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半导体制造范文1
“半导体制造技术”是我院电子封装技术专业的必修课程，也是培养学生实践动手能力和创新开发能力的专业特色课程之一。该课程的目标是培养学生系统掌握微电子关键工艺及其原理，并具有一定工艺设计、分析及解决工艺问题的能力，因此，在这门课程中引入实践教学是至关重要的。
一、“半导体制造技术”课程内容的特点
“半导体制造技术”这门课程广泛涉及量子物理、电学、光学和化学等基础科学的理论概念，又涵盖半导体后端工艺的材料分析等与制造相关的高新生产技术。该课程的主要内容包括微电子集成电路制造工艺中的氧化、薄膜淀积、掺杂（离子注入和扩散）、外延、光刻和刻蚀等工艺，培养学生掌握集成电路制造工艺原理和设计、工艺流程及设备操作方法，使学生掌握集成电路制造的关键工艺及其原理。同时，该课程又是一门实践性和理论性均较强的课程，其涉及涵盖的知识面广且抽象。基于此，培养学生的实践动手、工艺分析、设计及解决问题的能力单纯依靠课堂上的讲和看是远远达不到的。如何利用多种可能的资源开展工艺实践教学，加强科学实验能力和实际工作能力的培养，是微电子专业教师的当务之急。
二、教学条件现状及实践教学的引入
1.教学条件现状
众所周知，半导体制造行业的设备如金属有机化合物化学气相沉淀、等离子增强化学气相沉积（PECVD）和磁控溅射等设备价格昂贵，且对环境条件要求苛刻。与企业相比，高等学校在半导体制造设备和场地方面的投入远远不够。为了达到该课程的教学目标，我们学校购置了一些如磁控溅射系统、PECVD、高温扩散炉和快速热处理炉等与半导体制造工艺相关的设备。
2.引入实践教学的重要性
半导体制造范文2
在电子半导体器件制造中，单晶硅的氧浓度会严重影响单晶硅产品的性能，也是单晶硅生长过程中较难控制的环节。本文介绍了直拉单晶法中氧杂质的来源、对单晶硅的影响以及氧浓度的控制方法。
【关键词】直拉单晶 氧浓度 电子半导体 集成电路
单晶硅是微电子工业的基础材料，广泛用于集成电路和功率半导体器件的制造，成为当今信息社会的基石，同时也是太阳能光伏电池的主要材料，直拉单晶硅是利用切氏法（czochralski）制备，称为CZ单晶硅。目前主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面。在单晶硅直拉工艺引入的众多杂质中，氧对材料的性能影响最大，在表征单晶硅质量的众多参数中，氧含量及其均匀性是最重要的参数之一，也是在硅晶体生长过程中较难控制的参数。
1 直拉单晶硅的氧杂质
直拉单晶硅存在杂质中氧是主要杂质，它来源于晶体生长过程中石英增锅的污染，是属于直拉单晶硅中不可避免的轻元素杂质；氧可以与空位结合，形成微缺陷；也可以团聚形成氧团簇，具有电学性能；还可以形成氧沉淀，引入诱生缺陷。研究发现，利用氧的沉淀性质，设计“内吸杂”工艺，可以达到吸除直拉单晶硅中的金属杂质，提高集成电路产品成品率的作用，因此，人们对直拉单晶硅中的氧开始了有控制的利用。
直拉单晶硅的生长需要利用高纯的石英坩埚，虽然石英坩埚的熔点要高于硅材料的熔点（1420），但是，在如此的高温过程中，熔融的液态硅会侵蚀石英坩埚，导致少量的氧进入熔硅，最终进入直拉单晶硅。直拉单晶硅中的氧一般在（5～20）×1017cm-3范围内，以过饱和间隙状态存在于晶体硅中。
2 氧对直拉单晶硅的影响
