特点，为大容量产品提供更加灵活的烧结方式。
以此为基础，我司开发出了与中低容量产品截然不同的烧结温度曲线、气氛条件与再氧化条件的烧结工艺，专门用于大容量产品的生产。气氛保护共烧结必须控制好气氛中氢气的浓度和混合气体的露点。
我司利用电子印刷浆料的优势技术，自主开发了内金属电极与陶瓷填料均匀分散的印刷浆料，解决了由于内浆分散不良造成的小比例开裂问题。为了保证产品具有更高的可靠性，又加入了生坯烧结前预处理工艺，通过设计生坯处理工艺，在生坯排胶前加热、加压处理，有效防止了烧结开裂的缺陷。
4.结束语
综上的所述，此产品已经通过工信部电子第五研究所检测，各项指标均已达到常规使用要求。
在项目的开发和研制过程中，项目组成员通过不断的技术自主创新、关键技术的突破性攻关，打破了国外厂家的技术垄断，总结归纳出一整套能适应大容量MLCC产业化的关键工艺。
与国内外技术水平相比，该项目的产品可靠性、性能一致性、耐久性、产品成本控制等方面已经达到国际同行业的领先水平。
参考文献
陶瓷电容器范文2
本发明涉及一种陶瓷基复合材料成形技术，综合了压注、注凝、浸渗的原理，用以制备形状复杂、结构组分密度均匀、高强度的陶瓷基复合材料坯体，再进行烧结即可获得高韧性陶瓷基复合材料制品。本发明提出的技术是一种创新的、制备高性能复杂形状纤维增强陶瓷基复合材料的低成本、近净尺寸的成形技术，与现有纤维增强陶瓷基复合材料成形制备技术相比，具有明显的优越性，成形时间短、生产效率高。
专利号：200810228400.2
氮化铝陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种氮化铝陶瓷材料及其制备方法。该方法是在现有常用制备方法的原料中添加纳米氧化铝，再按照常规制备工艺进行制备。可通过直接添加纳米氧化铝或添加有机铝，如仲丁醇铝、异丙醇铝或乙酰丙酮铝，并借助有机铝的低温分解间接获得原位生长的纳米氧化铝。该方法可应用于干压成形和流延成形，采用常压或热压烧结等陶瓷制备工艺，可获得分散特性好、均匀混合的氮化铝和纳米氧化铝浆料，有利于提高物料的烧结活性、降低烧结温度，以及提高陶瓷基板的色泽一致性、平整度和粗糙度，降低生产成本，在氮化铝陶瓷生产领域具有广泛的应用。
专利号：200810224311.0
一种碳化硅陶瓷的制备方法
本发明公开了一种碳化硅陶瓷的制备方法，具体为：采用固相烧结法，将竹炭粉碎研磨后，与硅粉按质量比1:3混合，将硅碳混合物与酚醛树脂按质量体积比为1:1混合均匀；将混合物在140℃下预加热成形；在真空或者Ar气氛状态下，将温度升高到设定的最终烧结温度进行高温烧结；保持温度30min，冷却制得SiC陶瓷材料。本发明利用竹材生物结构通过高温烧结而得到的碳化物材料，竹材在绝氧条件下进行炭化得到具有竹材孔隙结构的炭骨架，以此作为陶瓷相渗入和反应的生物模板，通过金属或者无机非金属物质渗入、烧结反应，使得到的陶瓷不仅具有竹材的精细结构，而且增加了反应面积，提高了合成速度，具有一般陶瓷制备方法无法比拟的优点。
专利号：200810224957.9
精铸用自反应氧化铝基复合陶瓷型芯及其制备方法
本发明提供了精铸用自反应氧化铝基复合陶瓷型芯及其制备方法，该复合陶瓷型芯是由刚玉粉及原位合成的钛酸铝、二钛酸镁和莫来石组成，所述复合陶瓷型芯由下列重量配比的原料制成：不同粒度的刚玉粉70～85%、氧化镁粉0～2%、二氧化钛粉8～20%、蓝晶石粉6～10%，并加入占该四种原料总质量的1～3%的碳粉作为易溃散剂。所述方法将前述原料混合，干压成形后高温烧制而成。本发明氧化铝基体中添加其他原料，所制备的陶瓷型芯高温化学稳定性和热稳定性良好；热膨胀系数较低；烧结后收缩率小，室温和高温强度均满足精密铸造用陶瓷型芯的要求。
专利号：200810199121.8