氧在硅中大部分处于间隙位置，它与硅形成的Si-O键振动在11O6cm-1处产生红外吸收带，它还与空位符合产生836cm-1红外吸收带。当CZSi单晶在350～500热处理几十小时后会产生热施主效应。用直拉法生长的硅单晶（氧含量为1018atoms/cm3）有着最著名的热施主效应，悬浮区熔单晶（氧含量为1016atoms/cm3）热施主效应不明显，另外在500～800长时间热处理，又会出现新施主效应，而且只出现在氧含量较高的直拉单晶（氧含量为5×1017atoms/cm3）中。由于热施主现象的存在使得N型样品电阻率下降和P型样品电阻率增加，而这些性质的变化影响硅片径向电阻率的均匀度，使电阻率热稳定性变差，成品率下降。氧对硅中少数载流子寿命的影响也是很复杂的，可能与硅的电阻率变化有类似的机制。
3 直拉单晶硅氧浓度的控制方法
在直拉法生产中，氧掺入硅单晶的途径是从石英（SiO2）坩埚溶解进入硅熔体，溶解的氧经由熔体的对流和扩散传输到晶体/熔体界面或自由表面。由于氧在熔体中的扩散系数相当小，所以氧主要是通过对流的传输的。要想控制原生直拉单晶硅中氧的含量及其分布的均匀性，就要设法控制晶体生长过程中，氧从石英坩埚溶入熔体的溶解速率，强制调节熔体流动来控制经由熔体流动而传输的氧量。控氧的主要方法可以分为两大类：第一，通过调控拉晶条件来获得预期的最佳氧含量及其分布。第二，设计新的晶体生产方法，强制附加某种外界因素的影响，以改变液流方式，从而达到控氧目的。
3.1 拉晶条件的调控
增大氩气流量和降低炉内压力都有益于降低氧含量。为防止SiO凝结和熔体中的氧过饱和，在单晶炉里通过氩气带走硅熔体表面挥发出来的SiO气体，通入氩气的另一目的是要同时带走CO气体，以避免其重新进入熔体内，造成晶棒受到碳污染。通过氩气将SiO和CO等带出炉外，降低单晶炉内CO和SiO的分压，减少它们溶入熔硅的量。减压法拉晶既能使单晶炉保持低的压强，增加SiO的挥发速度，又能使炉内的氩气交换迅速，并可以降低单晶硅的氧含量。
合理的热场利于晶体生长，在熔体中，径向温度梯度应适当小，而纵向温度梯度应适当大。加热器是热场的关键部件，减小了热场的加热器尺寸，即降低加热器高度或者减小加热器径向尺寸，有利于降低氧浓度及其分布的均匀性。在直拉单晶硅工艺中，熔体中的热对流是由温差产生的，加热器从坩埚的侧面供热，改变加热器尺寸实际上是改变了热场的温度分布，以使热场中温度分布更加合理，实现增大熔体的纵向温度梯度和减小熔体的径向温度梯度的作用，从而影响氧的分布和含量，影响晶体的质量。
当石英坩埚初始位置处于低埚位时，即靠近加热器的中间位置，熔料时需要的加热器的加热功率较低，石英坩埚壁及其底部的温度也较低，进入熔硅中的氧浓度就较少；同时，较低的埚位还使纵向的温度梯度较小，使得进入熔体中的氧浓度也较小，可降低氧含量。但初始埚位的降低，加热器的功率减小，晶体中的温度梯度减小，会使晶体生长速度减小，熔料比较费时，生产效率降低；因此，过高或者过低的初始埚位都不利于晶体的生长。
直拉法生长单晶硅时，晶体以一定的角速度旋转，坩埚以相反的方向旋转，它们转动的直接作用产生强迫对流，搅拌熔硅，使熔硅中的氧杂质趋于均匀，晶体和坩埚的旋转对硅单晶生长过程的影响是多方面的，既有利也有害。通常认为，当晶体转速增加时，径向氧浓度分布变得更均匀；但转速太快会产生紊流，既不利于无位错生长，也不利于杂质的均匀分布。坩埚旋转能使整个熔体杂质分布均匀；但坩埚旋转引起的对流与热对流的方向一致，加剧了熔体中的温度波动，晶锭和熔体中的氧浓度随坩埚转速增加而增加。在一定的单晶硅生长条件下，合适的晶体和坩埚转速非常重要。实际生产中，一般采用高晶体转速和低坩埚转速来控制氧的分布，还可以采用变晶体转速和变坩埚转速等拉晶工艺来实现氧分布的均匀性。