一种高性能中低温烧结高压陶瓷电容器介质
一种高性能中低温烧结高压陶瓷电容器介质，涉及无机非金属材料技术领域，它采用常规的高压陶瓷电容器介质制备方法，利用电容器陶瓷的普通化学原料，制备得到无铅、无镉的无毒高性能中低温烧结(烧结温度为1100～1150℃)的高压高稳定陶瓷的电容器介质，该介质适合于制备单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器，能大大降低陶瓷电容器的成本，并且在制备和使用过程中不污染环境，其特征在于所述介质的配方包括(重量百分比)： BaTiO3 58～92%、SrTiO3 2～19%、CaZrO3 0.5～10%、Nb2O5 0.05～1%、Y2O3 0.03～1.0%、Co2O3 0.03～1.0%、Bi2Sn2O7 6～30%；其中BaTiO3、SrTiO3、CaZrO3分别是采用常规的化学原料以固相法合成。其耐压高，可达10kV/mm以上，介电常数为2200～3500，电容温度变化率小，符合X7R特性、Y5T和Y5U特性的要求，使用过程中性能稳定性好，安全性高，对环境无污染。
专利号：200810155056.9
一种用于降低电声转换器压电陶瓷烧结温度的添加物
陶瓷电容器范文3
专利号：200710139515.X
异型建筑陶瓷辊道窑的加工工艺
本发明公开了一种异型建筑陶瓷辊道窑的加工工艺，其特征在于该工艺至少包括了如下工序：（1）将加工物料加工成陶瓷产品的初步形状而形成坯体；（2）将坯体置于异型辊棒上，并使坯体与异型辊棒上的型槽相吻合；（3）坯体在异型辊棒上滚动并经高温烧结而一次成形。本发明的加工工艺简单，可有效地降低制造成本，且产品质量好。
专利号：200710030560.1
电介质陶瓷组合物、层合陶瓷电容器及其制造方法
本发明涉及电介质陶瓷组合物、使用该组合物的层合陶瓷电容器及其制造方法，具体提供具有满足X8R特性的温度特性且在高温环境下的比电阻高的层合陶瓷电容器及其制造方法。本发明的特征在于，形成电介质陶瓷的电介质陶瓷组合物以BaTiO3+aMgO+bMOx+cReO3/2+dSiO2 表示时，相当于100molBaTiO3时，有0.4mol≤a≤3.0mol、0.05mol≤b≤4.0mol、6.0mol≤c≤16.5mol、3.0mol≤d≤5.0mol、2.0≤c/d≤3.3。
专利号：200710152444.7
高纯致密氧化铝陶瓷支撑件及其制造方法
本发明涉及高纯致密氧化铝陶瓷支撑件及其制造方法，该支撑件的组成成份为：Al2O3 99.6wt%～99.98wt%、MgO 0.01wt%～0.3wt%、复合添加剂 0.01wt%～0.3wt%。与现有技术相比，本发明的氧化铝支撑件具有高致密度、高机械强度和硬度、优良的显微结构、精确的形状和尺寸，综合性能可以满足精确导航工程控制仪器的要求，具有多个贯通细孔或超薄壁结构，细孔尺寸和细孔定位精确。
专利号：200710046037.8
一种利用碎瓷片生产硅酸铝陶瓷纤维的方法和应用
一种利用碎瓷片生产硅酸铝陶瓷纤维的方法和应用，属于以Al2O3和SiO2为基料的陶瓷纤维制品领域，其特征是：部分或者全部采用碎瓷片，经过熔融、喷吹或者甩丝，制成硅酸铝陶瓷纤维。本发明的陶瓷纤维可以部分或者完全替代采用硬质粘土熟料来生产陶瓷纤维，同时具有成本低、环境友好等优点。
专利号：200710017161.1
一种耐热紫砂陶瓷泥及其制品的制备方法