3.2 磁拉法（MCZ）法
由于熔硅较大的电导率，磁场能控制熔体运动，因此发展了一种加磁场的直拉法，即MCZ法。它的主要优点是：（1）能做到杂质的微观控制，特别是实现氧的可控性。（2）由于降低了坩埚的污染而提高了浓度。（3）由于增加了边界层后的，因而增加了杂质的有效分凝系数，改善了杂质分布的宏观和微观均匀性。因此MCZ法能生产大直径的硅单晶，其氧含量低且可控。早期的MCZ法可分为VMCZ（加轴向磁场）和HMCZ（加横向磁场）两种。
参考文献
[1]刘立新.单晶硅生长原理及工艺[J].长春理工大学学报（自然科学版），2009（12）.
[2]吴明明.直拉单晶硅体生长过程中的控氧技术研究[J].新技术新工艺，2013（11）.
半导体制造范文3
B/B Ratio订单出篮报告
该报告指出，北美半导体设备厂商2月份的3个月平均全球订单预估金额为12.3亿美元，较1月份最终订单金额11.4亿美元增长8％，但比2007年同期下滑12％。而在出货表现部分，2月份的3个月平均出货金额为13.2亿美元，较一月的12.8亿美元小幅增长3％，比去年同期减少8％。
SEMI全球总裁暨CEO Stanley T.Myers指出：“2月份的订单出货比较上月微幅回升，但仍低于去年同期的水平。尽管目前的存货和产能利用率的状态看来都很健康，组件制造商对于新设备投资的态度仍倾向保守。”
SEMI所公布的B/B Ratio是根据北美半导体设备制造商过去3个月的平均订单金额，除以过去3个月平均设备出货金额，所得出的比值。北美半导体设备市场订单与出货情况如下表：
而在日系半导体设备方面，根据SEAJ公布的数据，2月份的订单金额则约为11.47亿美元(1124.93亿日元)，较1月减少11％，也比去年同期衰退42.5％。出货金额约为13.5亿美元(1323.22亿日元)，较一月份下滑4％，比去年同期减少11.6％，估计B/B Ratio为0.85。详细数据请参考SEAJ网站seaj.of.jp/
半导体制造范文4
1、行业佼佼者客户覆盖广泛；
2、受益半导体行业规模的扩张；
3、强势研发团队掌控核心技术。
上海新阳半导体材料股份有限公司（以下简称“上海新阳”，代码300236）专业从事半导体行业所需电子化学品的研发、生产和销售服务，并致力于为客户提供化学材料、配套设备、应用工艺、现场服务一体化的整体解决方案。产品主要包括半导体封装领域所需的引线脚表面处理电子化学品，晶圆镀铜、清洗电子化学品及与它们配套的设备。
财务数据显示，2008年-2010年，上海新阳净利润分别为1956.73万元、2887.79万元、3337.22万元，体现了良好的成长性。此次公司拟公开发行2150万股，募集资金1.75亿元用于原有产品产能的扩张及技术研发中心的建设。项目实施后，预计将年增半导体专用化学品产能3600万吨，发展前景广阔。
行业佼佼者客户覆盖广泛
截至2010年年底，上海新阳已经具备了3000吨/年的电子化学品产能，下游拥有超过120家的客户，遍布华东、华南、东北、西北等全国各地。同时，公司还通过了多家国内以及国际知名的半导体封装企业严格的供应商资格认证，知名企业如长电科技、通富微电等都是上海新阳的固定客户群体，在新产品的研发和产业化方面都建立了长期的合作伙伴关系。
以上仅仅是在半导体封装领域的客户，在芯片制造领域，公司也同如中芯国际、江阴长电等高端芯片制造企业建立了合作关系。
上海新阳是中国集成电路封测产业链技术创新联盟理事单位，国家02重大科技专项科研任务的承担单位之一，在国内的半导体材料业内具有突出的行业地位。行业佼佼者加上与各领域的知名企业的长期合作将极大得保障公司未来稳定的收入来源。
受益半导体行业规模扩张
半导体行业作为电子信息高新技术产业的核心，未来仍将会有较快的发展，而对电子化学品的需求也将随着半导体行业规模的扩大而增加。根据中国半导体协会的预测，2013年引线脚表面处理所需的电子化学品的市场规模可达10亿元，而据Yole Development2009年10月的预测，2015年晶圆镀铜、清洗电子化学品市场规模可达10亿美元。
未来，在国家相关产业政策的支持下，利用本土竞争优势，公司产品对进口产品的替代以及相关产品技术储备的市场推广进程的加速，上海新阳的市场地位将进一步突出、稳固。在此背景下，上海新阳未来将极大得受益于行业规模的扩大。
强势研发团队掌控核心技术
长期以来，上海新阳通过积极从外部引进和内部培养等方式，在半导体化学材料领域，已建立了一支专业门类配套、行业经验丰富、研发能力较强的复合型研发团队。研发带头人孙江燕总工程师有近二十年半导体化学材料研发与应用经验，现为中国集成电路封测产业链技术创新联盟专家委员会成员。
半导体制造范文5
尽管最好的选择是全定制型ASIC,但较高的一次性工程(NRE)成本和10万以上的最小订购量也令人望而却步――当市场认可度存在不确定性时尤其如此。准系统级0.13微米设计的NRE成本大约在35万美元,而最新45纳米设计的NRE成本则超过100万美元。
需要考虑的另一个因素是终端产品的生命周期与全定制型ASIC为期一年的开发时间。产品生命周期通常只有6个月。而全定制型ASIC的开发时间长于许多终端产品的寿命。这种情况下无法实现定制型ASIC的成本、功耗和性能优势。
另一种选择是周期时间短的小批量ASIC,其制造时间只需4到6个星期。这类ASIC利用一种直写式电子束来定制单个穿孔层,从而消除了定制光罩成本。
虽然这类ASIC不存在NRE成本,但处理器IP的“隐藏”许可费却可能达数十万美元,抵消了零NRE成本的优势。100美元或以上的单位成本是这类解决方案的另一障碍。对无晶圆厂芯片公司来说,其成本超出正常投放市场成本的5到10倍。
第四种选择是一种定制型微控制器,基于Atmel的新一代金属可编程单元结构(MPCF-II)技术,其NRE费用仅有象征性的$7.5万美元,单位成本低至5到10美元。2007年推出的原始MPCF技术在硅效率方面超越了基于单元的ASIC(130纳米工艺下为170K到210K门/mm2之间),使降低单位成本成为可能。同样采用130纳米工艺时,部署D触发器(DFF)的MPCF单元与标准DFF单元的面积几乎相同。(见图1)
在晶粒85%的面积中按标准产品微控制器部署一个ARM7内核处理器、一个六层总线和多种外设,将另外15%的面积用于定制,部署触点、六个金属层和五个穿孔层以用于单元配置和互联,可以最大限度地降低NRE成本。(见图2)
用于部署Atmel基于ARM7处理器的CAP7L定制型微控制器的第二代MPCF-II技术,拥有一个新的单元库,只需用三个金属层和三个穿孔层即可对芯片进行配置和路由,由此将光罩数从12个减少到6个,并使NRE成本降低50%。如此一来,无晶圆厂芯片公司将能够以最低的NRE成本,开发定制型SoC,无需支付IP许可费,其单位成本与全定制型ASIC极其接近。