本发明提供一种耐热紫砂陶瓷泥及其制品的制备方法。耐热紫砂陶瓷泥含有以下组分和重量百分比：SiO2 60～73%、Al2O3 15%～38%、CaO 2～6%、MgO6～12%、Fe2O3 0～5%、K2O 0～2%、Li2O 0～5%；可采用下述矿石或化合物作为原料，其成分和重量百分比为：紫砂泥40～60％、黑粘土20～30%、白粘土10～25％、滑石10～18%、麦饭石5～10%；应用本发明所述的陶瓷泥，可制作各种在明火或电磁炉上使用的加热器皿等；具有良好的热稳定性和优良的抗冷热冲击性能，且使用紫砂原矿及麦饭石作为原料，烹调的食物色香味俱全，不分解食物中的营养成分，温和不上火，达到保健作用，且易清洗、安全卫生，又节约能源，满足人们现代生活的需求。
专利号：200710029315.9
形成陶瓷电弧放电管的组件及其制造方法
陶瓷电容器范文4
[关键词]片式元器件；微型化；复合化；高频元件
中图分类号：D421 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2016）07-0079-01
在上世纪90年代，程控交换机和光纤传输与调制等通信设备的制造已经广泛的使用在了众多的领域，同时光纤传输和调制通信设备的制造已经大量的采用了通用的片式元器件，片式元器件在时代和技术发展的过程中也得到了十分明显的改善和提升，它也已经成为了我国电子技术发展的一个重要的前提和基础，现代信息化浪潮发展的过程中要需要这一技术的推动，此外片式元件也进入到了微型化、高频化和高性能化的时代。
1、片式元件的小型化、微型化和复合化
当前片式元件器和SMT现在很多电子技术当中都得到了十分广泛的应用，通用元件自撒很的小型化、微型化和复合化的发展趋势能够十分有效的和IC高度集成形成良好的配合，这样也就对电子信息产品类的体积和重量起到非常重要的作用
在片式元件小型化的过程中，便携式的信息和通信终端产品由于在紧凑型上有着非常好的边线，所以在这一过程中也就可以对其进行全面的保证片式元件可以向更高水平发展，0603是当前非常主流的片石阻容元件，在元件应用的过程中，复合阵列化是一个非常重要的发展趋势。当前也出现了很多功能各异的电路电阻网络以及阻容网络。
2、片式元件高频特性电费改善与提升
以往的陶瓷电容器一般采用的是1类热稳定型护额2类高介电常数型陶瓷材料，同时将其当做是电解质，按照相关的标准和规定，其在测试中频率为1KHz和1MHz，所以我们通常称其为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器。如果是线路板上插装的电容器，其引线的长度一般在2―3mm，标称电容量是1000―10000pF的高频瓷介电容器的固有谐振频率为f0，其数值通常为60―200MHz，10pF也就是600――1000MHz。一方面电容器的使用频段越好比固有的谐振频率低很多，此外，针对大于1MHz的频率范围，电容器的损耗情况会受到介质计划等多种因素的影响，其数值也会在短时间之内迅速升高，也就是说Q值会非常明显的呈下降趋势，这也就是高频瓷介电容器在高频特性方面所存在的不足。在上世纪60年代就已经出现了将多层陶瓷电容器芯片集成电路的外贴元件，同时，这种元件在使用的过程中不需要设置引线结构，所以被称为无感电容，在很宽的频段之内都能展现出非常好的频段特性。
上世纪60―70年代，美国的很多公司都研发出了高频高QA低损耗的介质材料，这些材料的结构设计具有非常特别的地方，同时对制作工艺和测试技术进行了有效的控制，其在军事领域得到了非常广泛的应用。
近年来高QMLCC其优良的射频功率特性倍受广播电视移动通信及卫星通信等发射基站的青睐，蜂窝电话无线局域网W-LAN等无线通信与信息终端产品也开始普遍采用小型低压品种规格，比如ATC180R型超低ESR高QMLCC在450MHz―1.8GHz频段ESR仅为0.04―0.08W，22pF规格可用于双频蜂窝移动电话。在瓷介电容器高频化进程中还值得一提的是微型化的片式微波单层瓷介电容器SLC，这是由美国DLI和MDI公司于70年明用二十余种相对介电常数10―20000的不同介质材料制成实际中尺寸规格为标称电容量0.04―6300pF小容量尺寸规格f0可高达50GHz。MDI公司首创两联型片式单层瓷介电容器SPLITCHIP其固有谐振频率f0可高达75GHz。