晶粒中预定义的85%面积相当于一个标准的产品微控制器。 包括一个ARM7内核处理器,搭载一个4层AHB总线和一个22通道外设DMA控制器、USB设备、SPI主控制器和从控制器、两个USART、三个16位计时计数器、一个8通道/10位模数转换器、8层、优先级、160Kb SRAM、一个SD/MMC存储卡接口(MCI)和外部总线接口(EBI),支持SDRAM、带误码纠正(ECC)的NAND闪存以及带True IDE模式的CompactFlash卡(可连接到板载GByte-plus接口或包括USB记忆棒在内的移动存储器)。芯片还配有一个全功能系统控制器,包括中断、电源控制和监控功能。(见图3)
晶粒中支持定制的15%的面积包含相当于200K的ASIC门(25K FPGA LUT),还有足以部署额外处理器内核的逻辑、独特的外设组、硬件加速器和无晶圆厂半导体公司的定制IP。例如,硅谷的Amulet Technologies公司,一家无晶圆厂交互式GUI芯片供应商,就利用Atmel CAP7定制型微控制器上的MP块,将其专利图形操作系统、GUI引擎、LCD控制器和触控界面成功集成到ARM7内核上。凭借这一平台,Amulet可以轻松为大规模白色家电及其它终端产品生产商定制单个GUI芯片。(见图4)
除提供无许可费的ARM处理器内核以外,Atmel还拥有一个大规模许可及免专利费IP库,全都在CAP7L MP块及Atmel标准微控制器中进行过全面的验证和测试。 Atmel提供的免费IP包括USART(支持RS232、RS485、ISO7816和IRDA)、串行同步控制器、I2S、AC'97音频控制器、双线接口(主/从)、串行外设接口(SPI)、SD / MMC卡主控制器、控制器区域网络2.0B + 8邮箱(CAN)、并行I/O (32)、计时计数器、脉冲宽度调制(PWM)、数据加密标准(TDES-133 MHz)、高级加密标准(AES-128/196/256)、安全哈希算法(SHA1)、AHB/APB桥、外部总线接口、外部静态RAM/闪存控制器、NAND闪存纠错控制器(ECC)、SDRAM控制器和ZBT RAM控制器。
为了确保MP块中的定制功能与芯片其余模块进行有效的通信,金属可编程(MP)块搭载了两个AHB主控制器和两个AHB从控制器、14个高级外设总线(APB)从控制器和32位可编程I/O,可以通过硬件选择共享I/O。一个片内优先中断控制器提供最高13个编码中断和供DMA传输使用的两个额外未编码中断。 多个分布式单端口和双端口RAM块可以紧密地耦合到逻辑元件上。 MP块由来自时钟发生器的所有时钟以及定制型微控制器上的电源管理控制器供电。
片上的每个外设均部署有简单的DMA,通过一个外设DMA控制器进行管理,该控制器可卸载数据移动任务。 在Amulet GUI芯片等要求大量帧缓存以刷新24位彩色VGA(640x480像素)LCD显示器的应用中,EBI的作用十分明显。1.2 MB帧缓存存储在外部RAM中,通过EBI提取。 数据传输任务从ARM7 CPU卸载到添加至定制型微控制器MP块上的两个DMA主控制器中,该控制器可实现每秒73 MB的要求数据速率(大小为1.2MB的数据,每秒60次)。(见图5)
1设计流程
CAP7L的设计流程与FPGA-plus-MCU或ASIC部署相同。设计开始时使用一个Altera或Xilinx出品的FPGA及一个ARM7 MCU。Atmel提供基于CAP7E ARM7处理器的微控制器,配有用于此目的的直接FPGA接口。CAP7E上的接口将FPGA直接存取提供给CAP7L上的AHB和外设DMA控制器。Atmel同时提供FPGA逻辑,对FPGA和CAP7E微控制器之间的总线数据流进行解码和编码。