与片容类似片式电感器的高频特性也优于引线电感器，使用频率应远低于其固有谐振频率低电感量小尺寸空芯式片感具有较高的f0和高Q值。空芯电感器是采用刚玉Al2O3瓷芯取代铁氧体磁芯再用线圈绕制而成，因刚玉材料无磁性可获得低电感量，采用塑封或无包封立式结构最小尺寸为10080806仅能实现10―3.3nH的最低电感值。1997―1998年美国Coilcraft公司采用无外壳树脂涂覆绕线结构研制出更小型0805和0603规格标称电感量分别为1.8～390nH和1.8～120nH，日本KOA公司的类似品种规格电感量3.3～220nH和1.8～120nH该种片感具有较高Q值和精度较低的直流电阻和较大的额定直流电流。综合性能占优绕线结构小型化面临越来越大的技术难度。相对而言，多层电感器则具有结构和工艺优势。TDKTOKO和WPI公司在1992～1994年率先用低介电常数陶瓷材料取代铁氧体研制出高频片式多层电感器尺寸规格为08050603，标称电感量分别为1.8―82nH和1.5―33nH1998年面世的0402小型规格电感量达1～100nH，而08050603已扩展到1.5―470nH。与此同时，村田KOA及AVX公司则力推用薄膜工艺制备螺旋导电带形式的片式，高频电感器外形尺寸为120608050603电感量为1～100nH1998年新品0402型电感量1～33nH。与片容的发展稍有不同的是片式高频电感器是90年代的新产品，它的诞生完全是得益于移动通信产品的强有力促进，片式高频电感器的主要应用对象是蜂窝移动电话和无绳电话以及无线寻呼机，也包括无线局域网（W-LAN）卫星全球定位系统（GPS）卫星电视接收装置等无线通信与信息产品。
3 精密元件与功能电路的高性能化
无源元件RCL参数的精度对于调整与控制电路参数，从而实现设计功能起着重要作用。过去，对于时间常数谐振回路等往往需要使用精密级元件，如金属薄膜型电阻器、云母介质电容器等等。因原材料和加工工艺限制价格极高，现在片式矩形固定电阻器是在氧化铝基片上印刷制备RuO2电阻体后涂覆端电极并逐只通过激光调阻工艺保证其极高的阻值精度，常规品种很容易达到1%（F）～5%（J）精度最高可达0.1%（B）、0.25%（C）和0.5%（D）而对于电容器、电感器两类元件除薄膜型电感器和电容器本身工艺优势以及云母电容器通过在制造过程中微调容量可生产精度略高的2%（G）或0.25～0.1pF（0.2～0.1nH）规格外大多数品种，精度仅能保证J（5%）～K（10%）或0.5～0.25pF（0.5～0.3nH），1类瓷介电容器尽管有最稳定的温度系数015～3010-6C1，但因制造工序能力所限高精度规格只能通过检测分选得到。
因元件参数离散导致电路参数的不确定而需在一定范围内调整所以在传统元件门类中微调电容器电感器和电位器均占据相当重要的地位，但随着SMT的发展，微调式元件的片式化面临着更突出的技术难度，1996年微调电容器的片式化率为40%，而微调电感器和电位器低于这一数字，片式微调元件还存在外形偏大，非标准异型结构不便于贴装等缺点，加上高频特性的提高受限，明显不利于在移动通信领域的进一步推广和应用。
4、结语
当前，我国的科学技术发展水平有了非常显著的提升，这对片式元件的微型化和复合化起到了非常重要的作用，这也使得射频频率资源的扩展和利用得到了很好的控制，二者共同推动了微波特性的提升，各种新型的片式元件在发展的过程中也促进了相关产品的更新换代，因此我们也需要对其予以高度的重视。
参考文献
[1] 王俊波.多层陶瓷电容器的技术现状及未来发展趋势[J].绝缘材料.2008（03）.