FPGA中的逻辑块通过AHB主信道和从信道以及APB从信道与CAP7E相连。 CAP7系列仍然是市场上唯一带有AHB总线(可大幅提高系统性能)、基于ARM7处理器的微控制器。另外,移植到CAP7L之前,可用CAP7E-plus-FPGA进行初期市场测试和概念验证。
任何定制IP的HDL代码都是用标准、供应商特定或第三方FPGA设计工具开发而成。验证后,客户只需向Atmel提供寄存器传输级(RTL)网表,以便在CAP7L上的MP块中进行部署。(见图6)
Atmel提供AT91CAP7X-DK开发套件,可用于硬件和软件协同设计。套件包括了一块主板,配有电源连接器、TFT彩色LCD显示器,以及连接AT91CAP7定制型微控制器上外设组的接口。 主板的特色功能包括USB全速主控制器和USB 2.0高速设备、10/100以太网MAC、图像传感器接口、I2S音频编解码器、2.0A和2.0B CAN控制器、TFT LCD控制器、MCI、SSC、PWM、LCD和AC97控制器、SPI主控制器和从控制器、两个USART、三个16位计时计数器,以及一个8-通道、10-位模数转换器。 还配有一个SD/MMC存储卡接口(MCI)和外部总线接口(EBI),支持SDRAM、带误码纠错功能(ECC)的NAND闪存,以及带True IDE模式的CompactFlash(可连接到板载GByte-plus接口或包括USB记忆棒在内的移动存储器)。(见图7)。主板还有一个DBGU串行通信端口、四个模拟输入端口、一个次全速主控USB接口、两个带USB B连接器的附加USB设备PHY接口、两个3.5mm的音频插孔、带三个状态LED指示灯的三个3.省略实时内核。 市场上有售的商业工具包括Green Hills(多IDE、TimeMachineTM、集成操作系统)、IAR(C编译器――Embedded WorkbenchTM)、ExpressLogic(实时操作系统――ThreadX?)和Micrium(实时操作系统――μCOS/II)。
2结论
第二代金属可编程单元结构(MPCF-II)技术,为无晶圆厂芯片供应商开发基于ARM处理器的定制型SoC提供了一种经济的解决方案,仅收取象征性NRE费用,单位成本和性能媲美全定制型ASIC,而且无需支付许可费。
半导体制造范文6
另外，全球最大的半导体设备制造商美国应用材料公司于3月21日宣布，将投资8300万美元在西安建立第一个产品开发中心。应用材料公司CEO Michael Splinter表示：“我们在中国正由简单的销售和服务向技术开发和外包转型。在建设开发中心的第一阶段，公司将投入3300万美元，随后的第二阶段，即未来的两到五年内，公司将再投入5000万美元。
不管如何，这一切都表明中国的产业环境正处在一个极好的发展时期，对于下一步中国半导体业的发展有积极的示范作用。
英特尔项目具有示范作用
全球半导体产业链转移是一个总趋势。但是，之前向中国转移的主要集中在芯片的后序封装测试段，全球10大芯片制造商中几乎都已在中国设有封装基地。如英特尔在上海及成都分别就有三个封装厂，总投资已达13亿美元。至于芯片制造部分，美国一直控制以0.18微米为限，如今除了台湾地区的台积电及和舰在中国设厂之外，只有韩国的海力士与欧洲的意法在无锡合资新建一个存储器芯片制造厂。
根据西方国家对于半导体技术的对华出口限制(瓦圣纳条约)，英特尔在华可以采用小于0.18微米线宽的半导体工艺。这成为英特尔在华建厂的最大障碍，也是整个事件异常低调的原因。
英特尔的主流处理器已经全部转移到65纳米生产工艺，今年下半年将进入45纳米量产阶段。此次英特尔承诺在大连生产的是芯片组，是联系计算机处理器与内存芯片和输入设备等的“纽带”，采用的是上一代的90纳米生产工艺。英特尔芯片组在2006年时营收为80亿美元，英特尔在芯片组市场的主要竞争对手包括Nvidia和ATI，后者已经成为其主要竞争对手AMD的旗下部门。
根据英特尔最近向美国证券交易委员会提交的文件，该公司2006年来自中国内地和台湾的营收超过121亿美元，占其总营收354亿美元中的34％。由于戴尔、Gateway、惠普及苹果等厂商的大多数PC，90％以上的笔记本都由中国内地和台湾公司代工，因此在大连兴建芯片制造工厂，在产业链配套方面具有十分重要的意义。
根据瓦圣纳条约的原则，控制两代以上的技术向中国出口似乎也能自圆其说。因为大连项目要执行22个月，那时已进入2009年，根据英特尔的技术路线图，那时已进入32纳米时期。90纳米完全可解释为两代以上的技术。
无论英特尔，还是海力士都是在中国兴建独资公司，其间并不存在任何技术转让问题，因此美国也不用担心。加上中国在保护IP问题的认识上也逐年提高，所以瓦圣纳条约的精髓，在贸易和控制之间平衡也能得到妥善解决。可以预期，英特尔、应用材料等世界顶级公司在中国的投资活动，将有示范及引导作用。尤其对于台积电松江厂仍紧守O.18微米为限，可能丧失竞争能力。另外，随着第5条12英寸芯片生产线在中国落户，中国12英寸专业人才的竞争将更加激烈。
一切转移都遵循着价值规律，即当芯片制造业开始转移中国时，表明其利润点已不可能再维持很高，而转移者将进入产业链中附加值更高的部分。如IBM，摩托罗拉，NXP，安捷伦等都是如此。IBM是全球掌握IP最多的公司，然而它并不都自己使用，而进行IP贸易，年营收已可达数亿美元。
面对如此良好的契机，中国无疑应积极吸收，以提升自身的竞争能力。归根结底，产业链的转移将永远继续下去，今天到中国，明天很可能又转到印度或者越南。
发展本土半导体工业才是根本
发展工业离不开两条路径，首先积极开放，通过技术引进站在高起点上。但这还不能获得真正的先进技术，需要通过消化，吸收才能使自身实力提高。此外，就是通过自行研发，可能慢一点，困难大点，但这才是中国工业发展的根本路径。
因此，中国半导体工业的发展不可陶醉于英特尔，或者日月光等在中国设多少厂，尤其是独资厂。除了看似中国半导体工业产值能提高，解决部分就业，顶多培养了一批中下级人才。它们都把核心技术牢牢地掌握在自己手中，实质上对于中国半导体业本土化进步，并无多少实质性的帮助，可以比喻为仅交换了一个战场的地点。
英特尔在中国兴建的12英寸，90纳米制程生产线，要到2010年才投产，中间的变数还可能很多。非常有可能是由8英寸升级改造至12英寸的二手设备芯片生产线。虽然英特尔中国区公共事务部总监陆郝安博士对此持否定态度，再三表示“这完全是误解，我们是在新的厂址，建新的工厂。”
最根本的还是“要创新，创新，再创新”。积极培育与壮大本土的半导体制造大厂，如中芯国际，华虹，宏力，华润，先进等。只有中国的芯片制造厂强大，有实力，才能更有效地支持国内设计，封装以及设备，材料，包括配套支持产业均衡地发展。
中国的芯片制造厂不能仅停留在实现盈利这一阶段，而是要创立国际的品牌，有几个在国际上能站得稳的大厂。否则，在日益竞争的环境中，很易被对手挤出市场。当然，企业要盈利是首位，但是中国半导体业必须差异化，也需要有部分企业一定要有抱负，立足于行业的前列。所以中国半导体工业的发展，从策略上要培育多个如中芯国际式的企业，唯此中国半导体业才有真正的希望。最近连台湾地区的厂商也坦陈中国要发展本土化的半导体封装大厂。