[2] 电子元器件国内外现状、趋势及关键技术[J].电子元件与材料.2007（04）.
[3] 赵玉川.我国电子元器件制造业发展状况及发展战略的选择[J].科技管理研究.2005（01）.
陶瓷电容器范文5
[关键词] 电子元件 市场前景 发展趋势
电子元件主要包括电阻器、电容器、电感器、变压器、波器、天线等是一大类重要的电子信息产品。电子元件与电子器件共构成电路的核心部分，是各类电子信息产品基础。电子元器件属于电子信息产业的中间产品，介于电子整机行业和原材料行业之间，其发展的快慢、所达到的技术水平和生产规模，不仅直接影响着整个电子信息产业的发展，而且对发展信息技术，改造传统产业，提高现代化装备水平，促进科技进步都具有重要意义。未来5年～10年，我国的电子元件市场将出现高速增长。
一、我国电子元件产品市场现状
随着世界电子制造业向中国大规模转移，我国的电子元件市场以近年来每年都20%的增长率增长。粗略测算目前我国电子元件市场容量约在350亿美元左右，在不久的将来，我国可望成为全球最大的电子元件消费市场。
1.多层陶瓷电容器(MLCC)多层陶瓷电容器目前国际上用量最大、发展最快的片式元件之一。MLCC主要应用于各类军用、民用整机的震荡、祸合、滤波、旁路电路中，应用领域已经拓展到自动控制仪表、计算机、手机、数字家电、汽车等行业。全球市场的需求量从1998年的3070亿只，增至2007年11000亿只。年增长速度近20%。市场需求巨大，产业化市场前景非常广阔。
2.片式电感类元件主要应用领域包括移动通信、计算机、音像产品、家电、办公自动化等。预计在今后若干年中，随着第三代移动通信技术、数字电视、高速计算机、蓝牙产品等新一代数字化电子产品的推出，片式电感器的需求量将急剧上升，市场前景将十分看好。
3.片式敏感元件在程控交换机、计算机、便携式手提电脑、高清晰度彩电、便携式移动电话、车载电台、汽车电子、复印机、军用电子产品等方面都具有广阔的应用市场。用片式化生产技术制备的新型高性能超低阻、高耐压热敏材料还可用于通信及网络系统过电流保护、系统防雷、大屏幕大电流自动消磁、汽车用直流电机、低压电器、变压器及家用电器等过热过载保护等，国内年需求量估计可达10亿只左右。
4.多层压电元件具有能量转换效率高、体积小、厚度薄、升压比高、无电磁干扰、无燃烧短路隐患、适合表面安装、安全可靠性高等显著特点，由于液晶显示器背光电源市场需求快速增长，MPT及其背光电源极具应用价值与发展前景。它的推广应用将有力的推动智能化电子信息产品向小型集成化方向发展，在笔记本电脑、PDA、液晶PC、液晶屏手机、液晶Tv、可视电话、GPS、传真机等领域具有十分广阔的市场前景。
二、电子元件产品市场发展趋势
1.我国电子元件产品的类型。
(1)片式化、小型化。以多层陶瓷电容器(MLCC)为例，目前的主流产品尺寸正在从0603型向0402型过渡，而更受市场欢迎的高端产品是0201型。
(2)多功能化。随着电子新型产品功能的不断增加，对片式元件功能的要求也越来越多样化。
(3)集成模块化。近年来，由于低温共烧陶瓷(LTCC)等技术的突破，才使无源集成技术进入了实用化和产业化阶段，并成为备受关注的技术制高点。
(4)微波、高频化和宽带化。目前电子整机向微波、毫米波、高频宽带方向发展的趋势十分强劲。此外，高速数字电路产品越来越多，光通信的传输速度已从2．5Gbps发展到10Gbps。这些都对电子元器件的高频和宽频化提出了更高的要求。
2.电子元件产品有良好的市场前景
电子元器件正进入以新型电子元器件为主体的新一代元器件时代，它将基本上取代传统元器件，电子元器件由原来只为适应整机的小型化及其新工艺要求为主的改进，变成以满足数字技术、微电子技术发展所提出的特性要求为主，而且是成套满足的产业化发展阶段。新型电子元器件体现了当代和今后电子元器件向高频化、片式化、微型化、薄型化，低功耗，响应速率快、高分辨率、高精度、高功率、多功能、组件化、复合化、模块化和智能化等的发展趋势。同时，产品的安全性和绿色化也是影响其发展前途和市场的重要因素。良好的市场前景，为电子元器件提供了巨大的国内市场机会。无论是全球市场还是国内市场电子信息产业的迅猛发展给上游电子元器件产业带来了广阔的市场应用前景，新产品的推出曾出不穷，这些都为元器件开拓了新的应用市场。
汽车电子、PDA、互联网应用产品、机顶盒等产品的迅速启动及飞速发展，将极大地带动中国电子元器件市场的发展。在通讯类产品中，不仅仅是蜂窝电话，还有更多的产品如移动通信、光通信网络，普通电话等都需要大量的元器件。另外，计算机及相关产品、消费电子产品虽然没有以前发展那么快，但需求依然强劲，这些都将成为中国元器件市场发展的动力。
三、结束语
预计到2010年全球电子信息制造业市场将达到19055亿美元，其中，电子元器件市场将达到2800亿美元，占14.7%。蜂窝电话、移动通信、光通信网络，普通电话等都需要大量的元器件。另外，计算机及相关产品、消费电子产品虽然没有以前发展那么快，但需求依然强劲，这些都将成为中国电子元器件市场发展的动力。全球电子元器件市场规模进一步扩大，国内电子信息产业迅猛发展，将为电子元器件产业带来广阔的发展前景。
参考文献:
[1]李盛涛 李建英 张伟强:发展我国电子元件工业的思路[J]. 电子元件与材料,2001,(01)
陶瓷电容器范文6
CEVA的DVS软件模块可以减小运动造成的抖动，这种情况通常在使用智能手机和照相机等手持式设备拍摄视频和图片时出现。该模块支持包括卷帘式快门（“果冻效应”）和多轴校正，在任何光照条件下，可以减少镜头左右转动、缩放和旋转时造成的抖动和偏移。DVS模块是通
过使用CEVA全新应用开发工具套件（ApplicationDeveloperKit，ADK）实现的，CEVA也单独了这款工具套件。ADK用于大幅简化整体软件开发流程，缩短产品设计周期，为图像和视觉应用显著节约内存带宽和减低功耗。
CEVA
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高性价比PXIe矢量信号分析仪
M9391APXIe矢量信号分析仪是AgilentPXI和AXIe模块化产品阵容中的最新成员，包括以下模块：M9350A下变频器、M9301A合成器、M9300A频率参考和M9214A数字转换器。通过许可证密钥软件升级，该分析仪还可进一步增加分析带宽、频率范围、存储器和更快的开关切换。4个PXIVSA可安装到一个18槽PXI机箱中。
M9391APXIe矢量信号分析仪频率范围为1MHz至3或6GHz，具有高达160MHz的带宽，是为测试最新无线标准而专门设计的。M9391A与安捷伦模块化X系列应用程序配合使用，可提供一致的用户界面、通用和一致的测量以及后向兼容的API，加快测试开发并提高吞吐量。
M9391A可与M9381APXIeVSG优势互补，更快更好地对无线功率放大器、收发信机和蜂窝基站（主要是微微蜂窝和毫微微蜂窝）等器件进行测试和设计验证。这款新分析仪可在更短的时间执行更多测试，显著降低测试成本。它采用了创新的Fastune技术，能够通过快速的频率和幅度调节，实现空前快捷的伺服回路测试。
AgilentTechnologies
电话：800-810-0189
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超小型过压保护二极管
ESDAVLC6-1BV2瞬态电压抑制二极管采用超小型标准贴装封装，尺寸为0.45mm×0.2mm，较目前尺寸为0.6×0.3mm的器件小了一个尺寸。
ESDAVLC6-1BV2瞬态电压抑制二极管完全符合国际标准IEC61000-4-2规定的保护要求。虽然其他类型的静电放电（ESD）保护产品，如变阻器，也有同样的尺寸，但通常无法达到保护二极管的水平。与性能最接近的相同尺寸的变阻器相比，ESDAVLC6-1BV2的钳位电压只是变阻器的一半，因此能够为内部器件提供更高的安全保护功能。变阻器虽然用于多种应用领域，但是受老化问题困扰，每发生一次静电放电事件防护后，变阻器的保护功能就会减弱。ESDAVLC6-1BV2的主要特性：双向操作；在印刷电路板上，一片多用；带宽为1GHz；线路电容为7.5pF；击穿电压为6V；0.2mm高的超薄封装。
STMicroelectronics
电话：010-5797-9928
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符合MIL-PRF-49470规范的电容器
AVX公司为其符合MILPRF-49470规范的开关电源堆叠式多层陶瓷电容器扩大了电压和电容范围，对原来的50～500V范围添加了25V的电容器。全新25VSMPS的电容器具有标准MIL-PRF-49470B等级的可靠性。
MIL-PRF-49470SMPS电容器设计为高电流、高功率和高温度的应用。该电容器具有超低ESR和ESL以及能承受温度范围为-55～+125℃。SMPS系列主要使用于高功率和高电压电源中的输入/输出过滤器，为高功率逆变器的总线过滤和DC减震器。该系列也适用于DC/DC转换器、常规开关电源、航空航天的仪表板、各个混合动力和军事应用等。
SMPS系列电容器具有6种封装
尺寸，还提供多种过孔和表面贴装引线选择。符合MIL-PRF-49470规范SMPS系列电容量范围为：1.5～390μF（25V）、1～270μF（50V）、0.68～180μF（100V）、0.47～120μF（200V）和0.15～39μF（500V）。
AVX
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直流链路电容器
该直流链路电容器采用了爱普科斯（EPCOS）CeraLink技术。CeraLink技术是以PLZT陶瓷材料为基础（铅镧锆钛酸），使用的容值范围为1～100μF，额定直流电压为400V。另一款电容器的额定直流电压为800V，容值为5μF。主要用于工业和汽车电子设备中的快速开关电源模块。
CeraLink新技术在功率变换器的直流链路的稳定性和滤波方面具有很多优势，与传统电容器技术相比，由于该款新电容器具备低于4nH低等效串联电感值以及低于4mΩ的低等效串联电阻值，因此，它非常适用于高开关频率和快速上升时间的应用中。这包括应用于运用新一代快速开关的MOSFET或IGBT模块的工业和汽车电子设备的转换器之中。
CeraLink具有以下几种常用的引脚构造，包括低剖面、SMD、焊针和压接母线。它也可以设计内置于半导体功率模块中。CeraLink的工作温度范围为-40℃～+125℃之间（短时间内可高达+150℃）：因此它也适用于以SiC为基础的功率模块。
爱普科斯×TDK集团成员
电话：021-22191500
电邮：
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用于大功率、高性能工业应用的NPTIGBT
Microsemi扩展其1200V非穿通型（non-punchthrough，NPT）IGBT系列，新增十多款器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。NPTIGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能的工业应用，最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器，以及不间断电源和开关电源。1200V产品系列中的所有器件均以Microsemi的先进PowerMOS8技术为基础，与同类产品相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。该NPTIGBT可以与Microsemi的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装，为工程师提供高集成度解决方案，以便简化产品开发工作。其他特性包括：栅极电荷显著减少，具有更快的开关性能；硬开关运作频率超过80kHz，实现高效的功率转换；易于并联（Vcesat的正温度系数），提升大功率应用的可靠性；额定短路耐受时间（ShortCircuitWithstandTimeRated，SCWT），在需要短路能力的应用中实现可靠运作。另外，NPTIGBT器件还提供贴片D3封装，可让设计人员实现更高的功率密度和更低的制造成本。
